【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对被处理基板实施等离子体处理的技术，特别涉及电感耦合型的等离 子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体器件或FPD (Flat Panel Display 平板显示器)的制造工艺中的蚀刻、 沉积、氧化、溅射等处理中，为了使处理气体在比较低的温度下良好地进行反应，常利用等 离子体。一直以来，在这种等离子体处理中，多使用由MHz区域的高频放电产生的等离子 体。高频放电产生的等离子体按照更具体(装置方面)的等离子体生成法可大致分为电容 耦合型等离子体和电感耦合型等离子体。一般而言，在电感耦合型的等离子体处理装置中，以处理容器的壁部的至少一部 分(例如顶部)构成电介质的窗，对设置在该电介质窗外的线圈状的RF天线供给高频电 力。处理容器构成为可减压的真空腔室，在腔室内的中央部配置有被处理基板(例如半导 体晶片、玻璃基板等)，处理气体被导入到在电介质窗与基板之间设定的处理空间内。利用 在RF天线中流通的RF电流，在RF天线的周围产生RF磁场，该RF磁场的磁力线贯穿电介 质窗并通过腔室内的处理空间，利用该RF磁场的时间上的变化在处理空间内在方位角方 ...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括： 在顶部具有电介质窗的能够进行真空排气的处理容器； 在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部； 向所述处理容器内供给所希望的处理气体的处理气体供给部，用于对所述基板实施所希望的等离子体处理；设置在所述电介质窗上的第一ＲＦ天线，用于在所述处理容器内通过电感耦合生成处理气体的等离子体；和 向所述ＲＦ天线供给频率适合于所述处理气体的高频放电的高频电力的第一高频供电部，其中 所述第一ＲＦ天线配置在所述电介质窗上或所述电介质窗的上方，并且具有经由高频供电线与所述第一高频供电部电连接的一次线圈，和配置在能够通过电磁感应与所述一次线圈耦...
【技术特征摘要】
JP 2009-10-27 2009-2459901.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括在顶部具有电介质窗的能够进行真空排气的处理容器； 在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部；向所述处理容器内供给所希望的处理气体的处理气体供给部，用于对所述基板实施所 希望的等离子体处理；设置在所述电介质窗上的第一 RF天线，用于在所述处理容器内通过电感耦合生成处 理气体的等离子体；和向所述RF天线供给频率适合于所述处理气体的高频放电的高频电力的第一高频供电 部，其中所述第一 RF天线配置在所述电介质窗上或所述电介质窗的上方，并且具有经由高频 供电线与所述第一高频供电部电连接的一次线圈，和配置在能够通过电磁感应与所述一次 线圈耦合的位置，并且比所述一次线圈更靠近所述电介质窗的下表面的二次线圈。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于通过在所述二次线圈中流动的感应电流，在所述处理容器内产生感应电场，通过所述 感应电场生成所述处理气体的等离子体。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述二次线圈处于电浮起状态。4.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述一次线圈和所述二次线圈被配置成与所述电介质窗平行。5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于所述二次线圈的至少一部分设置在所述电介质窗的内部或所述处理容器内。6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，具有与所述第一 RF天线独立地设置在所述电介质窗的附近的第二 RF天线，用于在所述处 理容器内通过电感耦合生成处理气体的等离子体；和向所述第二 RF天线供给频率适合于所述处理气体的高频放电的高频电力的第二高频 供电部。7.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述二次线圈的环中设置有电容器。8.如权利要求7所述的等离子体...
【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，齐藤昌司，传宝一树，輿水地盐，山涌纯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。