等离子体发生装置及设置有该装置的工件处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体发生装置，包括：微波发生部，产生微波；波导管，用于传 送所述微波；多个等离子体发生喷嘴，在微波传导方向上彼此相隔地安装到所述波导管上， 用于接收所述微波并基于该微波的能量产生并喷射等离子体气体；以及多个短柱，对应于 等离子体发生喷嘴的一部分或全部，分别被以相隔规定的距离、且沿微波传导方向位于后 面的位置，设置在所述波导管上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及向基板等被处理工件照射等离子体，来对所述工件表面进行净化或者质量 改良等处理的等离子体发生装置和设置有该等离子体发生装置的工件处理装置。
技术介绍
例如向半导体片等被处理工件照射等离子体，来进行除去工件表面的有机污垢、改善 表面质量、蚀刻工件、形成薄膜或者除去薄膜等处理的工件处理装置是公知的。例如特开 2003-197397号公开公报公开了一种等离子体处理装置，其使用了具有同心的内部电导体 和外部电导体的一个等离子体发生喷嘴。通过在内部导电体和外部导电体之间施加高频脉 冲电场，产生辉光放电而非弧光放电，由此来生成等离子体。在该装置中，使从气体供应 源供应的处理气体边在两导电体间回旋，边从喷嘴的底端移动到喷嘴的自由端，生成较高 密度的等离子体，并将等离子体从上述自由端喷射到被处理工件。这能确保在常压下得到 高密度的等离子体。但是，在上述的现有技术中，只提到使用一个等离子体发生喷嘴，而并未提及使用多 个这样的等离子体发生喷嘴。因此，对于在处理大面积的工件或同时处理多个被处理工件 时，是如何使用多个等离子体发生喷嘴均匀地向不同形状的工件施加等离子体的，是无法 想到和实现的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体发生装置，其特征在于包括：　微波发生部，产生微波；　波导管，用于传送所述微波；　多个等离子体发生喷嘴，在微波传导方向上彼此相隔地安装到所述波导管上，用于接收所述微波并基于该微波的能量产生并喷射等离子体气体；　 　多个短柱，对应于所述等离子体发生喷嘴的一部分或全部，分别被以相隔规定的距离、且沿微波传导方向位于后面的位置，设置在所述波导管上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2006.9.13 JP 247863/20061.一种等离子体发生装置，其特征在于包括微波发生部，产生微波；波导管，用于传送所述微波；多个等离子体发生喷嘴，在微波传导方向上彼此相隔地安装到所述波导管上，用于接收所述微波并基于该微波的能量产生并喷射等离子体气体；多个短柱，对应于所述等离子体发生喷嘴的一部分或全部，分别被以相隔规定的距离、且沿微波传导方向位于后面的位置，设置在所述波导管上。2. 如权利要求l所述的等离子体发生装置，其特征在于， 所述等离子体发生喷嘴被安装排列在微波传导方向上的第一直线上， 所述短柱被安装排列在偏移且平行于所述第一直线的第二直线上。3. 如权利要求2所述的等离子体发生装置，其特征在于还包括，微波反射构件，其 被设置在第一直线上的、位置最靠后的等离子体发生喷嘴的后面。4. 如权利要求2所述的等离子体发生装置，其特征在于，在微波波长为XG的情况下，所述等离子体发生喷嘴和短柱分别以XG/4的间距被排列； 所述短柱在微波传导方向上偏移于所述等离子体发生喷嘴的距离为XG/8;以及 第二直线为偏移于第一直线XG/16的直线。5. 如权利要求1所述的等离子体发生装置，其特征在于，所述等离子体发生喷嘴以及短柱被安装排列在微波传导方向上的第三直线...

【专利技术属性】
技术研发人员：松内秀高，岩崎龙一，万川宏史，增田滋，三毛正明，李相勋，
申请(专利权)人：诺日士钢机株式会社，阿玛仁特技术有限公司，
类型：发明
国别省市：JP