一种ＭＥＭＳ器件及其圆片级真空封装方法技术

一种ＭＥＭＳ器件及其圆片级真空封装方法，由玻璃基片（１）、带有密封环（２）的硅片敏感结构层和硅帽（９）组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛（１１），每个硅岛（１１）的下面与玻璃基片（１）以及电极引线（８）连接，每个硅岛（１１）上面分别设有压焊点（６）；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔（７），使压焊点（６）处于压焊点空腔（７）内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环（１２）与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽（５）。本发明专利技术的优点在于：避免了电极从衬底基板引入到器件结构层表面，对压焊点的密封结构与压焊点间的电隔离技术问题。使得本发明专利技术真空封装结构设计合理、工艺简单、真空保持时间长、性能可靠、具有通用性，降低了真空封装成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＭＥＭＳ器件，由玻璃基片（１）、带有密封环（２）的硅片敏感结构层和硅帽（９）组成，其特征在于：硅片敏感结构层中设有至少两个硅岛（１１），每个硅岛（１１与敏感结构层其它部件相互孤立并绝缘，每个硅岛（１１）的下面分别与玻璃基片（１）以及设置在玻璃基片上的一条电极引线（８）连接，每个硅岛（１１）上面分别设有压焊点（６）；硅帽上与每个硅岛对应位置分别设有一个压焊点空腔（７），使压焊点（６）处于压焊点空腔（７）内，压焊点空腔外围设有压焊点密封环（１２）与硅岛上面连接配合，压焊点密封环外围设有压焊点隔离槽（５）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方澍，郭群英，徐栋，黄斌，陈博，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：34[]