一种单晶炉及抑制单晶炉的软轴摆动的方法技术

本发明专利技术公开一种单晶炉和抑制单晶炉的软轴摆动的方法。公开的单晶炉包括炉体、提拉装置、坩埚和软轴；还包括控制器、位置监测器和位于炉体外的至少一个磁场发生器；软轴的上端与坩埚形成直流导电回路；控制器输入端与位置监测器相连，位置监测器获取软轴的位置信息；控制器的输出端与磁场发生器相连，或／和，与所述的直流导电回路相连。与现有技术中被动地对软轴施加作用力不同，本发明专利技术提供的技术方案不依赖于软轴实际的摆动幅度，可以主动地对软轴施加作用力，从而更好地抑制软轴的摆动；更重要地是，利用本发明专利技术的提供的单晶炉还能够对软轴下端的单晶直接施加作用力，从而能够从根本上降低软轴摆动对单晶体生成的不利影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单晶体生成技术，特别涉及一种单晶炉，还涉及一种抑制单晶炉 的软轴摆动的方法。
技术介绍
单晶炉是单晶体生成的设备。目前公知的单晶炉包括炉体和软轴。炉体内设置有 坩埚，坩埚内可装入多晶物料。软轴上端与预定的提拉装置相连，下端装有籽晶。在生成单 晶体时，加热坩埚，使坩埚内的多晶物料形成多晶融体；软轴下端的籽晶伸入多晶融体中； 通过提拉装置提拉软轴，使软轴旋转并上升；在软轴上升过程中，多晶融体在籽晶基础上生 成单晶体。为了保护生成的单晶体不被从多晶融体中挥发出来的杂质污染，通常在炉体顶 部设置氩气通道，并通入氩气气流，使氩气气流从上往下流动，将从多晶融体中挥发出来的 杂质带走。在生成单晶体过程中，受软轴旋转运动、氩气气流扰动及地球自转运动的共同影 响，软轴在水平面方向的摆动很难避免；软轴在水平面方向上的摆动，特别是其下端的、正 在形成的单晶在水平面内的摆动会影响单晶体的生成，造成单晶体生长控制困难、单晶体 直径误差增大和单晶体内部缺陷增多等一系列问题，导致使单晶体产品合格率降低，生产 成本增加。为了减小软轴摆动对单晶体生成的不利影响，现有技术中已经提供了相应的技 术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉，包括炉体、提拉装置、坩埚和软轴，所述坩埚位于炉体形成的炉腔内，所述软轴上端与提拉装置相连，下端伸入坩埚中；其特征在于，还包括控制器、位置监测器和位于炉体外的至少一个磁场发生器；所述软轴的上端与坩埚形成直流导电回路；所述控制器的输入端与所述位置监测器相连，所述位置监测器获取软轴的位置信息；所述控制器的输出端与磁场发生器相连，或／和，与所述的直流导电回路相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁仁和，周世增，
申请(专利权)人：北京京仪世纪电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]