一种高感光度咔唑肟酯类光引发剂、其制备方法及应用技术

技术编号:5304546 阅读:465 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种咔唑肟酯类光引发剂,具有如式(I)所示的化学结构。该光引发剂应用性能优异,具有特别高的感光性能,应用于感光性组合物可极大的提高光固化性能,显著提高感光性组合物在诸如制备彩色滤光片等应用领域中的生产效率。本发明专利技术还涉及该咔唑肟酯类光引发剂的制备方法、及其在感光性组合物中的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光引发剂
,特别涉及一种咔唑肟酯类光引发剂及其制备方 法和应用。
技术介绍
光固化是指单体、低聚体或聚合体基质在光诱导下的固化过程,该技术在现代 微电子技术中有着广泛的应用,例如光固化油墨、液晶面板的封装、感光性印刷版、滤 光片和光致抗蚀剂等。光固化技术的核心在于可光致固化的聚合单体和合适的光引发 剂。在一定波长的紫外/可见光、X射线或激光照射下,光引发剂产生活性基团,激发 可聚合单体中的不饱和基团以发生聚合反应,从而引起材料的固化。光引发剂是影响光固化组合物(感光性组合物)感光性能的最主要因素。当前, 关于光引发剂已经有了非常多的报道,例如安息香衍生物、联苯酰缩酮类、α,α-二烷 氧基苯乙酮类、二苯甲酮/胺类、米氏酮、噻唑酮/胺类、芳香重氮盐、三氮嗪类、肟酯 类等,代表例有可商购的Irgacure369、Darocurel 173, OXE-I和OXE-2。然而,这些 光引发剂在实际应用中均或多或少地存在感光度低(聚合速率和曝光剂量高)、溶解性差 (透明度和光刻残渣多)、贮存稳定性低、短波长灵敏度不足等缺陷,在整体上影响了感 光性材料的性能,从而不能满足高端彩色滤片和新一代LED显示器的应用需要。另外, 低感光度光引发剂的使用还对实际生产中的设备配置产生额外的要求,对产品生产效率 带来不利的影响。现阶段,针对高感光度光引发剂的研究得到了很多重视,也有了少量的报道。 例如,公开号CN101508744A公开了一种咔唑肟酯类光引发剂,具有优于OXE-2的感光 性能,可以初步满足当前彩色滤光片的制作需求。但是随着电子科技日新月异的发展, 对光引发剂势必会提出更高的要求,从而导致现有的光引发剂逐渐适应不了高端彩色滤 光片和LED的应用需要。研究和开发具有更高性能特别是更高感光性能的光引发剂具有 重要的现实和经济意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新的光引发剂,它具有优异的应用性能,尤其是具 有非常高的感光度,可以满足高端彩色滤光片及OLED显示器的制作需求。为了达到上述技术效果,本专利技术的技术方案为一种咔唑肟酯类光引发剂,其 具有式⑴所示结构权利要求1.一种咔唑肟酯类光引发剂,其具有式⑴所示结构2.根据权利要求1所述的咔唑肟酯类光引发剂,其特征在于,民中11= 2,m = 3或4。3.根据权利要求1 2中任一项所述的咔唑肟酯类光引发剂,其特征在于,艮是^ C5的直链或支链烷基,优选甲基、乙基、正丙基、正丁基,特别优选乙基。4.根据权利要求1 3中任一项所述的咔唑肟酯类光引发剂,其特征在于,所述具有 任选取代基的含S或O杂环基团是具有O 2个取代基的含S或O杂环基团。5.根据权利要求4所述的咔唑肟酯类光引发剂,其特征在于,所述O 2个取代基是 O 2个甲基或乙基。6.根据权利要求1 5中任一项所述的咔唑肟酯类光引发剂,其特征在于,所述含S 或O杂环基团是呋喃基或噻吩基。7.根据权利要求1 6中任一项所述的咔唑肟酯类光引发剂,其特征在于,所述取代 芳基中含O、S、N原子的取代基团是烷硫基、烷氧基、烷氨基、哌嗪基、吗啉基。8.根据权利要求1 7中任一项所述的咔唑肟酯类光引发剂,其特征在于,Ar基团 选自下列结构中的一种9.权利要求1所述咔唑肟酯类光引发剂的制备方法,包括以下步骤(1)取代反应将咔唑溶解在有机溶剂中,与溴代烷烃R2-Br进行取代反应,得到中 间体a,即9-民基咔唑,其反应过程如下10.权利要求1所述咔唑肟酯类光引发剂在感光性组合物中的应用。全文摘要本专利技术涉及一种咔唑肟酯类光引发剂,具有如式(I)所示的化学结构。该光引发剂应用性能优异,具有特别高的感光性能,应用于感光性组合物可极大的提高光固化性能,显著提高感光性组合物在诸如制备彩色滤光片等应用领域中的生产效率。本专利技术还涉及该咔唑肟酯类光引发剂的制备方法、及其在感光性组合物中的应用。文档编号C07D209/86GK102020727SQ20101055727公开日2011年4月20日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日专利技术者王兵, 胡春青, 钱晓春 申请人:常州强力先端电子材料有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种咔唑肟酯类光引发剂,其具有式(Ⅰ)所示结构:***(Ⅰ)其中,R↓[1]是***,n=1~5,m=1~6;R↓[2]是C↓[1]~C↓[20]的直链或支链烷基;Ar是具有任选取代基的含S或O杂环基团、或者取代基团中含O、S、N原子的取代芳基。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:钱晓春胡春青王兵
申请(专利权)人:常州强力先端电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]

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