发光二极管封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其中，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的至少两个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。该发光二极管封装结构通过以碳纳米管薄膜作为电极层，因碳纳米管薄膜具有导电性及透光性，使该发光二极管封装结构提升了出光效率。本发明专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
现有的发光二极管封装结构一般包括一个发光二极管芯片，及位于该发光光二极 管芯片两外表面的二个电极及用以封装保护该发光二极管芯片及电极的压克力或环氧树 脂等胶体材料。但是，该封装结构的两个电极一般利用金或铜等不透明的金属材料制成，这降低 了发光二极管封装结构的出光效率。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种可提升出光效率的发光二极管封装结构及其制造方 法。一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其中，该 发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的至少两 个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄 膜电极层。一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括提供一个发光二极管芯片结构，其包括一个基板及一个位于该基板上的发光二极 管芯片层；蚀刻该发光二极管芯片层以形成至少两个发光二极管芯片；在该至少两个发光二极管芯片的表面形成一个透明的第二碳纳米管薄膜电极 层；去除该基板；在该至少两个发光二极管芯片的另一个表面形成第一碳纳米管薄膜电极层；及封装该发光二极管芯片结构。一种发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其特征在于，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的至少两个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳米管薄膜电极层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，其包括封装体和位于该封装体内的发光单元，其特征在 于，该发光单元包括一个第一碳纳米管薄膜电极层、位于该第一碳纳米管薄膜电极层上的 至少两个发光二极管芯片以及一个位于该至少两个发光二极管芯片上且透明的第二碳纳 米管薄膜电极层。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一碳纳米管薄膜电极 层的厚度大于该第二碳纳米管薄膜电极层的厚度。3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，每个该发光二极管芯片包 括一个具有微结构的出光面，该第二碳纳米管薄膜电极层位于该出光面上。4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该微结构为形成在该出光 面的多个凹槽，该多个凹槽的内壁分布有该第二碳纳米管薄膜电极层。5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还 包括一个形成在该第二碳纳米管薄膜电极层上的荧光层。6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该至少两个发光二极管芯 片均为蓝光发光二极管芯片。7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管封装结构还 包括一个形成在该第一碳纳米管薄膜电极层外表面的光反射层。8.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该第一碳纳米管薄膜电极 层及该第二碳纳米管薄膜电极层均包括两个碳纳米管薄膜层，该两个碳纳米管薄膜层的碳 纳米管的排列方向大致相互垂直。9.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆世平，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]