肟酯光引发剂、光固化树脂组合物及应用制造技术

本发明专利技术提供一种肟酯光引发剂、光固化树脂组合物及应用。上述肟酯光引发剂具有通式(I)所示的结构：相比于现有的肟酯类光引发剂，具有通式(I)结构的肟酯光引发剂具有更好的稳定性，因而在紫外光的照射下，能够有效抑制小分子碎片的产生和挥发，且固化后几乎无外溢气体产生；同时由于上述肟酯类光引发剂具有特定的取代基团，使得其具有较强的紫外吸收性能，进而提高了其感光度，该肟酯类光引发剂还具有较高的耐黄变性。此外，具有通式(I)所示结构的肟酯引发剂可用于UV

【技术实现步骤摘要】
肟酯光引发剂、光固化树脂组合物及应用


[0001]本专利技术涉及有机化学领域，具体而言，涉及一种肟酯光引发剂、光固化树脂组合物及应用。

技术介绍

[0002]在光聚合反应中，可见光照射光源具有安全性、便利性、易于获取和低成本的优点，作为一种可见光源照射的LED光源的特征在于低发热和低能耗，工业用LED照射光源激发波长一般有365nm、385nm、395nm、405nm、455nm和532nm等，设计和开发在可见光区域具有良好吸收的新型光引发剂是研究的重要课题。
[0003]肟酯引发剂应用非常广泛，常用于各种光刻胶的制作，亦可用于导向异构膜、光间隙物、肋壁、纳米压印用材料、量子点和OLED等领域。肟酯化合物作为有效的自由基光引发剂，长久以来就因其优越的光反应性而应用于自由基光聚合中。肟酯化合物在N
‑
O键断裂后，酰氧基发生脱羧反应并产生二氧化碳，这解决了由空气中的氧气引起的光聚合过程的阻聚问题。
[0004]然而，现有的肟酯类引发剂在紫外光照射下，肟酯键会断裂，产生小分子碎片(outgas)，这些小分子碎片如果得不到释放，容易停留在反应体系中，导致发光设备故障；因此，降低肟酯光引发剂分解碎片的挥发性，是肟酯光引发剂的研究方向之一。
[0005]现有文献(公开号CN103998422A)公开了环戊二酮肟酯及其应用。现有文献(公开号 CN112341359A)公开了芴肟酯类化合物、其制备方法和应用。上述两篇现有文献分别公开了不同的低分子碎片的肟酯引发剂，然而这些光引发剂的黄变性能及感光度仍需进一步提升。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于提供一种肟酯光引发剂、光固化树脂组合物及应用，以解决现有技术中肟酯类光引发剂在紫外光照射下容易产生小分子碎片，且耐黄变性能和感光度较差的问题。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术一方面提供了一种肟酯光引发剂，该肟酯光引发剂具有通式(I)所示的结构：R1选自C1～C
30
的烷基、 C1～C
20
的卤代烷基、被1个以上醚键或硫醚键中断的C2～C
30
的烷基、C6～C
24
芳基取代的 C1～C
20
烷基、C6～C
24
芳氧基取代的C1～C
20
烷基、C1～C
12
烷基取代的C6～C
24
芳基，或C2～ C
30
的杂环基；R2和R2’
各自独立地选自氢、卤素、C1～C
30
的烷基、C1～C
20
的卤代烷基、C1～C
20
的羟基取代烷基、C2～C
40
的羟基烷氧基取代的烷基、被1个以上醚键或硫醚键中断的C1～ C
30
的烷基、C6～C
24
芳基取代的C1～C
20
烷基、C6～C
24
芳氧基取代的C1～C
20
烷基、C6～C
24
的芳基、C1～C
10
烷基取代的C6～C
24
芳基，或C1～C
30
的链烯基；R3选自氢、硝基、氰基、羟基、卤素、C1～C
30
的
烷基、C1～C
20
的卤代烷基、C1～C
20
的羟基取代烷基、C2～C
40
的羟基烷氧基取代烷基、被1个以上醚键或硫醚键中断的C2～C
20
的烷基、C2～C
20
的酰基、卤原子取代的C1～C
10
的酰基、C6～C
18
的芳基酰基、卤原子取代的C6～C
18
的芳基酰基、C1～C
12
烷基取代的C6～C
18
的芳基酰基、C1～C
20
烷氧基取代的C6～C
18
的芳基酰基、C4～C
18
的杂环基酰基、C4～C
24
的杂环基、C1～C
20
的烷氧基或式(II)所示的基团： n为1或2；A为连接键或羰基。
[0008]进一步地，R1选自C1～C
22
的烷基、C1～C
10
的卤代烷基、被1个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
20
烷基、C6～C
20
芳基取代的C1～C
12
烷基、C6～C
20
芳氧基取代的C1～C
12
烷基、 C1～C8烷基取代的C6～C
20
芳基，或C4～C
24
的杂环基；R2和R2’
各自独立地选自C1～C
22
的烷基、C1～C
10
的卤代烷基、C1～C
10
的羟基取代烷基、C2～C
20
的羟基烷氧基取代的烷基、被1 个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
20
的烷基、C6～C
20
芳基取代的C1～C
12
烷基、C6～C
20
芳氧基取代的C1～C
12
烷基、C6～C
20
的芳基、C1～C8烷基取代的C6～C
18
芳基，或C2～C
18
的链烯基；R3选自C1～C
20
的烷基、C1～C
10
的卤代烷基、C1～C
10
的羟基取代烷基、C2～C
20
的羟基烷氧基取代烷基、被1个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
15
的烷基、C2～C
20
的直链状、直链状、单环状或缩合多环状脂肪族酰基、卤原子取代的C1～C
10
的直链状或支链状酰基、C6～ C
18
的单环状或缩合多环状芳基酰基、卤原子取代的C6～C
18
单环状或缩合多环状芳基酰基、 C1～C
12
烷基取代的C6～C
18
单环状或缩合多环状芳基酰基、C1～C
20
烷氧基取代的C6～C
18
的单环状或缩合多环状芳基酰基、C4～C
18
的单环状或缩合多环状杂环基酰基、C4～C
18
的杂环基，或C1～C
10
的烷氧基。
[0009]进一步地，R1选自C1～C
17
的烷基，优选C1～C
10
的直链状、支链状、单环状或缩合多环状烷基；或，R1选自C2～C8的卤代烷基，优选C2～C5的直链状或支链状卤代烷基；或，R1选自被1个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
15
的烷基，优选被1个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
10
烷基，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肟酯光引发剂，其特征在于，所述肟酯光引发剂具有通式(I)所示的结构：所述R1选自C1～C
30
的烷基、C1～C
20
的卤代烷基、被1个以上醚键或硫醚键中断的C2～C
30
的烷基、C6～C
24
芳基取代的C1～C
20
烷基、C6～C
24
芳氧基取代的C1～C
20
烷基、C1～C
12
烷基取代的C6～C
24
芳基，或C2～C
30
的杂环基；所述R2和所述R2’
各自独立地选自氢、卤素、C1～C
30
的烷基、C1～C
20
的卤代烷基、C1～C
20
的羟基取代烷基、C2～C
40
的羟基烷氧基取代的烷基、被1个以上醚键或硫醚键中断的C1～C
30
的烷基、C6～C
24
芳基取代的C1～C
20
烷基、C6～C
24
芳氧基取代的C1～C
20
烷基、C6～C
24
的芳基、C1～C
10
烷基取代的C6～C
24
芳基，或C1～C
30
的链烯基；所述R3选自氢、硝基、氰基、羟基、卤素、C1～C
30
的烷基、C1～C
20
的卤代烷基、C1～C
20
的羟基取代烷基、C2～C
40
的羟基烷氧基取代烷基、被1个以上醚键或硫醚键中断的C2～C
20
的烷基、C2～C
20
的酰基、卤原子取代的C1～C
10
的酰基、C6～C
18
的芳基酰基、卤原子取代的C6～C
18
的芳基酰基、C1～C
12
烷基取代的C6～C
18
的芳基酰基、C1～C
20
烷氧基取代的C6～C
18
的芳基酰基、C4～C
18
的杂环基酰基、C4～C
24
的杂环基、C1～C
20
的烷氧基或式(II)所示的基团：所述n为1或2；A为连接键或羰基。2.根据权利要求1所述的肟酯光引发剂，其特征在于，所述R1选自C1～C
22
的烷基、C1～C
10
的卤代烷基、被1个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
20
烷基、C6～C
20
芳基取代的C1～C
12
烷基、C6～C
20
芳氧基取代的C1～C
12
烷基、C1～C8烷基取代的C6～C
20
芳基，或C4～C
24
的杂环基；所述R2和所述R2’
各自独立地选自C1～C
22
的烷基、C1～C
10
的卤代烷基、C1～C
10
的羟基取代烷基、C2～C
20
的羟基烷氧基取代的烷基、被1个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
20
的烷基、C6～C
20
芳基取代的C1～C
12
烷基、C6～C
20
芳氧基取代的C1～C
12
烷基、C6～C
20
的芳基、C1～C8烷基取代的C6～C
18
芳基，或C2～C
18
的链烯基；所述R3选自C1～C
20
的烷基、C1～C
10
的卤代烷基、C1～C
10
的羟基取代烷基、C2～C
20
的羟基烷氧基取代烷基、被1个以上的醚键或硫醚键中断的C2～C
15
的烷基、C2～C
20
的直链状、直链状、单环状或缩合多环状脂肪族酰基、卤原子取代的C1～C
10
的直链状或支链状酰基、C6～C
18
的单环状或缩合多环状芳基酰基、卤原子取代的C6～C
18
单环状或缩合多环状芳基酰基、C1～C
12
烷基取代的C6～C
18
单环状或缩合多环状芳基酰基、C1～C
20
烷氧基取代的C6～C
18
的单环状或缩合多环状芳基酰基、C4～C
18
的单环状或缩合多环状杂环基酰基、C4～C
18
的杂环基，或C1～C
10
的烷氧基。3.根据权利要求1或2所述的肟酯光引发剂，其特征在于，所述R1选自C1～C
17
的烷基，优选C1～C
10
...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱晓春，汪雷，张学龙，于培培，
申请(专利权)人：常州强力先端电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：