一种ＣＭＰ抛光垫修整器下压力控制系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种ＣＭＰ抛光垫修整器下压力控制系统，它包括双作用气缸和分别与双作用气缸的活塞两侧缸腔连通的双工作压力回路，其中，在双作用气缸的活塞上侧缸腔与气源间的工作压力回路中依次安装有第一单向节流阀、气压传感器和电气气压调节器，且第一单向节流阀背压安装，在双作用气缸的活塞下侧缸腔与气源间的工作压力回路中依次安装有第二单向节流阀、二位五通电磁换向阀和气压调节器。本实用新型专利技术提供的ＣＭＰ抛光垫修整器下压力控制系统中，用于驱动抛光垫修整器的动力装置为双作用隔膜气缸，通过气缸活塞两侧的气压差产生作用力，驱动抛光垫修整器上升和下压。本系统压力控制精确，修整效果好，工作可靠。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种CMP抛光垫修整器下压力控制系统，特别是一种半导体晶圆 的CMP抛光垫修整器下压力控制系统。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)是一种对半导体材料或是其它类型材料的衬底进行平坦化 或是抛光的方法。广泛应用于集成电路(IC)制造业中。化学机械抛光是结合抛光液中化 学溶液的腐蚀和磨粒的机械磨削双重作用，使硅晶片获得极高的平面度和平整度的一项工 艺。抛光垫是CMP系统中的主要耗材之一，抛光垫的结构和表面粗糙度对化学机械抛光过 程中的硅片材料去除率和表面粗糙度有很大影响。但是抛光垫经过一段时间的使用后，抛 光液中的磨粒与抛光过程中产生的碎屑、副产物，会造成抛光垫表面孔洞产生钝化的现象， 降低继续输送抛光液的功能从而降低抛光效果，进而影响晶圆材料的抛光去除率和表面平 整度。因此，需要使用抛光垫修整器对抛光垫进行修整，去除抛光垫表面的钝化层使其表面 再生露出新的孔洞，继续输送抛光液，使晶圆表面材料的去除率均勻。抛光垫修整效果取决 于修整器结构和修整工艺参数，修整器下压力是修整工艺的重要参数之一，不同的抛光条 件需要调节不同的修整器下压力来达到最佳的修整效果。目前，抛光垫修整器下压力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＰ抛光垫修整器下压力控制系统，其特征是它包括双作用气缸（７）和分别与双作用气缸（７）的活塞两侧缸腔连通的双工作压力回路，其中，在双作用气缸（７）的活塞上侧缸腔与气源间的工作压力回路中依次安装有第一单向节流阀（５）、气压传感器（３）和电气气压调节器（１），且第一单向节流阀（５）背压安装，在双作用气缸（７）的活塞下侧缸腔与气源间的工作压力回路中依次安装有第二单向节流阀（６）、二位五通电磁换向阀（４）和气压调节器（２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖垂鑫，柳滨，陈威，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：实用新型
国别省市：13[中国|河北]