层间绝缘膜和布线结构以及它们的制造方法技术

本发明专利技术使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜，所述绝缘性涂布膜具有２．５以下的介电常数ｋ，且由通式（（ＣＨ３）ｎＳｉＯ２－ｎ／２）ｘ（ＳｉＯ２）１－ｘ（式中，ｎ＝１～３、ｘ≤１）所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜不反映基底的凹凸，是平坦的，而且，经热处理的膜的表面粗糙度以Ｒａ计为１ｎｍ以下，以Ｐ－Ｖ值计为２０ｎｍ以下。含有绝缘性涂布膜的层间绝缘膜无需ＣＭＰ工艺，仅通过蚀刻就可以形成布线结构及电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体元件、半导体芯片搭载基板、布线基板等基板的多层布线结构，特别是层间绝缘膜的结构，还涉及具有该多层布线结构的半导体装置、布线基板、和含有它们的电子装置。进而，本专利技术涉及该多层布线结构的制造方法、以及具有该多层布线结构的半导体装置、布线基板、和含有它们的电子装置的制造方法。
技术介绍
以往，为了使半导体基板等上的多层布线结构中的布线层间绝缘，而形成有层间绝缘膜。 在采用这样的多层布线结构的半导体装置中，无法忽视由布线间的寄生电容和布线电阻所导致的信号延迟问题，要求采用具有低电容率(Low-k)的层间绝缘膜。 作为这种低电容率(Low-k)的材料，氟碳膜受到关注。另外，能在层间绝缘膜中使用的氟碳膜在专利文献1中被提出来。专利文献1公开了通过使用具有1个以上双键、或者1个三键的成膜气体来形成由氟碳聚合物构成的层间绝缘膜，而能控制膜密度的技术方案。还公开了分子结构具有1个双键的氟碳系的成膜气体容易在等离子体中解离，能够形成高密度且平坦的膜的技术方案。另一方面，公开了使用分子结构具有三键的成膜气体而形成的氟碳聚合物膜，是兼具密度高的性质和硬的性质的膜。 另一方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层间绝缘膜，其特征在于，被设置在下部电极、或布线层与上部布线层之间，至少部分含有介电常数ｋ为２．５以下的绝缘性涂布膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，松冈孝明，井口敦智，绵贯耕平，小池匡，足立龙彦，
申请(专利权)人：国立大学法人东北大学，东京毅力科创株式会社，宇部兴产株式会社，宇部日东化成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]