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本发明提供一种在半导体激光器的谐振器端面与反射膜的界面附近中难以发生劣化、阈值电流低、成品率高的半导体激光装置。其中，密接于谐振器端面，配设层厚λ／２（λ是介质内波长）的ＳｉＯ２膜（４０），在该ＳｉＯ２膜（４０）上，通过将由密接于ＳｉＯ２膜...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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