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一种用于制造例如光存储所需要的具有好的光学波阵面特性的激光器的方法和结构，包括提供一种激光器，其中从激光器前腔面形成的输出光束不被半导体薄片的边缘所阻挡，来防止有害的光束畸变。半导体激光器结构外延生长在基底上，且至少具有下熔覆层、激活层、上...
该专利属于宾奥普迪克斯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宾奥普迪克斯股份有限公司授权不得商用。

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