一种非晶硅电池的简便绝缘处理方法技术

本发明专利技术涉及一种非晶硅电池的简便绝缘处理方法，处理方法的步骤是：（１）原材料准备；（２）溶液配制：称取于烧杯中，将去离子水倒入含有的烧杯中，再向烧杯中滴加１５－２０滴稀盐酸，即形成水溶液；（３）样品绝缘处理：室温条件下，将待绝缘电池片放置于平整的操作台上，并将其固定；（４）绝缘处理：取配制好的水溶液，沿一定的宽度将其均匀涂抹在电池板的铝膜上，２－３ｍｉｎ之后，用去离子水将电池片上残留的溶液清除掉，并用丝布将电池片擦拭干净，防止电池片被深度腐蚀。本发明专利技术通过一种较为简便的方式实现了对非晶硅太阳电池片进行边绝缘处理，具有较好的绝缘效果、简易的操作方式和低成本等优势，对非常规电池板的研发生产具有极大优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏发电应用
，尤其是一种非晶硅电池的简便绝缘处理方 法。
技术介绍
对于非晶硅太阳电池而言，边上绝缘电阻很重要。通常的绝缘方法为采用喷砂的 方式将电池边缘一定区域内的薄膜清除掉，使之形成一个绝缘区域。目前应用较为前沿的 是采用激光刻划设备对电池板进行边绝缘，此方法可以大大提高非晶硅薄膜太阳能电池的 生产效率与自动化程度，适用于大规模的生产。但对于日常实验用电池板或非常规电池板 而言，此两种方法均显不够简便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种非晶硅电池的简便绝缘处 理方法，该方法方便快捷，能够快速实现非常规电池板的边绝缘处理。本专利技术解决其技术问题是采取以下技术方案实现的，处理方法的步骤是(1)原材料准备电池片、FeCl3. 6H20、稀盐酸、去离子水、量筒、烧杯；(2)溶液配制称取于烧杯中，将去离子水倒入含有的烧杯中，再向烧杯中滴加 15-20滴稀盐酸，即形成水溶液；(3)样品绝缘处理室温条件下，将待绝缘电池片放置于平整的操作台上，并将其 固定；(4)绝缘处理取配制好的水溶液，沿一定的宽度将其均勻涂抹在电池板的铝膜 上，2-3min之后，用去离子水将电池片上残留的溶液清除掉，并用丝布将电池片擦拭干净， 防止电池片被深度腐蚀。而且，所述!^eCl3. 6H20与去离子水的质量比为1 3_4。本专利技术的优点和积极效果是1、本专利技术采用FeCl3水溶液作为太阳电池片的边缘绝缘处理物质，能够确保非晶 硅太阳电池片的边绝缘效果，且在该溶液中添加H+以防水解。2、本专利技术通过一种较为简便的方式实现了对非晶硅太阳电池片进行边绝缘处理， 具有较好的绝缘效果、简易的操作方式和低成本等优势，对非常规电池板的研发生产具有 极大优势。具体实施例方式下面通过具体实施例对本专利技术作进一步详述，以下实施例只是描述性的，不是限 定性的，不能以此限定本专利技术的保护范围。，步骤是(1)原材料准备电池片、FeCl3. 6H20、稀盐酸、去离子水、250ml量筒、2000ml烧杯、天平、手套、刷子、玻璃棒、胶头滴管。(2)溶液配制称取135.6H20置于2000ml的烧杯中，用量筒量取500ml 去离子水，倒入含有!^Cl3. 6H20的烧杯中。由于!^3+离子在水溶液中极不稳定，因此需要 在溶液的配制过程中加入相应的酸来抑制该离子的水解，针对本方案，加入的酸为盐酸，具 体措施为向I^eCl3水溶液中滴加15-20滴稀盐酸，所配成的溶液即为盐酸稳定的!^eCl3水溶 液。(3)样品绝缘处理室温条件下，将待绝缘电池片放置于平整的操作台上，并将其 固定。(4)取配制好的FeClyK溶液，沿一定的宽度将其均勻涂抹在电池板的铝膜上， 2-3min之后，用去离子水将电池片上残留的溶液清除掉，并用丝布将电池片擦拭干净，防止 电池片被深度腐蚀。权利要求1.，其特征在于处理方法的步骤是(1)原材料准备电池片、FeCl3.6H20、稀盐酸、去离子水、量筒、烧杯；(2)溶液配制称取于烧杯中，将去离子水倒入含有的烧杯中，再向烧杯中滴加15-20 滴稀盐酸，即形成水溶液；(3)样品绝缘处理室温条件下，将待绝缘电池片放置于平整的操作台上，并将其固定；(4)绝缘处理取配制好的水溶液，沿一定的宽度将其均勻涂抹在电池板的铝膜上， 2-3min之后，用去离子水将电池片上残留的溶液清除掉，并用丝布将电池片擦拭干净，防止 电池片被深度腐蚀。2.根据权利要求1所述的非晶硅电池的简便绝缘处理方法，其特征在于所述 FeCl3. 6H20与去离子水的质量比为1 3-4。全文摘要本专利技术涉及，处理方法的步骤是(1)原材料准备；(2)溶液配制称取于烧杯中，将去离子水倒入含有的烧杯中，再向烧杯中滴加15-20滴稀盐酸，即形成水溶液；(3)样品绝缘处理室温条件下，将待绝缘电池片放置于平整的操作台上，并将其固定；(4)绝缘处理取配制好的水溶液，沿一定的宽度将其均匀涂抹在电池板的铝膜上，2-3min之后，用去离子水将电池片上残留的溶液清除掉，并用丝布将电池片擦拭干净，防止电池片被深度腐蚀。本专利技术通过一种较为简便的方式实现了对非晶硅太阳电池片进行边绝缘处理，具有较好的绝缘效果、简易的操作方式和低成本等优势，对非常规电池板的研发生产具有极大优势。文档编号H01L31/20GK102074619SQ20101058357公开日2011年5月25日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日专利技术者崔兆娜, 赵宗芳 申请人:天津市津能电池科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅电池的简便绝缘处理方法，其特征在于：处理方法的步骤是：（１）原材料准备：电池片、ＦｅＣｌ↓［３］．６Ｈ↓［２］Ｏ、稀盐酸、去离子水、量筒、烧杯；（２）溶液配制：称取于烧杯中，将去离子水倒入含有的烧杯中，再向烧杯中滴加１５－２０滴稀盐酸，即形成水溶液；（３）样品绝缘处理：室温条件下，将待绝缘电池片放置于平整的操作台上，并将其固定；（４）绝缘处理：取配制好的水溶液，沿一定的宽度将其均匀涂抹在电池板的铝膜上，２－３ｍｉｎ之后，用去离子水将电池片上残留的溶液清除掉，并用丝布将电池片擦拭干净，防止电池片被深度腐蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宗芳，崔兆娜，
申请(专利权)人：天津市津能电池科技有限公司，
类型：发明
国别省市：12[]