一种ＯＴＰ　ＥＰＲＯＭ读取电路制造技术

一种ＯＴＰ　ＥＰＲＯＭ读取电路，包括第一～五场效应管，二输入与非们，第一、二非门，Ｄ触发器及ＯＴＰ　ｃｅｌｌ单元，第一场效应管源极接ＶＤＤ，栅极与第二、第五场效应管栅极连接后再接ＲＥＡＤ＿ＥＮ信号，漏极接第二、三场效应管源极，第三场效应管漏极与第四、五场效应管源极连接后再接Ｄａｔａ信号，第四场效应管源极接ＶＤＤ，第五场效应管漏极接地，二输入与非门一输入为ＲＥＡＤ＿ＥＮ信号，另一输入为Ｄａｔａ信号，二输入与非门输出接第三、四场效应管栅极，ＤＡＴＡ信号接ＯＴＰ　ｃｅｌｌ，第一非门输入端接第一、二场效应管漏极及第三场效应管源极，第一非门输出接第二非门输入端，第二非门输出端接Ｄ触发器Ｄ端，Ｄ触发器的ｃｌｋ端接ＣＬＫ信号，输出Ｑ端接ＯＵＴ信号。本发明专利技术可同时保证ＯＴＰ　ｃｅｌｌ的寿命和读取模式下的抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术特别涉及集成电路
的一种MCU的存储器件的读取电路。
技术介绍
对于存储器来说其中以确定值存储的只能是一种电平信号，大多数情况下都是 “0”信号，而“1”信号是通过读电路产生的，即当从ROM空间读出的不是确定的“0”电平的 时候就输出一个“1”电平。完成此功能的电路结构如图1所示。若假设图1是ROM单元， 此时当Read信号有效的时候，Data<3:0> = 0000。如果要存储“ 1 ”信号，则去掉相应位置 的NMOS管，读取的时候由上拉电阻提供一个高电平信号，从而读出“1”信号。这样的电路 对NMOS管漏端的电压没有特殊要求，只要在管子不损坏的情况下，可以正常的输出“0”和 “1”电平，并且稳定就可以了。但这种电路的缺陷在于OTP cell的寿命无保障，且不能保证 读取模式下的抗干扰能力。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种既可保证OTP cell的寿命，又能保证读取模式下的抗 干扰能力的OTP EPROM读取电路，从而克服现有技术中的不足。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用了如下技术方案一种OTP EPROM读取电路，其特征在于，所述读取电路包括第一、二、三、四、五场效 应管，二输入与非们，第一、二非门，D触发器以及OTP cell单元，所述第一场效应管源极接 VDD，第一场效应管栅极与第二、第五场效应管栅极接在一起接READ_EN信号，第一场效应 管漏极与第二场效应管源极、第三场效应管源极连接，第三场效应管漏极与第五场效应管 源极、第四场效应管漏极连接，再接入Data信号，第四场效应管源极接VDD，第五场效应管 漏极接地，所述二输入与非门一个输入端为READ_EN信号，另一输入为Data信号，二输入与 非门输出接第三、第四场效应管的栅极，DATA信号接OTP cell单元，所述第一非门输入端 接第一场效应管漏极、第二场效应管源极及第三场效应管源极，第一非门输出接第二非门 输入端，第二非门输出端接D触发器的D端，D触发器的elk端接CLK信号，D触发器的输出 Q端接OUT信号。前述第一场效应管为PMOS管，第二、三、四、五场效应管采用NMOS管。 附图说明图1为现有技术中读取ROM单元的结构示意图；图2为本专利技术OTP EPROM读取电路图；图3为本专利技术一较佳实施例的结构示意图。具体实施例方式本专利技术中，在OTP EPROM工作过程中，为了保证OTP cell的寿命，同时也为了保证读取模式下的抗干扰能力，采用了如图2所述的电路实现OTP的读写该电路中，除了 Ml管 是PMOS管外，其余的四个都是NMOS管。方框中是OTP的一个单元，Word有效表示选中此 ROM单元。Data为从ROM矩阵输出的信号，OUT为整个的输出信号。READ_EN信号是读取 ROM空间信息的控制信号，低电平有效，锁存输出的CLK信号也是需要和这个信号配合的， 必须是想要读出的信号准备好了，CLK才有效。当READ_EN信号为低电平的时候，若要读出“0”信号，则Data的信号为低电平，Ml 管导通，同时或非门打开，将Data上的低电平传送到Xl点，给D触发器的输入端送低电平， 读出“0”信号。当要读出“1”信号的时候，Data是悬空的，从D触发器的输出端，读出“1”信号。READ_EN信号为高的时候，不对ROM空间进行读取操作，此高电平会使M5管导通， 从而保证Data线的电平为0。一般而言，在所有对ROM单元漏端电压有要求的集成电路中都可以使用上述的电 路。但上述的电路只是读取的部分，在可擦写的ROM中使用时可以与写入电路组合起来使 用。如图3所示，当读ROM空间时，数据从r0m_data出传送到D触发器的输入端，此时SEL 信号必须选择反相器通道的数据；当对ROM空间执行写操作的时候，SEL信号选择datajn 通道，将数据送到输入数据处理模块，在烧写的prog_en信号的配合下往ROM空间写入数 据。以上仅是本专利技术的具体应用范例，对本专利技术的保护范围不构成任何限制。凡采用 等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本专利技术权利保护范围之内。权利要求1.一种OTP EPROM读取电路，其特征在于，所述读取电路包括第一、二、三、四、五场效 应管，二输入与非们，第一、二非门，D触发器以及OTP cell单元，所述第一场效应管源极接 VDD,第一场效应管栅极与第二、第五场效应管栅极连接后再接READ_EN信号，第一场效应 管漏极与第二场效应管源极、第三场效应管源极连接，第三场效应管漏极与第五场效应管 源极、第四场效应管漏极连接后再接入Data信号，第四场效应管源极接VDD，第五场效应管 漏极接地，所述二输入与非门一个输入端为READ_EN信号，另一输入为Data信号，二输入与 非门输出接第三、第四场效应管的栅极，DATA信号接OTP cell单元，所述第一非门输入端 接第一场效应管漏极、第二场效应管源极及第三场效应管源极，第一非门输出接第二非门 输入端，第二非门输出端接D触发器的D端，D触发器的elk端接CLK信号，D触发器的输出 Q端接OUT信号。2.根据权利要求1所述的OTPEPROM读取电路，其特征在于，所述第一场效应管为PMOS 管，第二、三、四、五场效应管采用NMOS管。全文摘要一种OTP EPROM读取电路，包括第一～五场效应管，二输入与非们，第一、二非门，D触发器及OTP cell单元，第一场效应管源极接VDD，栅极与第二、第五场效应管栅极连接后再接READ_EN信号，漏极接第二、三场效应管源极，第三场效应管漏极与第四、五场效应管源极连接后再接Data信号，第四场效应管源极接VDD，第五场效应管漏极接地，二输入与非门一输入为READ_EN信号，另一输入为Data信号，二输入与非门输出接第三、四场效应管栅极，DATA信号接OTP cell，第一非门输入端接第一、二场效应管漏极及第三场效应管源极，第一非门输出接第二非门输入端，第二非门输出端接D触发器D端，D触发器的clk端接CLK信号，输出Q端接OUT信号。本专利技术可同时保证OTP cell的寿命和读取模式下的抗干扰能力。文档编号G11C17/08GK102005249SQ20101058663公开日2011年4月6日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日专利技术者张姗, 杜坦, 江猛, 谢卫国 申请人:苏州华芯微电子股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＯＴＰ　ＥＰＲＯＭ读取电路，其特征在于，所述读取电路包括第一、二、三、四、五场效应管，二输入与非们，第一、二非门，Ｄ触发器以及ＯＴＰ　ｃｅｌｌ单元，所述第一场效应管源极接ＶＤＤ，第一场效应管栅极与第二、第五场效应管栅极连接后再接ＲＥＡＤ＿ＥＮ信号，第一场效应管漏极与第二场效应管源极、第三场效应管源极连接，第三场效应管漏极与第五场效应管源极、第四场效应管漏极连接后再接入Ｄａｔａ信号，第四场效应管源极接ＶＤＤ，第五场效应管漏极接地，所述二输入与非门一个输入端为ＲＥＡＤ＿ＥＮ信号，另一输入为Ｄａｔａ信号，二输入与非门输出接第三、第四场效应管的栅极，ＤＡＴＡ信号接ＯＴＰ　ｃｅｌｌ单元，所述第一非门输入端接第一场效应管漏极、第二场效应管源极及第三场效应管源极，第一非门输出接第二非门输入端，第二非门输出端接Ｄ触发器的Ｄ端，Ｄ触发器的ｃｌｋ端接ＣＬＫ信号，Ｄ触发器的输出Ｑ端接ＯＵＴ信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江猛，张姗，谢卫国，杜坦，
申请(专利权)人：苏州华芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]