阵列基板和液晶显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种阵列基板和液晶显示面板。该阵列基板，包括衬底基板，衬底基板上形成有导电图案和绝缘层，导电图案至少包括：数据线、栅线、ＴＦＴ开关的栅电极、源电极、漏电极，以及像素电极，栅线横跨像素电极，将像素电极分为第一部分和第二部分，将ＴＦＴ开关的栅电极分为上下相同的两部分，将ＴＦＴ开关的源电极分为上下相同的两部分；ＴＦＴ开关的源电极的两部分分别与像素电极的第一部分和第二部分相连接。本实用新型专利技术提供的方案，可以消除各薄膜层在形成图形的曝光过程中由于错位而造成的重合面积变化，有效保证了寄生电容Ｃｇｓ的稳定，改善了Ｓｔｅｐｐｅｒ曝光工艺中灰度不均匀的问题，提高产品的成品率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。阵列基板是液晶显示器的重要部件。阵列基板上可分为像素区域和接口区域，像 素区域中形成各像素单元。每个像素单元包括TFT开关和像素电极；TFT开关包括栅电极、 源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，漏电极连接数据线，源电极连接像素电极，有源 层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。现有技术中，因源电极和漏电极形状的不同，可以 形成如图1和图2所示的两种形式的阵列基板的局部俯视结构示意图。其中，图1中源电极 7和漏电极8彼此平行，沟道的形状呈一条直线。图2中的漏电极8将源电极7包围，沟道 的形状呈U形。当某一行的栅电极3加上开启电压Von时，TFT开关打开，漏电极8与源电 极7导通，给定的信号从数据线5上加到像素电极11上。在公共电极电压不变的情况下， 像素电极11上一定的电压便决定了对应像素单元上一定的灰度。液晶显示器就是通过不 同像素单元的不同灰度来从整体上展现一幅画面的。但是在阵列基板的制造过程中，由于组成阵列基板的每一层薄膜都需要经过沉 积、曝光、刻蚀等工序以形成不同的图案，而各层薄膜之间的对位精度是有限的，因此每一 层薄膜之间的图案都会出现一定程度的错位。这种层与层之间的错位很容易导致寄生电容 值的变化。尤其对于模式为步进(Steper)的曝光机，会出现在同一张衬底基板上的同一层 薄膜曝光多次的情况，即同一层薄膜会分为多个曝光区域分别进行曝光。如果同一张衬底 基板上的不同曝光区域各层薄膜之间的对位尺寸不同，就会导致不同曝光区域中的寄生电 容不同，尤其是栅电极和源电极之间的寄生电容Cgs。栅电极和源电极之间的寄生电容Cgs 会引起像素电极上电压的跳变，这样的电压跳变会对像素单元的灰度产生影响。同一张衬 底基板上不同曝光区域的Cgs不同，从而导致不同曝光区域同一灰阶的灰度有所差别，整 张衬底基板的灰度不均勻，产生与曝光区域相对应的明显分区。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板和液晶显示面板，以解决同一张衬底基板多次曝光 情况下可能出现的寄生电容Cgs不均勻的问题。本技术提供一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有导电图案 和绝缘层，所述导电图案至少包括数据线、栅线、TFT开关的栅电极、源电极、漏电极，以及 像素电极，其中所述栅线横跨所述像素电极，将所述像素电极分为第一部分和第二部分，将所述 TFT开关的栅电极分为上下相同的两部分，将所述TFT开关的源电极分为上下相同的两部 分；所述TFT开关的源电极的两部分分别与所述像素电极的第一部分和第二部分相连接。如上所述的阵列基板，其中，所述TFT开关的源电极关于所述栅线轴对称。如上所述的阵列基板，其中，所述TFT开关的源电极的两部分彼此分离。如上所述的阵列基板，其中，所述TFT开关的漏电极为T型，与所述数据线和所述 TFT开关的源电极的两部分分别组成相同的U型沟道。如上所述的阵列基板，其中，所述像素电极的第一部分和第二部分相同，且所述栅 电极位于所述第一部分和所述第二部分之间。如上所述的阵列基板，其中，所述数据线纵跨所述像素电极，将所述TFT开关的栅 电极分为左右相同的两部分；所述TFT开关的源电极的两部分彼此分离，且分别位于所述数据线的左右两侧。如上所述的阵列基板，其中，所述数据线将所述像素电极分为左右相同的两部分。本技术还提供了一种液晶显示面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板， 所述阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶层，其中所述阵列基板采用如上所述的阵列基 板。本技术提供的阵列基板和液晶显示面板，在不改变TFT开关功能和基本结构 的前提下，改良了 TFT开关的结构，通过将栅电极与源电极的重合部分设计为对称结构，即 便在对位过程中出现水平方向的错位和/或是竖直方向的错位时，也可以消除栅金属薄膜 层与数据金属薄膜层在形成图形的曝光过程中由于错位而造成的重合面积变化，从而有效 保证了寄生电容Cgs的稳定，改善T^epper曝光工艺中灰度不均勻的问题，提高产品的成 品率。附图说明图1为现有技术中阵列基板的局部俯视结构示意图；图2为现有技术中阵列基板的第二种局部俯视结构示意图；图3为本技术实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；图4A和图4B为本技术实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图；图5为本技术实施例一提供的阵列基板的第二种局部俯视结构示意图；图6为本技术实施例一提供的阵列基板的第三种局部俯视结构示意图。附图标记I-衬底基板；2-栅线； 3-栅电极；5-数据线； 7-源电极；8-漏电极；11-像素电极。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新 型实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描 述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施 例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于 本技术保护的范围。实施例一图3为本技术实施例一提供的阵列基板的局部俯视结构示意图，如图3所示， 该阵列基板包括衬底基板1，衬底基板1上形成有导电图案和绝缘层，其中的导电图案至少 包括数据线5、栅线2、TFT开关的栅电极3、源电极7、漏电极，以及像素电极11，绝缘层至 少包括栅绝缘层和钝化层。其中，该阵列基板的栅线2横跨像素电极11，并将像素电极11 分为第一部分和第二部分，将TFT开关的栅电极3分为上下相同的两部分，将TFT开关的源 电极7分为上下相同的两部分，TFT开关的源电极7的两部分分别与像素电极11的第一部 分和第二部分相连接。采用本技术实施例提供的阵列基板，在不改变TFT开关功能和基本结构的前 提下，改良了 TFT开关的结构，将栅电极与源电极的重合部分设计为对称结构，即便在对位 过程中出现水平方向的错位和/或是竖直方向的错位时，也可以消除栅金属薄膜层与数据 金属薄膜层在形成图形的曝光过程中由于错位而造成的重合面积变化，从而有效保证了寄 生电容Cgs的稳定，改善了 St印per曝光工艺中灰度不均勻的问题，提高产品的成品率。结合图4A和图4B所示的阵列基板的局部俯视结构示意图，在图4A和图4B中，分 别表示了数据金属薄膜层相对于栅金属薄膜层发生水平方向的错位和竖直方向的错位两 种情况，相对于图3中所示的阵列基板的局部俯视结构示意图而言，栅电极3和源电极7之 间的重合面积都是不发生改变的，稳定了寄生电容Cgs的大小。在本实施例中，TFT开关的源电极7优选关于栅线2轴对称。结合图中的位置，以 栅线2的延伸方向为χ轴的延伸方向，以数据线5的延伸方向为y轴的延伸方向。那么，关 于栅线2轴对称可以理解为源电极7关于χ轴对称。这种结构的阵列基板，将数据线5作 为TFT开关的漏电极，源电极7直接跨过栅线2，并关于栅线2轴对称，构图工艺简单、易操 作，不需对现有的工艺做过多的改进。在本实施例中，如图5所示的本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层，所述导电图案至少包括：数据线、栅线、ＴＦＴ开关的栅电极、源电极、漏电极，以及像素电极，其特征在于：　　所述栅线横跨所述像素电极，将所述像素电极分为第一部分和第二部分，将所述ＴＦＴ开关的栅电极分为上下相同的两部分，将所述ＴＦＴ开关的源电极分为上下相同的两部分；所述ＴＦＴ开关的源电极的两部分分别与所述像素电极的第一部分和第二部分相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李云飞，刘宏宇，王刚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[]