一种启动电压可调节的ＢＯＯＳＴ电路制造技术

一种启动电压可调节的ＢＯＯＳＴ电路，包括ＢＯＯＳＴ电路模块、ＴＬ５００１芯片、启动电压调整模块和ＭＯＳＦＥＴ驱动电路模块，所述启动电压调整模块包括，第七电阻Ｒ７、第八电阻Ｒ８、第九电阻Ｒ９、第四稳压二极管Ｄ４和第五三极管Ｑ５。所述ＢＯＯＳＴ电路，通过设计了启动电压调整电路模块，可以将整个ＢＯＯＳＴ电路的启动电源电压提高到需要电压值，使电路在输入电源电压到达设定电压段以上开始工作，低于设定电压停止工作，减小了启动输入电流，不会造成电路被锁死。同时，通过设计了ＭＯＳＦＥＴ驱动电路模块，其电路设计简单易行，驱动效率高，成本低，克服了ＴＬ５００１在ＢＯＯＳＴ电路中的驱动电路复杂和高成本的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，具体来说涉及TL5001控制芯片在BOOST电路(开关直 流升压电路，它的特点是其输出电压可以比输入电压高)中的运用，特别适合在汽车电子 领域。
技术介绍
TL5001是TI (德州仪器)早期推出的一款开关直流/直流控制芯片，芯片引脚图 如图1所示。其工作电压范围在3.6V-40V，最高频率高达500KHZ，可以作为PWM控制芯片， BUCK电路(降压式变换电路)、BOOST电路的控制芯片，具有很高的性价比，曾经在液晶显 示器的电源控制方面就得到广泛运用，由于TI又推出汽车级的控制芯片TL5001-Q，使其能 够在迅猛发展的汽车电子领域施展拳脚。TL5001在BOOST电路的运用中，存在两个技术难点，一、TL5001最低工作电压为3. 6V，在BOOST的升压电路中，往往在3. 6V时并不具 备升压的条件。二 . TL5001输出端的驱动方式，由于其输出采用的是三极管集电极输出方式，需 要将输出信号反向后，再推动后端的主M0SFET，而不能象别的控制芯片那样可以直接驱动 M0SFET，如果TL5001输出端接专用驱动芯片，就不再具有价格优势。在电源电压很低时升压会造成很大的启动电流，发生启动电流过冲现象，这会引 起电路工作不稳定，同时也会影响到周边电器的正常工作。如果3. 6V升压功能启动，但没有达到预期电压或电流值，TL5001的保护功能将动 作，这时TL5001将被内部锁死，故而在电源电压从低到高缓慢上升时，会发生电路不工作 现象，这在汽车控制电器中是不允许的，各大整车厂都有关于电源电压缓慢上升和下降的 试验规定。专利技术内容本专利技术要解决的技术问题是提供一种启动电压可调节的BOOST电路，其可以将 整个BOOST电路的启动电源电压提高到需要电压值，使电路在输入电源电压到达设定电压 段以上开始工作，低于设定电压停止工作，从而减小了启动输入电流，不会造成电路被锁 死，随着输入电源电压的高低变化，系统的工作和关断状态可以自动往复。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种启动电压可调节的BOOST电路，包括电 源VCC、BOOST电路模块、TL5001芯片和启动电压调整模块，所述BOOST电路模块包括电感 Li、第一二极管D1、第一 NMOS管Ql和第一电容Cl，所述电感Ll的一端接电源VCC，另一端 与二极管Dl的正极和第一 NMOS管Ql的漏极连接，第一 NMOS管Ql的源极接地，所述二极 管Dl的负极与第一电容Cl连接，第一电容Cl的另一端接地，，二级管D4的负极和第十电 阻RlO —端连接后与TL5001芯片的4脚连接，第十电阻RlO的另一端接地.所述启动电压 调整模块包括，第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第四稳压二极管D4和第五三极管Q5，其中，所述第七电阻R7 —端和第八电阻R8 —端连接后与电源VCC相连，第七电阻R7的 另一端与第四稳压二极管D4的负极相连并与第五三极管Q5的发射极连接，第四稳压二极 管D4的正极接地，第八电阻R8的另一端与第九电阻R9 —端相连并与第五三极管Q5的基 极连接，第九电阻R9的另一端接TL5001芯片的1脚，第五三极管Q5的集电极接TL5001芯 片的4脚。根据本专利技术所述的BOOST电路，较好的是所述BOOST电路还包括MOS管驱动电路 模块所述MOS管驱动电路模块包括第五电阻R5、第六电阻R6、第十一电阻R11、第三稳压二 极管D3、第二三极管Q2、第三三极管Q3和第四三极管Q4，其中，所述第五电阻R5 —端接第 二三极管Q2的基极和TL5001芯片的第一管脚，第五电阻R5的另一端与第六电阻R6 —端 和第三三极管Q3的集电极连接，第六电阻R6的另一端与第二三极管Q2的集电极、第三三 极管Q3的基极、第四三极管Q4的基极和第三稳压二极管D3的负极连接，第二三极管Q2的 发射极与第三稳压二极管D3的正极和第四三极管Q4的集电极连接后接地，第三三极管Q3 的发射极与第四三极管Q4的发射极和第十一电阻Rll —端连接，第十一电阻Rll的另一端 与第一三极管Ql的栅极相连。根据本专利技术所述的BOOST电路，较好的是所述BOOST电路还包括电流或电压反馈 回路模块，所述电流或电压反馈回路模块与第二二极管D2的正极相连后接TL5001芯片的第四管脚。本专利技术的有益效果为1、在本专利技术所述BOOST电路中，设计了启动电压调整电路模块，通过调整电路参 数，给反馈电路一个虚拟的负载电流，可以将整个BOOST电路的启动电源电压提高到需要 电压值，使电路在输入电源电压到达设定电压段以上开始工作，低于设定电压停止工作，减 小了启动输入电流，不会造成电路被锁死，随着输入电源电压的高低变化，系统的工作和关 断状态可以自动往复。同时，由于BOOST电路和电压调整电路模块交替工作，这样可以使 BOOST电路工作后的负载恒定电压值和电流值不会因为启动电压调整电路模块的存在而受 到影响。2、在本专利技术所述BOOST电路中，设计了 MOSFET驱动电路模块，其电路设计简单易 行，驱动效率高，成本低，克服了 TL5001在BOOST电路中的驱动电路复杂和高成本的问题。 通过MOSFET驱动电路模块将TL5001输出信号反向后在TTL器件与MOSFET之间产生足够 的开通和关断的米勒效应(米勒效应，Miller effect，是在电子学中，反相放大电路中，输 入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会 扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数)所要求的电流，而且可以使MOSFET的 驱动信号限制在MOSFET管的安全触发电压范围，保证MOSFET管在外部电源变动下仍然能 够安全工作。附图说明图1为TL5001芯片引脚图2为本专利技术所述启动电压可调节的BOOST电路框图3为图2所示BOOST电路中启动电压调整模块电路原理图4为图2所示BOOST电路中MOS管驱动电路模块电路原理图。具体实施方式以下，用实施例结合附图对本专利技术作更详细的描述。本实施例仅仅是对本专利技术最 佳实施方式的描述，并不对本专利技术的范围有任何限制。如图1所示，为TL5001芯片引脚图，其管脚1为PWM输出，管脚1为芯片电源+， 管脚3为补偿反馈，管脚4为反馈信号，此电压高于IV后1脚将不再输出PWM信号。管脚 5为短路保护，当芯片输出PWM信号后，当管脚4没有电压信号，将触发短路保护动作，锁死 芯片功能。管脚6为最高占空比限制，管脚7为工作频率调整，管脚8为GND。实施例如图2和图3所示，所述启动电压可调节的BOOST电路包括电源VCC、BOOST电路 模块、TL5001芯片和启动电压调整模块，所述BOOST电路模块包括电感Li、第一二极管D1、 第一 NMOS管Ql和第一电容Cl，所述电感Ll的一端接电源VCC，另一端与二极管Dl的正极 和第一 NMOS管Ql的漏极连接，第一 NMOS管Ql的源极接地，所述二极管Dl的负极与第一 电容Cl连接后,，第一电容Cl的另一端接地，，二级管D4的负极和第十电阻RlO —端连接后 与TL5001芯片的4脚连接，第十电阻RlO的另一端接地.所述启动电压调整模块包括，第 七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第四稳压二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种启动电压可调节的ＢＯＯＳＴ电路，其特征在于：其包括电源ＶＣＣ、ＢＯＯＳＴ电路模块、ＴＬ５００１芯片和启动电压调整模块，其中，所述ＢＯＯＳＴ电路模块包括电感Ｌ１、第一二极管Ｄ１、第一ＮＭＯＳ管Ｑ１和第一电容Ｃ１，所述电感Ｌ１的一端接电源ＶＣＣ，另一端与二极管Ｄ１的正极和第一ＮＭＯＳ管Ｑ１的漏极连接，第一ＮＭＯＳ管Ｑ１的源极接地，所述二极管Ｄ１的负极与第一电容Ｃ１连接，第一电容Ｃ１的另一端接地，二级管Ｄ４的负极和第十电阻Ｒ１０一端连接后与ＴＬ５００１芯片的４脚连接，第十电阻Ｒ１０的另一端接地，所述启动电压调整模块包括，第七电阻Ｒ７、第八电阻Ｒ８、第九电阻Ｒ９、第四稳压二极管Ｄ４和第五三极管Ｑ５，所述第七电阻Ｒ７一端和第八电阻Ｒ８一端连接后与电源ＶＣＣ相连，第七电阻Ｒ７的另一端与第四稳压二极管Ｄ４的负极相连并与第五三极管Ｑ５的发射极连接，第四稳压二极管Ｄ４的正极接地，第八电阻Ｒ８的另一端与第九电阻Ｒ９一端相连并与第五三极管Ｑ５的基极连接，第九电阻Ｒ９的另一端接ＴＬ５００１芯片的１脚，第五三极管Ｑ５的集电极接ＴＬ５００１芯片的４脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：夏盛，
申请(专利权)人：上海小糸车灯有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]