含碳基板的图案化方法技术

本发明专利技术公开了一种含碳基板的图案化方法。含碳基板的图案化方法包括以下步骤：提供一含碳基板。于一常压下，以一等离子气体产生一大气等离子。等离子气体包含一氧气。以大气等离子蚀刻含碳基板。本发明专利技术的含碳基板的图案化方法，其利用由含氧的大气等离子来蚀刻含碳基板，使得含碳基板的图案化工艺可以增加速率且更加便利。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基板的图案化方法，且尤其涉及一种。
技术介绍
含碳基板由于具有高导电性、高强度及可挠性等特性，近年来逐渐受到重视。若在 含碳基板上刻画晶体管等电路图案，而制作成纳米碳管透明导电膜(Transparent Carbon Nanotube-based Thin Film)，更可具有多点触控的效果。在纳米碳管透明导电膜可以达到 85%透光度、200 Ω/Sq的情况下，已经可以应用于各式电子产品的触控面板上。传统半导体工艺是利用微影、湿蚀刻等工艺来形成电路。然而，含碳基板的耐腐蚀 性相当好，使得含碳基板的图案化工艺相当的复杂且费时。因此，含碳基板的制造成本一直 无法有效地下降，而无法广泛地应用在各式电子产品。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种，其利用由含氧 的大气等离子来蚀刻含碳基板，使得含碳基板的图案化工艺可以增加速率且更加便利。根据本专利技术的一方面，提出一种。 包括以下步骤提供一含碳基板。于一常压下，以一等离子气体产生一大气等离子。等离子 气体通常包含氧气、氮气、氩气及干净压缩空气(CDA)。以大气等离子蚀刻含碳基板。其中，在提供该含碳基板的该步骤中，该含碳基板为一纳米碳管透明导电膜。其中，在提供该含碳基板的该步骤中，该含碳基板为一透明导电高分子所制成的 导电膜。其中，在产生该大气等离子的该步骤之前，该图案化方法还包括提供一无机材质 掩模，该无机材质掩模具有一镂空图案；以及将该无机材质掩模贴附于该含碳基板之上，该 镂空图案暴露部分的该含碳基板。其中，在提供该无机材质掩模的该步骤中，该无机材质掩模的材质为金属、陶瓷或 玻璃。其中，在提供该无机材质掩模的该步骤中，该镂空图案以一机械的方式加工而成。其中，在提供该无机材质掩模的该步骤中，该镂空图案以一激光加工而成。其中，在蚀刻该含碳基板的该步骤之后，该图案化方法还包括将该无机材质掩模 自该含碳基板移除。其中，在产生该大气等离子的该步骤中，该等离子气体还包含一氮气。其中，在产生该大气等离子的该步骤中，该等离子气体为一干净压缩空气。其中，在产生该大气等离子的该步骤中，该大气等离子以一电弧喷射式等离子产 生器所产生。 其中，在产生该大气等离子的该步骤中，该大气等离子以一非热介电质放电等离 子产生器所产生。其中，在产生该大气等离子的该步骤中，该大气等离子为一点状大气等离子。其中，在产生该大气等离子的该步骤中，该大气等离子为一线状大气等离子。其中，在蚀刻该含碳基板的该步骤中，该大气等离子以扫瞄的方式蚀刻该含碳基 板。其中，在蚀刻该含碳基板 的该步骤中，该大气等离子与该含碳基板产生一化学反 应，以使接触该大气等离子的部分的含碳基板形成一反应气体。采用本专利技术的，可使得含碳基板的图案化工艺可以增加速 率且更加便利。附图说明图1绘示一种的流程图；以及图2 图7绘示图1的各步骤的示意图。其中，附图标记100 含碳基板300 无机材质掩模300a 上表面300b 下表面310 镂空图案310a:内侧壁500:大气等离子具体实施例方式以下提出一实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并不会限缩本发 明欲保护的范围。此外，实施例中的图式省略不必要的元件，以清楚显示本专利技术的技术特点ο请参照图1及图2 图7，图1绘示一种含碳基板100的图案化方法的流程图，图 2 图7绘示图1的各步骤的示意图。首先，在步骤S102中，如图2所示，提供一含碳基板100。在本实施例中，含碳基板 100 是以一纳米碳管透明导电膜(Transparent CarbonNanotube-based Thin Film)为例 作说明。纳米碳管透明导电膜的光学特性与氧化铟锡薄膜(Indium Tin Oxide Film, ITO Film)相近。并且纳米碳管透明导电膜有很高的导电率，因此，可以制成高度透明但又导电 的薄膜。所以，纳米碳管透明导电膜可以应用在显示器、太阳能电池等需要透明电极的电子 装置中，或是用在可挠式晶体管及感应器等光电元件中。另外，在提供该含碳基板的该步骤 中，该含碳基板也可为透明导电高分子所制成的导电膜(TransparentConductive Polymer Film)。接着，在步骤S104中，如图3所示，提供一无机材质掩模300，此一无机材质掩模可 为例如一、金属如不绣钢、铁合金、钛合金及铝合金等素材或经表面处理的素材；二、陶瓷 材料如氧化铝、氧化锆、氧化珪等；三、玻璃。无机材质掩模300具有一镂空图案310。镂空 图案310即为含碳基板100预定蚀刻的图案。其中，镂空图案310贯穿无机材质掩模300的上表面300a及下表面300b。其中，镂空图案310的内侧壁310a为陡峭侧壁，以方便后续步骤的大气等离子500 (绘示于图5)穿越。在步骤S104中，无机材质掩模300的镂空图案310以一机械的方式或一化学方式 蚀刻而成，例如是以一激光加工而成、一刀具切割或微影蚀刻而成。由于镂空图案310的内 侧壁310a为陡峭侧壁，因此，在此步骤S104可以机械方式来加工制作，而不需要采用射出 成型等复杂的方式。然后，在步骤S106中，如图4所示，将无机材质掩模300贴附于含碳基板100之上， 镂空图案310暴露部分的含碳基板100。无机材质掩模300可以接触含碳基板100也可不 接触含碳基板100，端看后续蚀刻工艺的精准度。无机材质掩模300接触含碳基板100时， 可以一可脱离式粘胶(或胶带)来固定，或采用机械定位元件等方式来固定。如上述步骤S104及S106所述，无机材质掩模300的材质不是半导体工艺中所采 用的图案化光刻胶或图案化氮化硅(Silicon Nitride)。并且，在无机材质掩模300移至含 碳基板100之上前，无机材质掩模300已经形成了镂空图案310，无机材质掩模300并不是 在贴附于含碳基板100之上后才形成镂空图案310。所以，无机材质掩模300的镂空图案310的蚀刻工艺独立完成后，同一片无机材质 掩模300可以重复使用于多个含碳基板100。接着，在步骤S108中，如图5所示，于一常压下，以一等离子气体产生一大气等离 子500。常压例如是一大气压或接近于一大气压。大气等离子500在成本上具有绝对的优势。在设备成本上，大气等离子500不需 使用昂贵及笨重的真空设备。在工艺上，待处理物可以不受真空腔体的限制，并可以进行连 续式的程序。这些特色都可有效地降低产品的制造成本。就产生大气等离子500的等离子气体的成分而言，等离子气体至少包含一氧气， 例如是一纯氧气、一氮氧混合气体或一干净压缩空气(Clean Dry Air，CDA)。就产生大气等离子500的装置而言，大气等离子500例如是由一电弧喷射式 (ArcJet)等离子产生器所产生或一非热介电质放电(Dielectric BarrierDischarges, DBD)等离子产生器所产生。就大气等离子500的形式而言，大气等离子500例如是一点状大气等离子或一线 状大气等离子。然后，在步骤SllO中，如图6所示，以大气等离子500蚀刻含碳基板。在蚀刻的过 程是以无机材质掩模300为遮蔽物，仅蚀刻暴露于镂空图案310的部分的含碳基板100。如上所述，本实施例的大气等离子500例如是点状或线状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含碳基板的图案化方法，其特征在于，包括：提供一含碳基板；于一常压下，以一等离子气体产生一大气等离子，该等离子气体包含一氧气；以及以该大气等离子蚀刻该含碳基板。

【技术特征摘要】
US 2009-9-25 12/566,9241.一种含碳基板的图案化方法，其特征在于，包括提供一含碳基板；于一常压下，以一等离子气体产生一大气等离子，该等离子气体包含一氧气；以及以该大气等离子蚀刻该含碳基板。2.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在提供该含碳基板的该步骤中，该 含碳基板为一纳米碳管透明导电膜。3.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在提供该含碳基板的该步骤中，该 含碳基板为一透明导电高分子所制成的导电膜。4.根据权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在产生该大气等离子的该步骤之 前，该图案化方法还包括提供一无机材质掩模，该无机材质掩模具有一镂空图案；以及将该无机材质掩模贴附于该含碳基板之上，该镂空图案暴露部分的该含碳基板。5.根据权利要求4所述的图案化方法，其特征在于，在提供该无机材质掩模的该步骤 中，该无机材质掩模的材质为金属、陶瓷或玻璃。6.根据权利要求4所述的图案化方法，其特征在于，在提供该无机材质掩模的该步骤 中，该镂空图案以一机械的方式加工而成。7.根据权利要求4所述的图案化方法，其特征在于，在提供该无机材质掩模的该步骤 中，该镂空图案以一激光加工而成。8.根据权利要求4所述的图案化方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张加强，吴清吉，黄淑娟，许文通，胡志明，郭信良，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]