白光发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种白光发光元件，其发出的白光具有至少一第一波长的第一色光成分、一第二波长的第二色光成分，以及一第三波长的第三色光成分，且该第一波长较该第二波长短，该第二波长较该第三波长短。该白光发光元件包括一封装板、一第一发光元件设置于封装板上，该第一发光元件包括一第一光源以发出该第一色光成分，及一第二光源以发出该第二色光成分。一透明保护层，具有一实质的平坦表面，覆盖该第一发光元件。一第二发光元件设置于该透明保护层的平坦表面上，该第二发光元件发出该第三色光成分，该第三色光成分分别转换自该第一色光成分及该第二色光成分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体光电元件，特别有关于一种白光发光二极管(white light emitting diode，LED)。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode，LED)是1960年代所发展的一种特殊的半导体二极管形式。最简单的发光二极管(LED)型态包括由p-型半导体与n-型半导体与之间所形成的pn结(pn junction)。当电流通过上述pn结时，便产生电荷载流子(charge-carrier)，即电子与空穴。于此过程中，电子与空穴结合而以光子(photon)形式释放出能量。现今的高效能发光二极管包括一或多层的发光层，夹置于p-型与n-型半导体区域之间，以改善发光效能。上述一或多层的发光层已可获致所欲的发光波长。发光二极管元件的基本结构包括小块的上述材料叠层，通称做芯片(die)。芯片可置于框架或基板(baseboard)上，供电接触或机械性承载，并且胶封以保护。就发光二极管而言，其发光波长取决于发光材料层的能隙(band-gap)的能量差。化合物半导体是一种适合作为发光层的材料，其具有相对应于近红外线(near infrared(IR))、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光发光元件，其发出的白光具有至少一第一波长的第一色光成分、一第二波长的第二色光成分以及一第三波长的第三色光成分，且该第一波长较该第二波长短，该第二波长较该第三波长短，该白光发光元件包括：一封装板；一第一发光元件，设置于 该封装板上，该第一发光元件包括一发出该第一色光成分的第一光源，以及发出该第二色光成分的第二光源；一透明保护层，具有一实质的平坦表面，覆盖该第一发光元件；以及一第二发光元件，设置于该透明保护层的平坦表面上，该第二发光元件发出该 第三色光成分，该第三色光成分分别转换自该第一色光成分及该第二色光成分。

【技术特征摘要】
1.一种白光发光元件，其发出的白光具有至少一第一波长的第一色光成分、一第二波长的第二色光成分以及一第三波长的第三色光成分，且该第一波长较该第二波长短，该第二波长较该第三波长短，该白光发光元件包括一封装板；一第一发光元件，设置于该封装板上，该第一发光元件包括一发出该第一色光成分的第一光源，以及发出该第二色光成分的第二光源；一透明保护层，具有一实质的平坦表面，覆盖该第一发光元件；以及一第二发光元件，设置于该透明保护层的平坦表面上，该第二发光元件发出该第三色光成分，该第三色光成分分别转换自该第一色光成分及该第二色光成分。2.如权利要求1所述的白光发光元件，其中该第一发光元件的第一光源包括一第一有源层；一空穴源层，提供多个空穴至该第一有源层；以及一电子源层，提供多个电子至该第一有源层，致使至少部分的多个电子与至少部分的多个空穴于该第一有源层结合而产生具第一波长的光；其中该第一发光元件的第二光源包括一第二有源层；一空穴源层，提供多个空穴至该第二有源层；以及一电子源层，提供多个电子至该第二有源层，致使至少部分的多个电子与至少部分的多个空穴于该第二有源层结合而产生具第二波长的光。3.如权利要求2所述的白光发光元件，其中该第一与该第二有源层实质上由InGaN组成；该空穴源层实质上由p-型GaN组成；以及该电子源层实质上由n-型GaN组成。4.如权利要求1所述的白光发光元件，其中该第二发光元件的第三光源实质上由AlGaInP组成。5.如权利要求1所述的白光发光元件，其中该第二发光元件的第三光源实质上由GaxIn1-xP组成，其中0＜x＜1。6.如权利要求1所述的白光发光元件，其中该第一色光成分是一蓝色光，该第二色光成...

【专利技术属性】
技术研发人员：武东星，洪瑞华，吴孟斋，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]