晶圆加热装置制造方法及图纸

一种晶圆加热装置，其是对一承载多个晶圆的承载件进行加热，且设置于该承载件远离该多个晶圆的一面，该晶圆加热装置包括一承接板及装设于该承接板上的多个发热线圈，该多个发热线圈以同心设置于该承接板上，其中该多个发热线圈的外圈与内圈为不同平面，且该多个发热线圈的外圈高度较内圈高度高，而较靠近该承载件。借此解决现有技术中的承载片靠近周边处的加热温度较低的问题，使该承载片达到均温性的特点，进而增加晶圆进行化学气相沉积（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ）的优良率及产能。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种加热装置，尤其涉及一种晶圆加热装置。
技术介绍
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)为工艺技术中常见的技术，其是主要在真空环境下搭配加热器的使用，将化学气体沉积于一晶圆上。而进行化学气相 沉积时的加热温度必须于1200 1400度以上，因此，加热器必须能产生并承受1200 1400度以上的高温，可想而知其成本相当高，但因为受到高温、真空、以及化学气体的 影响，加热器的使用寿命都不长。一般来说，加热器通常具有多个线圈以同心设置而成，为了有效解决加热器的 使用寿命不长，造成的高成本的问题，美国专利公告第5294778号的“CVD platen heater system utilizing concentricelectric heating elements”，其揭露了 一禾中具有内、中、夕卜力口热体的加热器，三部分各自之间的加热线圈是各自独立，因此，若其中一部分的加热体毁 坏，仅需要针对毁坏的部分进行置换，借此避免因为一小部分的加热线圈毁损就必须要 将整组线圈换掉的问题，因而能够有效降低加热器的成本。然而，上述加热器的内、中、外加热体的加热线圈是处于同一平面，而外加热 体因为直接与外部冷空气进行接触，因而其散失的热量较内、中加热体来得多，在同时 对一承载有多个晶圆的承载片进行加热时，该承载片靠近边缘的温度较中央位置低，使 得设置于该承载片靠近边缘的晶圆因为无法均勻加热，造成优良率低的问题。一般的 解决方法是避免在该承载片靠近边缘处设置晶圆，仅利用具有均勻热度的承载片中心区 域，如此一来，其产能便会减少，实不符合经济成本。
技术实现思路
本技术的主要目的，在于解决现有技术的承载片的加热均勻度不足，因而 被迫不使用该承载片的周边区域的问题。为实现上述目的，本技术提供一种晶圆加热装置，其对一承载多个晶圆的 承载件进行加热，且设置于该承载件远离该多个晶圆的一面，该晶圆加热装置包括一承 接板及装设于该承接板上的多个发热线圈，该多个发热线圈以同心设置于该承接板上， 其中该多个发热线圈的外圈与内圈为不同平面，且该多个发热线圈的外圈高度较内圈高 度高，而较靠近该承载件。根据本技术的一个改进方案，该承接板具有一内承接板、一中承接板及一 外承接板，该内承接板、中承接板及外承接板上各设置有多个发热线圈，且内承接板的 多个发热线圈相连接，中承接板的多个发热线圈相连接，外承接板的多个发热线圈相连接。根据本技术的一个改进方案，中承接板为一环状结构而具有一容置内承接 板的中空部，外承接板亦为一环状结构而具有一容置内承接板及中承接板的中空部。根据本技术的一个改进方案，内承接板与中承接板的多个发热线圈位于同 一平面，外承接板的多个发热线圈高于内承接板及中承接板的平面而较为靠近承载件。根据本技术的一个改进方案，外承接板由圆心方向往外具有一第一发热线 圈、一第二发热线圈、一第三发热线圈及一第四发热线圈，第一发热线圈与第二发热线 圈设置于同一平面，而第三发热线圈高于第一发热线圈与第二发热线圈，第四发热线圈 则低于第一发热线圈与第二发热线圈。根据本技术的一个改进方案，多个发热线圈是电阻加热的发热体。根据本技术的一个改进方案，承接板上设置有避免发热线圈变形的多个固 定架，多个发热线圈放置于多个固定架上。由上述说明可知，本技术借由该承接板 的该多个发热线圈对该承载件进行加热，而该多个发热线圈的外圈高度较高因而能够较 靠近该承载件，加强其加热效果。借此弥补该承接板外圈的发热线圈因为与外部冷空气 直接接触，使得其热散失较快，因而造成该承载件靠近周边位置的热度不均勻的问题。 利用调整该承接板外圈的发热线圈高度，控制该承载件靠近周边的热度，进而达到该承 载件的加热温度一致的目的。附图说明图1是本技术一优选实施例的立体分解示意图；图2是本技术一优选实施例的立体结构示意图；图3A是本技术一优选实施例的剖面示意图；以及图3B是本技术一优选实施例的局部放大示意图。具体实施方式有关本技术的详细说明及
技术实现思路
，现就配合附图说明如下请参阅图1及图2所示，图1是本技术一优选实施例的立体分解示意图，图 2是本技术一优选实施例的立体结构示意图，如图所示本技术为一种晶圆加 热装置，其对一承载多个晶圆的承载件10进行加热，且设置于该承载件10远离该多个晶 圆的一面，该晶圆加热装置包括一承接板20及装设于该承接板20上的多个发热线圈30， 该多个发热线圈30以同心设置于该承接板20上，其中该多个发热线圈30的外圈与内圈 为不同平面，且该多个发热线圈30的外圈高度较内圈高度高，而较靠近该承载件10。此 外，于本实施例中，该多个发热线圈30是电阻加热的发热体。在此，需特别说明的是，该承接板20具有一内承接板21、一中承接板22及一外 承接板23，该内承接板21、该中承接板22及该外承接板23上各设置有该多个发热线圈 20，且该内承接板21的该多个发热线圈20相连接，该中承接板22的该多个发热线圈20 相连接，该外承接板23的该多个发热线圈20相连接。此外，该中承接板22为一环状结 构而具有一容置该内承接板21的中空部，该外承接板23亦为一环状结构而具有一容置该 内承接板21及该中承接板22的中空部。因为该内承接板21及该中承接板22都不会直接与冷空气接触，这表示不会有热 量因为冷空气而快速散失的问题存在，因此设计该内承接板21与该中承接板22的该多个 发热线圈20位于同一平面，避免热不均勻的状况发生。而该外承接板23的该多个发热线圈20高于该内承接板21及该中承接板22的平面而较为靠近该承载件10，借此解决外 承接板23会直接与冷空气接触，使得该承载件10对应该外承接板23的区域温度较低， 造成热度不均勻的问题。请配合参阅图3A及图3B，图3A是本技术一优选实施例的剖面示意图，图 3B是本技术一优选实施例的局部放大示意图。本技术提供一优选实施例的说 明，该外承接板23由圆心方向往外具有一第一发热线圈31、一第二发热线圈32、一第三 发热线圈33及一第四发热线圈34，该第一发热线圈31与该第二发热线圈32设置于同一 平面，而该第三发热线圈33高于该第一发热线圈31与该第二发热线圈32，该第四发热线 圈34则低于该第一发热线圈31与该第二发热线圈32。因为该第三发热线圈33的高度较 高而较为靠近该承载件10，该第三发热线圈33的热能更能有效的传递至该承载件10。因 此，借由调整该第三发热线圈33的高度，便可以有效控制该承载件10靠近周边的加热温 度，进而使得该承载件10的表面加热温度趋于一致。除此之外，借由调整该第一发热线 圈31、该第二发热线圈32、该第三发热线圈33及该第四发热线圈34彼此之间的距离， 亦可达到该承载件10的表面加热温度进行微调的作用。除此之外，该承接板20上设置 有避免该发热线圈30变形的多个固定架40，该多个发热线圈30放置于该多个固定架40 上。综上所述，由于本技术通过该承接板20的多个该发热线圈30对该承载件10 进行加热，而该多个发热线圈30的外圈高度较高因而能够较靠近该承载件10，加强其加 热效果。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆加热装置，其对一承载多个晶圆的承载件（１０）进行加热，且设置于所述承载件（１０）远离所述多个晶圆的一面，所述晶圆加热装置的特征在于，包括：　　一承接板（２０）；以及　　装设于所述承接板（２０）上的多个发热线圈（３０），所述多个发热线圈（３０）以同心设置于所述承接板（２０）上，其中，所述多个发热线圈（３０）的外圈与内圈为不同平面，且所述多个发热线圈（３０）的外圈高度较内圈高度高，而较靠近所述承载件（１０）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔炳斗，
申请(专利权)人：富强半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71