【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及石墨电极制备
,特别是涉及一种用于制备石英坩埚的石墨电极的制备方法。
技术介绍
用电弧法制的半导体半透明石英坩埚是拉制大直径单晶硅,发展大规模集成电路必不可少的基础材料。当今,半导体产业和光伏产业已普遍采用这种坩埚取代了小的透明石英坩埚,具有高纯度、耐温性强、尺寸大精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点。与传统石墨电极相比,用于制备石英坩埚的石墨电极,主要以石油焦和石墨粉为原料,煤沥青作结合剂,经煅烧、配料、混捏、压型、焙烧、提纯石墨化而制成,是在电弧炉中以电弧形式释放电能对炉料进行加热熔化的导体。在电弧法制备石英坩埚中,石墨电极是重要的导电体。而目前,各企业对该石墨电极的制备方法的研究存在空缺。同时,添加石墨粉使石墨电极压型工艺耗能降低,成品体积密度提高。
技术实现思路
本专利技术的目的是:提供一种生产石英坩埚用的高纯石墨电极的制备方法,该方法操作简单,节约资源。本专利技术采取的技术方案是:一种用于制备石英坩埚的石墨电极的制备方法,其特点是,包含以下几个步骤:1、准备原料:原料按重量%,其组成为:粒度0.5~0mm的石油焦煅后焦颗粒65%~ ...
【技术保护点】
一种用于制备石英坩埚的石墨电极的制备方法,其特点是,它包含以下步骤:①准备原料:原料按重量%,其组成为:粒度0.5~0mm的石油焦煅后焦颗粒65%~68%,0.5~0mm石墨粉9%~11%,沥青23%~25%;②混捏:将分级的配料倒入混捏锅中进行搅拌,下到混捏锅内沥青温度145~150℃,混捏的干混时间:45分钟,温度118~130℃;混捏的湿混时间:35分钟,温度145~160℃;③压型:将混捏的糊料倒入成型容器中,通过压力机将糊料从成型容器的开口处挤出,预压压力20MPa,挤压压力在8~13Mpa,挤压电极长度为710mm或1410~1430mm,直径为φ40~65mm ...
【技术特征摘要】
1.一种用于制备石英坩埚的石墨电极的制备方法,其特点是,它包含以下步骤:①准备原料:原料按重量%,其组成为:粒度0.5~0mm的石油焦煅后焦颗粒65%~68%,0.5~0mm石墨粉9%~11%,沥青23%~25%;②混捏:将分级的配料倒入混捏锅中进行搅拌,下到混捏锅内沥青温度145~150℃,混捏的干混时间:45分钟,温度118~130℃;混捏的湿混时间:35分钟,温度145~160℃;③压型:将混捏的糊料倒入成型容器中,通过压力机将糊料从成型容器的开口处挤出,预压压力20MPa,挤压压力在8~13Mpa,挤压电极长度为710mm或1410~1430mm,直径为φ40~65mm;④一次焙烧:将经压型的待烧品放入焙烧炉中,在隔绝空气的情况下,按升温曲线逐步加热,在最高温度850~870℃条件下进行一次焙烧260~300小时;⑤浸渍:将一次焙烧品放入高压...
【专利技术属性】
技术研发人员:臧文平,张勇,
申请(专利权)人:天津锦美碳材科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:12[]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。