弹性边界波器件制造技术

本发明专利技术公开一种弹性边界波器件。该弹性边界波器件包括：具有压电性的第一介质；电极，其被设置在所述第一介质上并激发弹性波；第二介质，其由与所述第一介质不同的材料制成并且被设置在所述第一介质上以覆盖所述电极；以及吸声部分，其被设置在所述第二介质上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及弹性边界波器件，并且更具体来说涉及一种能够抑制不必要响应的弹性边界波器件。
技术介绍
已知表面声波(此后称为SAW)器件是利用弹性波的器件之一。SAW器件应用于其中对频带范围从45MHz到2GHz的无线信号进行处理的各种电路，诸如例如发送带通滤波器、接收带通滤波器、局部滤波器、天线双工器、中频(IF)滤波器、以及调频调制器。这些无线信号典型地由例如移动电话使用。近年来，已经开发了利用弹性边界波的弹性边界波器件。在弹性边界波器件中，弹性波被集中到两个不同介质的边界处。因此，与SAW器件不同，即使外物粘附到所述两个介质的外表面上，也不会发生诸如频率改变或者电损耗增加的特性方面的变化或者劣化。在SAW器件中，存在具有谐振器从不使用的不必要响应的问题。因此，如日本特开平6-112764号(此后称为参考文件1)中所述，在SAW器件中在基板的边缘处提供一种吸收器或者栅以抑制已经反射的不必要表面波。另外，如日本特开平4-239210号(此后称为参考文件2)中所述，通过在SAW器件的基板的端面处提供吸声材料来抑制体波的反射。另外，如日本特开平4-82315号(此后称为参考文件3)中所述，存在如下一种技术通过在SAW器件的基板的端面处提供台阶来抑制体波的反射。
技术实现思路
鉴于上述情况已经开发了本专利技术，本专利技术提供一种弹性边界波器件，在所述弹性边界波器件中，虽然不必要响应是受激波，而不是出现在两种不同介质的边界处的边界波，但该不必要响应能够被抑制。根据本专利技术的一方面，提供了一种弹性边界波器件，所述弹性边界波器件包括第一介质，其具有压电性；电极，其被设置在所述第一介质上并激发弹性波；第二介质，其由与所述第一介质不同的材料制成，并且被设置在所述第一介质上以覆盖所述电极；以及吸声部分，其被设置在所述第二介质上。根据本专利技术的另一方面，提供一种弹性边界波器件，所述弹性边界波器件包括第一介质，其具有压电性；电极，其被设置在所述第一介质上并激发弹性波；第二介质，其由与所述第一介质不同的材料制成并且被设置在所述第一介质上以覆盖所述电极；以及凸部，其被设置在所述第二介质上。所述吸声部分减少了所述第二介质或者第三介质的表面上的表面波的能量，由此减少了由表面波引起的不必要响应。根据本专利技术的又一方面，提供了一种弹性边界波器件，所述弹性边界波器件包括第一介质，其具有压电性；电极，其被设置在所述第一介质上并激发弹性波；第二介质，其由与所述第一介质不同的材料制成，并且被设置在所述第一介质上以覆盖所述电极；以及第三介质，其由与所述第一介质和所述第二介质不同的材料制成，并且被设置在所述第二介质上，并且所述第三介质具有所述电极周期的0.25倍或者更多的厚度。附图说明参照下列附图详细描述本专利技术的示例性实施例，其中图1示出弹性边界波器件的通常插入损耗相对于频率的变化；图2是在本专利技术的第一示例性实施例中采用的弹性边界波器件的剖面图；图3示出在本专利技术的第一示例性实施例中采用的弹性边界波器件的插入损耗相对于频率的变化。图4是在本专利技术的第二示例性实施例中采用的弹性边界波器件的剖面图；图5A到图5D是在本专利技术的第三示例性实施例中采用的弹性边界波器件的第一剖面图；图6A到图6D是在本专利技术的第三示例性实施例中采用的弹性边界波器件的第二剖面图；图7A到图7D是在本专利技术的第三示例性实施例中采用的弹性边界波器件的第三剖面图；图8A和图8B是在本专利技术的第四示例性实施例中采用的弹性边界波器件的剖面图；图9A和图9B是在本专利技术的第五示例性实施例中采用的弹性边界波器件的剖面图；图10A和图10B是在本专利技术的第六示例性实施例中采用的弹性边界波器件的剖面图；图11是本专利技术的第七示例性实施例中采用的弹性边界波器件的剖面图；图12示出本专利技术的第七示例性实施例中采用的弹性边界波器件的插入损耗相对于表面波的频率的变化。具体实施例方式图1是示出其中具有弹性边界波器件的单端口谐振器的通带特性的图。除了在较低频率侧的边界波的响应，还在较高频率侧出现了不必要响应。当存在这种不必要响应时，在用于滤波器的弹性边界波器件中不能获得优良的抑制特性。不必要响应阻碍了这种优良频率特性。根据本专利技术的专利技术者进行的实验，弹性边界波器件的这种不必要响应在特性上与在传统SAW器件中发现的小循环的乱真(spurious)实质上不同。因此，不能通过在基板的端面处提供吸声材料或者台阶(如参考文件1到参考文件3所述)来抑制该不必要响应。作为该不必要响应的原因，从不必要响应的大小上判断，认为不必要响应起因于弹性边界波器件的表面波，并且很可能是作为瑞利波(Rayleigh wave)的高阶模态的赛兹瓦波(sezawa wave)。因此，现在参照附图，针对其中可抑制不必要响应的弹性边界波器件，提供对本专利技术的示例性实施例的描述。(第一示例性实施例)本专利技术的第一示例性实施例是在表面处提供吸声部分的示例。图2是本专利技术的第一示例性实施例中采用的弹性边界波器件的剖面图。在旋转Y板LN(氧化锂铌LiNbO3)基板的压电基板10(第一介质)上提供有由诸如Cu(铜等)的金属制成的电极12。电极12是用于激发弹性波的叉指换能器(IDT)或者梳状电极。在压电基板10上提供有由与压电基板10不同的材料制成的二氧化硅膜14(第二介质)，以覆盖电极12。另外在二氧化硅膜14上提供有由硅树脂制成的吸声部分20。二氧化硅膜14具有比压电基板10的声速更慢的声速。因此，弹性边界波集中在二氧化硅膜14与压电基板10之间的边界上，并且沿着该边界传播。图3示出不包括吸声部分20的弹性边界波器件(常规示例)的插入损耗和在第一示例性实施例中采用的弹性边界波器件的插入损耗相对于频率的变化。在第一示例性实施例中采用的弹性边界波器件中，在较高频率侧由表面波引起的不必要响应较小。根据本专利技术的第一示例性实施例，设置在二氧化硅膜14上的吸声部分20减少了二氧化硅膜14表面上的表面波的能量，由此使得由所述表面波产生的不必要响应减少。在此，吸声部分20由例如树脂的材料制成，所述材料可减少二氧化硅膜14的表面上的表面波的能量。作为树脂，可以使用环氧树脂、硅树脂、酚树脂、紫外线固化树脂、以及聚酰亚胺树脂。考虑到封装上的安装处理，树脂优选地具有150℃或者更高的耐热性。另外，优选地在二氧化硅膜14的整个表面上设置二氧化硅膜14上的吸声部分20。然而，也可在二氧化硅膜14上局部设置吸声部分20。(第二示例性实施例)本专利技术的第二示例性实施例是在二氧化硅膜14与吸声部分20之间插入氧化铝膜16的示例。现在参照图4，在第二示例性实施例中采用的弹性边界波器件包括设置在二氧化硅膜14与吸声部分20之间的氧化铝膜16(第三介质)。氧化铝膜16由与压电基板10和二氧化硅膜14不同的材料制成。在第二示例性实施例中，与第一示例性实施例所采用的相同的部件和配置具有相同的参考标记，并且省略对其的详细描述。根据第二示例性实施例，在二氧化硅膜14上提供具有比二氧化硅膜14的声速更高声速的氧化铝膜16，由此将弹性边界波限制在二氧化硅膜14内。另外，设置在氧化铝膜16上的吸声部分20减少了在氧化铝膜16的表面上传播的表面波的能量，由此减少了由该表面波引起的不必要响应。(第三示例性实施例)本专利技术的第三示例性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弹性边界波器件，该弹性边界波器件包括：具有压电性的第一介质；电极，其被设置在所述第一介质上并激发弹性波；第二介质，其由与所述第一介质不同的材料制成，并且被设置在所述第一介质上以覆盖所述电极；以及吸声部分， 其被设置在所述第二介质上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松田聪，三浦道雄，松田隆志，上田政则，
申请(专利权)人：富士通媒体部品株式会社，富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]