显示器件及具有该显示器件的电子设备及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种包括电特性高、能够实现截止电流的降低的薄膜晶体管的显示器件。具有薄膜晶体管的该显示器件包括：衬底；设置在该衬底上的栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘膜；设置在栅电极上的微晶半导体膜，栅电极与微晶半导体层之间插入有栅极绝缘膜；设置在微晶半导体膜上且与该微晶半导体膜接触的沟道保护层；设置在栅极绝缘膜以及微晶半导体膜和沟道保护层的侧面上的非晶半导体膜；设置在非晶半导体膜上的杂质半导体层；以及设置在杂质半导体层上且与该杂质半导体层接触的源电极及漏电极。非晶半导体膜的厚度大于微晶半导体膜的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种显示器件及使用该显示器件的电子设备。本专利技术特别涉及一种将薄膜晶体管用于像素部的显示器件及使用该显示器件的电子设备。
技术介绍
近年来，将使用形成于具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜(厚度为几nm至几百nm左右)构成薄膜晶体管的技术投入实用到很多电子设备中。特别地，薄膜晶体管已作为显示器件的像素部中的开关元件被投入实用，而且其研究开发已积极开展。 在大型面板中使用非晶半导体膜的薄膜晶体管作为液晶显示器件的开关元件，而在小型面板中使用多晶半导体膜的薄膜晶体管作为液晶显示器件的开关元件。作为形成多晶半导体膜的方法，已知通过光学系统将脉冲振荡的受激准分子激光束变形成线状激光束、并利用该线状激光束扫描并辐照非晶半导体膜以使非晶半导体膜结晶的技术。 作为图像显示器件的开关元件，使用了利用微晶半导体膜的薄膜晶体管(参考文献1 :日本已公开专利申请No. H4-242724,参考文献2 :日本已公开专利申请No. 2005-49832，以及参考文献3 :美国专利No. 5591987)。另外，作为以提高非晶半导体膜的特性为目的的用于制造薄膜晶体管的方法，已知在栅极绝缘膜上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括薄膜晶体管的显示器件，包括：设置在衬底上的栅电极；设置在所述栅电极上的栅极绝缘膜；设置在所述栅电极上的微晶半导体膜，所述栅电极与所述微晶半导体膜之间插入有所述栅极绝缘膜；设置在所述微晶半导体膜上且与所述微晶半导体膜接触的沟道保护层；设置在所述栅极绝缘膜上以及所述微晶半导体膜和所述沟道保护层的侧面上的非晶半导体膜；设置在所述非晶半导体膜上的杂质半导体层；以及设置在所述杂质半导体层上且与所述杂质半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述非晶半导体膜的厚度大于所述微晶半导体膜的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林聪，宫口厚，守屋芳隆，黑川义元，河江大辅，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]