【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光装置,特别涉及在光通信中使用的、波长为1250nm以上的在半导体激光器的谐振器端面具备电介质膜的半导体激光装置。
技术介绍
伴随着通信需求量的飞跃性增加,谋求通信系统的大容量化。在光通信的传输系统中,作为信号光主要使用1. 3 μ m带的信号光和1. 55 μ m带的 信号光。1.55 μ m带的信号光的光纤损失小,被作为长距离通信系统的信号光使用。这被称 为都市间通信(干线系统),例如像东京_大阪间那样在大都市间的通信中使用。另一方面,虽然1.3μπι带的信号光的光纤损失大,但波长色散少,被作为短距离 通信系统的信号光使用。这例如被称为都市内通信,在大都市内的通信中使用。此外, 1. 3 μ m带的信号光也在被称为接入系统的基站_各家庭间的通信中使用。产生包含这些信号光的波长为1. 25 μ m以上的信号光的长波长半导体激光器也 被要求在低工作电流下进行高速响应。在光通信用长波长半导体激光器中,通常使用端面出射型半导体激光器。在端面 出射型(facet emitting)半导体激光器中,通常通过对结晶进行劈开或蚀刻而形成相互 相向的一对 ...
【技术保护点】
一种半导体激光装置,其中,具备:化合物半导体激光器主体,具有相互相向的谐振器端面;电介质膜,密接于该化合物半导体激光器主体的谐振器端面而配设,通过SiO↓[2]、Si↓[3]N↓[4]、Al↓[2]O↓[3]和AlN中的任一种材料形成,并且具有将第1介质内波长的正整数倍除以2后的厚度,其中,该第1介质内波长根据该材料的第1折射率和所述化合物半导体激光器主体的出射光的波长决定;以及第1二重电介质膜,其在该电介质膜上配设,接近于所述电介质膜的第1层通过非晶硅形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低的第3折射率的材料构成,并且所述第1层具有根据所述第2折射率和 ...
【技术特征摘要】
JP 2009-3-25 2009-074678一种半导体激光装置,其中,具备化合物半导体激光器主体,具有相互相向的谐振器端面;电介质膜,密接于该化合物半导体激光器主体的谐振器端面而配设,通过SiO2、Si3N4、Al2O3和AlN中的任一种材料形成,并且具有将第1介质内波长的正整数倍除以2后的厚度,其中,该第1介质内波长根据该材料的第1折射率和所述化合物半导体激光器主体的出射光的波长决定;以及第1二重电介质膜,其在该电介质膜上配设,接近于所述电介质膜的第1层通过非晶硅形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低的第3折射率的材料构成,并且所述第1层具有根据所述第2折射率和所述出射光的波长决定的第2介质内波长的1/4的厚度,所述第2层具有根据所述第3折射率和所述出射光的波长决定的第3介质内波长的1/4的厚度。2.一种半导体激光装置,其中,具备化合物半导体激光器主体,具有相互相向的谐振器端面;电介质膜,密接于该化合物半导体激光器主体的谐振器端面而配设,通过Si02、Si3N4, 和AlN中的任一种材料形成,并且具有根据该材料的第1折射率和所述化合物半导体激光 器主体的出射光的波长决定的第1介质内波长的1/25以下的厚度;以及第1 二重电介质膜,其在该电介质膜上配设,接近于所述电介质膜的第1层通过非晶硅 形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低的第3折射率的材料 构成,并且所述第1层具有根据所述第2折射率和所述出射光的波长决定的第2介质内波 长的1/4的厚度,所述第2层具有根据所述第3折射率和所述出射光的波长决定的第3介 质内波长的1/4的厚度。3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置,其特征在于,配设有多层第1二重电介 质膜。4.一种半导体激光装置,其中,具备化合物半导体激光器主体,具有相互相向的谐振器端面;电介质膜,密接于该化合物半导体激光器主体的谐振器端面而配设,通过Si02、Si3N4, Al2O3和AlN中的任一种材料形成,并且具有将第1介质内波长的正整数倍除以2后的厚度, 其中,该第1介质内波长根据该材料的第1折射率和所述化合物半导体激光器主体的出射 光的波长决定;以及第2 二重电介质膜,其在该电介质膜上配设,接近于所述电介质膜的第1层通过非晶硅 形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低的第3折射率的材料 构成,并且所述第1层具有超过根据所述第2折射率和所述出射光的波长决定的第2介质 内波长的1/4、并且不足所述第2介质内波长的1/2的厚度,所述第2层具有不足根据所述 第3折射率和所述出射光的波长决定的第3介质内波长的1/4的厚度。5.一种半导体激光装置,其中,具备化合物半导体激光器主体,具有相互相向的谐振器端面;电介质膜,密接于该化合物半导体激光器主体的谐振器端面而配设,通过Si02、Si3N4, Al2O3和AlN中的任一种材料形成,并且具有根据该材料的第1折射率和所述化合物半导体 激光器主体的出射光的波长决定的第1介质内波长的1/25以下的厚度;以及第2 二重电介质膜,其在该电介质膜上配设,接近于所述电介质膜的第1层通过非晶硅 形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低的第3折射率的材料 构成,并且所述第1层具有超过根据所述第2折射率和所述出射光的波长决定的第2介质 内波长的1/4、并且不足所述第2介质内波长的1/2的厚度,所述第2层具有不足根据所述 第3折射率和所述出射光的波长决定的第3介质内波长的1/4的厚度。6.一种半导体激光装置,其中,具备化合物半导体激光器主体,具有相互相向的谐振器端面;电介质膜,密接于该化合物半导体激光器主体的谐振器端面而配设,通过Si02、Si3N4, Al2O3和AlN中的任一种材料形成,并且具有将第1介质内波长的正整数倍除以2后的厚度, 其中,该第1介质内波长根据该材料的第1折射率和所述化合物半导体激光器主体的出射 光的波长决定;以及第3 二重电介质膜,其在该电介质膜上配设,接近于所述电介质膜的第1层通过非晶硅 形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低的第3折射率的材料 构成,并且所述第1层具有不足根据所述第2折射率和所述出射光的波长决定的第2介质 内波长的1/4的厚度,所述第2层具有超过根据所述第3折射率和所述出射光的波长决定 的第3介质内波长的1/4、并且不足所述第3介质内波长的1/2的厚度。7.一种半导体激光装置,其中,具备化合物半导体激光器主体,具有相互相向的谐振器端面;电介质膜,密接于该化合物半导体激光器主体的谐振器端面而配置,通过Si02、Si3N4, Al2O3和AlN中的任一种材料形成,并且具有根据该材料的第1折射率和所述化合物半导体 激光器主体的出射光的波长决定的第1介质内波长的1/25以下的厚度;以及第3 二重电介质膜,其在该电介质膜上配设,接近于上述电介质膜的第1层通过非晶硅 形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低的第3折射率的材料 构成,并且所述第1层具有不足根据所述第2折射率和所述出射光的波长决定的第2介质 内波长的1/4的厚度,所述第2层具有超过根据所述第3折射率和所述出射光的波长决定 的第3介质内波长的1/4、并且不足所述第3介质内波长的1/2的厚度。8.根据权利要求4所述的半导体激光装置,其特征在于,在第2二重电介质膜上,进一 步配设有1层或多层第1 二重电介质膜,其中,在该第1 二重电介质膜中,接近于电介质膜 的第1层通过非晶硅形成,在该第1层上配设的第2层通过具有比非晶硅的第2折射率低 的第3折射率的材料构成,并且所述第1层具有根据所述第2折射率和所述出射光的波长 决定的第2介质内波长的1/4的厚度,所述第2层具有根据所述第3折射率和所述出射光 的波长决定的第3介质内波长的1/4的厚度。9.根据权利要求5所述的半导体激光装置,其特征在于,在第2二重电介质膜上,进一 步配设有1层或多层第1 二重电介质膜,其中,在该第1 二重电介质膜中,接近于电介质膜 的第1层通过非...
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