半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适用于例如液晶显示装置等的。
技术介绍
近年，已知在包括玻璃基板和石英基板的比Si晶片大的任意的基板上形成包含 非晶硅(非晶Si :a-Si)、多晶Si (P-Si)的薄膜晶体管(TFT =Thin Film Transistor)，进行 液晶显示面板、有机EL面板等的驱动的作为半导体装置的所谓有源矩阵驱动装置。此外， 为了将外围驱动器、或者进而要求高性能的存储器、微处理器、图像处理器和时序控制器等 系统在基板上集成化，对形成更高性能的Si器件进行了研究。其中，特别是使用迁移率较高、高速动作的多晶Si对外围驱动器集成化被人们所 关注。但是，由于多晶Si存在起因于结晶的不完全性的带隙内的局部能级和晶界附近的缺 陷及局部能级，存在迁移率低下和S系数(亚阈(Subthreshold)系数)的增大等问题。此外，在加工精度比Si晶片的工艺差的玻璃基板等基板上形成薄膜晶体管的情 况下，存在由上述较低的加工精度形成的器件的细微化受到限制，难以在玻璃基板上对需 要更高度的器件部的存储器、微处理器、图像处理器和时序控制器进行系统的集成的问题。对此，例如在专利文献1中，公开了将包含形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其包括：器件部形成工序，其在基体层形成包括元件的至少一部分的器件部，其中，该元件包括电极；剥离层形成工序，其对所述基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层；粘贴工序，其将形成有所述器件部的基体层贴在基板上；和分离工序，其将贴在所述基板上的所述基体层的未形成所述器件部的一部分沿着所述剥离层分离除去，该半导体装置的制造方法的特征在于：所述器件部形成工序包括：在所述基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在所述绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序；和通过对所述导电层进行图案形成而形成所述电极的电极形成工序，所述剥离层形成工序在所述电极形成工序之前进行。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-12-28 2007-341077一种半导体装置的制造方法，其包括器件部形成工序，其在基体层形成包括元件的至少一部分的器件部，其中，该元件包括电极；剥离层形成工序，其对所述基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层；粘贴工序，其将形成有所述器件部的基体层贴在基板上；和分离工序，其将贴在所述基板上的所述基体层的未形成所述器件部的一部分沿着所述剥离层分离除去，该半导体装置的制造方法的特征在于所述器件部形成工序包括在所述基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在所述绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序；和通过对所述导电层进行图案形成而形成所述电极的电极形成工序，所述剥离层形成工序在所述电极形成工序之前进行。2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 包括在所述导电层的表面叠层金属膜的金属膜形成工序，在所述电极形成工序中，通过对所述导电层和所述金属膜进行图案形成，形成所述电极。3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 在所述导电层形成工序中，将所述导电层的表面平坦化。4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 所述剥离层形成工序在所述导电层形成工序之后进行。5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 所述导电层由多晶硅构成。6.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：多田宪史，高藤裕，福岛康守，富安一秀，竹井美智子，中川和男，松本晋，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]