【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般性涉及薄膜材料的沉积，更具体地涉及使用将同时气流引导到基材上 的分配头在基材上进行原子层沉积的装置和方法。
技术介绍
广泛用于薄膜沉积的技术包括使用在反应室中反应以在基材上沉积所需膜的化 学反应性分子的化学气相沉积(CVD)。可用于CVD用途的分子前体包括要沉积的膜的元素 (原子)成分，并且一般也包括其它元素。CVD前体是气相输送到室中以在基材上反应从而 在其上形成薄膜的挥发性分子。化学反应沉积具有所需膜厚度的薄膜。大多数CVD技术通常需要将一种或多种分子前体的良好受控流施加到CVD反应器 中。使基材在受控压力条件下保持在良好受控温度下以促进这些分子前体之间的化学反 应，同时有效除去副产物。获得最佳CVD性能要求能在整个过程中达到并维持气流、温度和 压力的稳态条件和能尽量减少或消除瞬变现象。尤其在半导体、集成电路和其它电子器件领域中，需要超过常规CVD技术的可实 现限度的具有优异保形涂覆性能的薄膜，尤其是较高品质的较致密膜，尤其是能在较低温 度下制成的薄膜。原子层沉积(“ALD”)是与其CVD前身相比可提供改进的厚度分辨率和保形能力 的可供选择的膜...
【技术保护点】
将固体材料薄膜沉积到基材上的系统，包括：Ａ）至少第一、第二和第三气态材料的至少第一、第二和第三源；（Ｂ）具有基材表面和单位面积平均重量的基材；（Ｃ）将气态材料输送至用于薄膜沉积的基材表面的沉积输送头，其包括：ｉ）分别用于接收第一、第二和第三气态材料的至少第一、第二和第三入口；ｉｉ）至少一个用于排出废气的排气端口；和ｉｉｉ）邻近基材表面的输出面，包括多个细长开口，其中（ａ）各入口独立地连向沉积输送头的面中的至少一个第一、第二和第三细长输出口，各自与相应的细长第一、第二和第三细长发射通道相连，以向基材供应各自的气态材料；且（ｂ）至少一个排气端口连向沉积输送头的面中的至少两个细长...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：DH莱维，RS克尔，JT凯里，
申请(专利权)人：伊斯曼柯达公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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