形成在单个薄片上的半导体激光器谐振腔制造技术

一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上熔覆层和接触层。穿过由光刻确定的掩模的干法刻蚀制造具有长度为ｌｃ、宽度为ｂｍ的激光器台面。另一种光刻和刻蚀用于形成台面顶部宽度为ｗ的脊形结构。刻蚀步骤也在激光器波导结构的末端形成镜面或腔面。薄片的长度ｌｓ和宽度ｂｓ可以被选择为等于或长于波导长度ｌｃ和台面宽度ｂｍ的方便的数值。波导长度和宽度被选择，以使对于给定的缺陷密度Ｄ，产率大于５０％。

【技术实现步骤摘要】

本申请要求2005年8月25日提交的美国临时专利申请No.60/710,820的优先权， 在此以参见的方式引入该专利申请的内容。本专利技术涉及半导体二极管激光器，具体地说，涉及具有刻蚀腔面(facet)的低成 本InGaAIN基激光器。
技术介绍
InGaAIN 二极管激光器重要地作为用于许多应用的光源；例如，在高密度光存 储、显示、打印和生物医学方面。在与这些应用相关联的许多装置和系统中，需要能够 提供高波阵面质量的输出光束的激光源。此外，许多这些系统和装置的广泛应用和商业 成功依赖于低成本供应的能力。因此，高制造产率和低成本是需要来构造这样的系统和 装置的光源的关键要求。基于至少具有n型下熔覆层、具有量子阱和势垒的未掺杂激活层、p型上熔覆 层、以及高掺杂p型接触层的外延生长层的半导体二极管激光器由Ir^Ga^ALN制成，其中 0 <= x <= 1, 0 <= y <= 1, 0 <= z <= 1,并且 x+y+z=l。这些激光器可以发 射跨度至少从紫光到蓝绿光波长的波长范围。该类型的激光器已被制造出来，并如前述 技术所述，参见例子，S N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄片，包括：基底，所述基底包括至少一个预先确定的低缺陷密度的区域、以及至少一个预先确定的高缺陷密度的区域；半导体激光器，所述激光器制作在所述基底上，所述激光器具有激活区，并且具有至少一个刻蚀腔面；并且其中，所述激活区完全包含在所述低缺陷密度区内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：AA贝法，W兰斯，
申请(专利权)人：宾奥普迪克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US