【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种对被处理基板实施等离子体处理的技术，特别是涉及电感耦合型 。
技术介绍
在半导体元件、FPD (Flat Panel Display 平板显示器)的制造工艺中的蚀刻、沉 积、氧化、溅射等处理中，为了在较低的温度下使处理气体进行良好的反应，经常利用等离 子体。过去，在这种等离子体处理中，多使用MHz区域的高频放电所产生的等离子体。作 为更加具体(装置)的等离子体生成方法，高频放电所产生的等离子体大体分为电容耦合 (容量耦合)型等离子体和电感耦合(感应耦合)型等离子体。一般情况下，对于电感耦合型等离子体处理装置，使用电介质窗构成处理容器的 壁部的至少一部分(例如顶壁)，向在该电介质窗的外部设置的线圈形的RF天线供给高频 电力。处理容器构成为能够减压的真空腔室，在腔室内的中央部配置被处理基板(例如半 导体晶片、玻璃基板等)，处理气体被导入在电介质窗和基板之间设定的处理空间。通过流 入RF天线的RF电流，在RF天线的周围产生磁力线贯通电介质窗并通过腔室内的处理空间 的RF磁场，因该RF磁场的时间变化，在处理空间内沿着方位角方向产生感应电场。因该感 应电...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括： 具有电介质窗的处理容器； 配置在所述电介质窗之外的线圈形状的ＲＦ天线； 在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部； 为了对所述被处理基板实施所希望的等离子体处理，向所述处理容器内供给所希望的处理气体的处理气体供给部； 为了在所述处理容器内通过感应耦合生成处理气体的等离子体，向所述ＲＦ天线供给适合于处理气体的高频放电的一定频率的高频电力的高频供电部； 处于电浮动状态，配置在通过电磁感应能够与所述ＲＦ天线耦合的位置，且位于所述处理容器之外的浮动线圈；和 在所述浮动线圈的环内设置的电容器。
【技术特征摘要】
JP 2009-10-27 2009-245988;JP 2009-10-27 2009-245991.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括 具有电介质窗的处理容器；配置在所述电介质窗之外的线圈形状的RF天线； 在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部；为了对所述被处理基板实施所希望的等离子体处理，向所述处理容器内供给所希望的 处理气体的处理气体供给部；为了在所述处理容器内通过感应耦合生成处理气体的等离子体，向所述RF天线供给 适合于处理气体的高频放电的一定频率的高频电力的高频供电部；处于电浮动状态，配置在通过电磁感应能够与所述RF天线耦合的位置，且位于所述处 理容器之外的浮动线圈；和在所述浮动线圈的环内设置的电容器。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈被配置为与所述RF天线同轴。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈被配置在与所述RF天线相同的平面上。4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈被沿着径向配置在所述RF天线的内侧或外侧。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈具有所述RF天线的1/3 3倍的半径。6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于当令所述浮动线圈的电阻为R，所述浮动线圈与所述RF天线之间的互感系数为M，所述 高频的频率为f时，2 π fM > R。7.如权利要求1 5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈具有与所述RF天线相似的形状。8.如权利要求1 3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈在径向夹着所述RF天线且跨越所述RF天线的内侧和外侧地配置。9.如权利要求1 5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈被配置在所述浮动线圈与所述RF天线相对于所述处理容器内的所述基 板保持部为相等距离的位置。10.如权利要求1 5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈在圆周方向上被分割为多个线圈段。11.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述电介质窗形成所述处理容器的顶壁，所述RF天线和所述浮动线圈均被载置在所述电介质窗之上。12.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述电介质窗形成所述处理容器的顶壁，所述RF天线被载置在所述电介质窗之上，所述浮动线圈被配置在离开所述电介质窗且比所述RF天线高的位置。13.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于所述电介质窗形成所述处理容器的侧壁，所述RF天线被配置在所述处理容器的侧壁的周围，所述浮动线圈在所述处理容器的纵方向上与所述RF天线偏移地配置在所述处理容器 的侧壁的周围。14.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述电介质窗形成所述处理容器的侧壁和顶壁，所述RF天线被配置在所述处理容器的侧壁的周围， 所述浮动线圈被配置在所述电介质窗之上。15.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述电介质窗形成所述处理容器的侧壁和顶壁，所述RF天线被配置在所述电介质窗之上， 所述浮动线圈被配置在所述处理容器的侧壁的周围。16.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述浮动线圈内流动与流经所述RF天线的电流在圆周方向上同向的电流。17.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈内的电容器具有比在所述浮动线圈内引起串联谐振的静电容量的值小 的静电容量。18.如权利要求16或17所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈具有负值的电抗。19.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述浮动线圈内流动与流经所述RF天线的电流在圆周方向上反向的电流。20.如权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈内的电容器具有比在所述浮动线圈内引起串联谐振的静电容量的值大 的静电容量。21.如权利要求19或20所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈具有正值的电抗。22.如权利要求1 5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈内的电容器是可变电容器，其静电容量的可变范围包括比在所述浮动线 圈内引起串联谐振的静电容量小的值。23.如权利要求22所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈具有能够使在所述浮动线圈内流动的电流与流经所述RF天线的电流 在圆周方向上同向、且能够使在所述浮动线圈内流动的电流从流经所述RF天线的电流的 1/10以下连续或阶段地变化至2倍以上的可变的静电容量。24.如权利要求1 5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈内的电容器是可变电容器，其静电容量的可变范围包括比在所述浮动线 圈内引起串联谐振的静电容量小的值和大的值。25.如权利要求1 5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈内的电容器是可变电容器，其静电容量的可变范围包括比在所述浮动线 圈内引起串联谐振的静电容量大的值。26.如权利要求1 5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于 同轴地设置有多个所述浮动线圈。27.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括 在顶部具有电介质窗的处理容器；具有内侧线圈和外侧线圈的RF天线，该内侧线圈和外侧线圈在所述电介质窗之上彼 此沿着径向隔开间隔地配置在内侧和外侧，且与所述高频供电部电并联连接； 在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部；为了对所述被处理基板实施所希望的等离子体处理，向所述处理容器内供给所希望的 处理气体的处理气体供给部；为了在所述处理容器内通过感应耦合生成处理气体的等离子体，向所述RF天线供给 适合于处理气体的高频放电的一定频率的高频电力的高频供电部；处于电浮动状态，配置在通过电磁感应能够与所述RF天线的所述内侧线圈和所述外 侧线圈中的至少一个耦合的位置，并被配置在所述电介质窗之上的浮动线圈；和 在所述浮动线圈的环内设置的电容器。28.如权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述内侧线圈、所述外侧线圈和所述浮动线圈被同轴地配置。29.如权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述内侧线圈、所述外侧线圈和所述浮动线圈被配置在同一平面上。30.如权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于所述内侧线圈、所述外侧线圈和所述浮动线圈均被载置在所述电介质窗之上。31.如权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈被沿着径向配置在所述内侧线圈与所述外侧线圈之间。32.如权利要求31所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈被配置在与所述内侧线圈以及所述外侧线圈等距离的位置。33.如权利要求31或32所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述浮动线圈内流动与分别流经所述内侧线圈和所述外侧线圈的电流在圆周方向 上同向的电流。34.如权利要求33所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述浮动线圈内流动比分别流经所述内侧线圈和所述外侧线圈的电流小的电流。35.如权利要求34所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述浮动线圈内流动的电流具有分别流经所述内侧线圈和所述外侧线圈的电流的 1/10以下的电流值。36.如权利要求33所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈内的电容器具有比在所述浮动线圈内引起串联谐振的静电容量的值小 的静电容量。37.如权利要求33所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述浮动线圈具有负值的电抗。38.如权利要求33所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈内的电容器是可变电容器，其静电容量的可变范围包括比在所述浮动线圈内引起串联谐振的静电容量小的值。39.如权利要求38所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈具有能够使在所述浮动线圈内流动的电流与分别流经所述内侧线圈和 所述外侧线圈的电流在圆周方向上同向、且能够使在所述浮动线圈内流动的电流从分别流 经所述内侧线圈和所述外侧线圈的电流的1/10以下连续或阶段地变化至2倍以上的可变 的静电容量。40.如权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈被沿着径向配置在所述内侧线圈的内侧。41.如权利要求27所述的等离子体处理装置，其特征在于所述浮动线圈被沿着径向配置在所述外侧线圈的外侧。42.权利要求40所述的等离子体处理装置，其特征在于同轴地设置有多个所述浮动线圈。43.如权利要求40所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，舆水地盐，传宝一树，山涌纯，齐藤昌司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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