一种近紫外光激发单一基质白光荧光粉及其制备方法技术

本发明专利技术属于发光材料领域，公开了一种近紫外光激发单一基质白光荧光粉。其分子式为分子式为：Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋。称取称取ＣａＣＯ３６８０－７５０ｇ、ＭｇＯ３５－４５ｇ、ＳｉＯ２２２０－２５０ｇ、ＣａＣｌ２.２Ｈ２Ｏ１４０－１５０ｇ、Ｅｕ２Ｏ３７－１５ｇ、ＭｎＣＯ３１－５ｇ；各原料重量比为：ＣａＣＯ３５５－６５％，ＭｇＯ　３－６％，ＳｉＯ２１８－２５％，ＣａＣｌ２.２Ｈ２Ｏ　８－１６％，Ｅｕ２Ｏ３１－５％，ＭｎＣＯ３０．５－２％；制备方法为高温固相法。各原料优选重量比为ＣａＣＯ３∶ＳｉＯ２∶ＣａＣｌ２.２Ｈ２Ｏ１∶Ｅｕ２Ｏ３∶ＭｎＣＯ３＝０．５７５∶０．０３３∶０．２２∶０．１４∶０．０２∶０．０１２。此荧光粉能高效地被３６５ｎｍ近紫外光激发，呈现三个发射光谱，分别为４２６ｎｍ、５２３ｎｍ、５８５ｎｍ，发出高效白光，稳定性好、发光强度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于发光材料领域，特别涉及一种近紫外光激发单一基质白光荧光粉及其 制备方法。
技术介绍
生产白光LED的技术目前主要有两种，一是利用超高亮度In-GaN蓝色LED，其管芯 上加上少许的钇铝石榴石(YAG)为主体的荧光粉。In-GaN芯片发蓝光，YAG荧光粉受此蓝 光激发后发出黄色光。芯片透出的蓝光和荧光粉的黄光混合在一起，形成白光；二是三基色 原理和目前已能生产的红、绿、蓝三种超高亮度LED按光强1 2 0.38比例混合而成白 色。第一种其白光是由发光粉的黄色荧光与LED芯片的蓝光混合而成，稳定性较好， 但其发光较刺眼、显色指数太低只82左右，在对显示物体颜色高的场合无法使用。而第二种采用近紫外光InGaN管芯激发红、绿、蓝三基色荧光粉实现白光LED比第 一种好。由于近紫外光对肉眼不可见，这类白光LED的颜色只由荧光粉决定。然而如果采 用多相荧光粉来实现白光，则荧光粉混合物之间将存在颜色再吸收和配比调控问题，流明 效率和色彩还原性能受到较大影响。还有一种方法采用近紫外光InGaN管芯激发一种单一基质白色荧光粉来实现白 光，由于这种白色荧光粉在近近紫外激发下直接发白光，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近紫外光激发单一基质白光荧光粉，其特征在于：近紫外光激发单一基质白光荧光粉的分子为：Ｃａ↓［８］Ｍｇ（ＳｉＯ↓［４］）↓［４］Ｃｌ↓［２］：Ｅｕ↑［２＋］，Ｍｎ↑［２＋］。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋葵明，刘清玲，曾维亮，刘光辉，
申请(专利权)人：湖南信多利新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：43[]