一种离子注入和等离子体沉积薄膜的设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种离子注入和等离子体沉积设备，该设备包括离子源和真空室，其中，所述真空室壁上包括设置有抽真空口以及用于与所述离子源连通的开口；所述真空室内包括设置有放卷辊、冷却部件、收卷辊；所述冷却部件由至少所述１根冷却辊组成，所述冷却辊、所述放卷辊和所述收卷辊都相互平行，并且所述冷却辊的轴向与所述等离子体进入所述真空室的方向垂直；所述冷却辊与所述开口在水平高度上一一对应，或者所述开口与所述冷却辊在左右方向或者前后方向上一一对应；或者所述冷却辊相对应地位于所述开口的正下方或者正上方。本实用新型专利技术提供的设备能够对薄膜进行连续的等离子体沉积和／或离子注入操作。因此，大大提高生产效率，降低生产成本。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种离子注入和等离子体沉积设备，尤其是涉及能够对薄膜进行 连续离子注入和等离子体沉积的设备。
技术介绍
阴极真空弧等离子体沉积(FVAPD)技术是在电弧沉积基础上发展起来的离子辅 助沉积技术，它是利用金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)产生的金属等离子体进行金属沉 积制膜的技术。这种金属等离子体沉积制膜技术具有许多优点，如膜的沉积速率快、膜的 附着力强、质地致密、光洁度高、可获得厚膜等，因此倍受欢迎。但是在等离子体沉积制膜过 程中常常会引入大的颗粒(真空弧放电时产生的没有充分等离子体化的大颗粒)沉积到膜 中，影响成膜的质量。通过磁过滤系统，将金属等离子体中的大颗粒物质滤掉，从而克服了 沉积过程中大颗粒对膜质量的破坏。具有磁过滤系统的磁过滤阴极真空弧等离子体沉积设 备的示意图参见附图1，这种设备在外加电压下还能够进行离子注入。在图1中，A为金属 蒸汽真空弧离子源，B为磁过滤部分。1为阴极，2为绝缘体，3为触发电极，4为阳极，5为聚 焦线圈，6为磁过滤偏转线圈，7为过滤导管，8为真空室，9为抽真空口，10旋转工作台，11 为工件，12为工作气体入口。现有的金属离子注入和等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子注入和等离子体沉积薄膜的设备，该设备包括离子源和真空室，其特征在于：所述真空室壁上包括设置有抽真空口以及至少１个用于与所述离子源连通的开口；所述真空室内包括设置有放卷辊、冷却部件、收卷辊；所述冷却部件置于所述放卷辊和所述收卷辊之间；所述冷却部件由所述至少１根可以自由转动的、中空且内通冷却介质的冷却辊组成，所述冷却辊、所述放卷辊和所述收卷辊都相互平行，并且所述冷却辊的轴向与所述等离子体进入所述真空室的方向垂直；所述等离子体进入所述真空室的方向与所述冷却辊的轴向均为水平方向，所述冷却辊与所述开口在水平高度上一一对应；或者所述等离子体进入所述真空室的方向为水平方向，所述冷却辊的轴向为竖直方向...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢新林，杨念群，
申请(专利权)人：深圳市信诺泰创业投资企业普通合伙，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]