厚膜电阻版图设计装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及厚膜电阻版图设计装置，包括输入装置、ＣＰＵ、存储器和输出装置，其特征在于：存储器中设有：（１）厚膜电阻版图设计数据库，（２）参数输入模块，包括：ａ、端头导体材料选择模块，；ｂ、电阻浆料方阻选择模块；ｃ、厚膜电阻宽度选择模块；ｄ、厚膜电阻目标值选择模块；（３）功能运算模块，包括：ａ、Ｎ.Ｌ的理论值计算模块；ｂ、Ｎ.Ｌ值查找模块；ｃ、Ｎ.Ｌ值比较模块；ｄ、电阻设计长度值输出模块。本发明专利技术创造的优点在于能迅速得出各种厚膜电阻设计尺寸，削除电阻端头效应影响，同时解决因Ｎ取值不同而导致设计偏差，使厚膜电路版图设计技术水平得到提高。本发明专利技术达到的效果是保证了厚膜电阻在实际加工时阻值一致性，使同样阻值电阻在不同导体端头搭接时的电阻阻值之间偏差小于５％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及厚膜集成电路版图设计
，特别涉及用于厚膜集成电路版图电 阻设计的装置。
技术介绍
厚膜电阻的衬底为陶瓷基片，陶瓷基片上设置的电阻两端电极为导体，电阻表面 覆盖一层玻璃釉。根据厚膜电阻浆料生产厂家提供的厚膜电阻设计曲线图进行设计。厚膜 电阻设计曲线图是在厚膜电阻宽度为Imm的情况下得出的，其中X轴为厚膜电阻长度，Y轴 为变化系数N，具体见附图2。厚膜电阻设计计算公式电阻值R = I^ ·Ν WWh方阻Rd 是厚膜电阻在电阻干厚膜为25 μ m下的电阻率，N为变化系数，L为厚膜电阻长度，W为厚膜 电阻宽度。根据电阻设计曲线图当电阻宽度W= Imm时，电阻长度L为Imm时，N值为1 ； 电阻长度L为2mm时，N值约为1. 4 ；电阻长度L为3mm时，N值约为1.6。常规厚膜集成电路版图电阻设计技术存在以下问题厚膜集成电路版图设计人员 在使用电阻设计曲线时，因厚膜电阻存在端头效应可产生多种设计曲线，每个版图设计人 员对这些电阻设计曲线中进行N取值时都有所不同，导致其设计出来的电阻长宽尺寸也会 不一样，从而造成厚膜电阻在实际加工时电阻阻值产生偏差。要想使设计出来的电阻一致本文档来自技高网...

【技术保护点】
厚膜电阻版图设计装置，包括输入装置、ＣＰＵ、存储器和输出装置，其特征在于：存储器中设有：厚膜电阻版图设计数据库，它包括：ａ、导体浆料端头效应曲线子数据库：钯银导体浆料端头效应曲线子数据库、金导体浆料端头效应曲线子数据库、铂银导体浆料端头效应曲线子数据库、银导体浆料端头效应曲线子数据库；ｂ、厚膜电阻浆料子数据库：在每个导体浆料端头效应曲线子数据库中，分别建立六个方阻的厚膜电阻浆料对应的导体端头效应曲线子数据库：六个方阻包括１０Ω／□、１００Ω／□、１ｋΩ／□、１０ｋΩ／□、１００ｋΩ／□、１ＭΩ／□；ｃ、电阻宽度子数据库：在每个厚膜电阻浆料子数据库中分别建立两个电阻宽度的端头效应曲线子数据库：包...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尤广为，王守政，鲍秀峰，钱嵘卫，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]