【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术之揭示系有关微结构制造之领域，且尤系有关一种根据纳米压印技术(nano imprint technique)而界定微结构特征之方法。
技术介绍
诸如集成电路等的微结构之制造需要在诸如硅衬底等适当的衬底 的材料层中形成具有精确控制尺寸之微小区域。藉由图案化材料层， 例如藉由执行微影及蚀刻工艺，而产生这些具有精确控制尺寸之微小 区域。为达到此一目的，在传统的半导体技术中，系在所考虑的材料 层之上形成掩膜层(mask layer),以便先在该掩膜层中界定这些微小区 域。 一般而言，掩膜层可包含以诸如光微影工艺的微影工艺图案化之 光阻层，或利用该光阻层形成该掩膜层。在一般的微影工艺期间，可 以旋转涂布法将光阻涂布在晶圆表面上，然后以紫外线辐射将光阻选 择性地曝光。在将光阻显影之后，将根据光阻的类型是正光阻或负光 阻而去除曝光部分或未曝光部分，以便在该光阻层中形成所需的图案。 因为复杂的集成电路中之图案的尺寸不断地减小，所以用来产生装置 特征的图案之设备必须满足与所涉及的工艺的分辨率及叠对准确度 (overlay accuracy)有关之严格要求。在这一点上，...
【技术保护点】
一种方法，包括下列步骤： 将通孔开孔及沟槽共同地压印到在衬底之上形成的可被模制的材料层中，该通孔开孔及该沟槽对应于微结构装置的金属化结构的特征；以及 根据该通孔开孔及该沟槽而形成通孔及导线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：R塞德尔，C彼得斯，F福斯特尔，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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