双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，包括基岛（１）、引脚（２）、无填料的塑封料（环氧树脂）（３）、导电或不导电粘结物质（６）、芯片（７）、金属线（８）和有填料塑封料（环氧树脂）（９），所述引脚（２）正面延伸到基岛（１）旁边，在所述基岛（１）和引脚（２）的上部以及芯片（７）和金属线（８）外包封有填料塑封料（９），在所述基岛（１）和引脚（２）外围的区域、引脚（２）与基岛（１）之间的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），且使所述基岛和引脚背面尺寸小于基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构，其特征在于：所述有填料塑封料（９）将引脚（２）正面局部单元进行包覆。本实用新型专利技术封装结构不会再有产生掉脚的问题和能使金属线的长度缩短。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构。属于半导体封装

技术介绍
传统的芯片封装结构的制作方式是采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电 镀层后，即完成引线框的制作(如图43所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行蚀 刻。该法存在以下不足因为塑封前只在金属基板正面进行了半蚀刻工作，而在塑封过程中塑封料只有包 裹住引脚半只脚的高度，所以塑封体与引脚的束缚能力就变小了，如果塑封体贴片到PCB 板上不是很好时，再进行返工重贴，就容易产生掉脚的问题(如图44所示)。尤其塑封料 的种类是采用有填料时候，因为材料在生产过程的环境与后续表面贴装的应力变化关系， 会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝，其特性是填料比例越高则越硬越脆越容易产生裂 缝。另外，由于芯片与引脚之间的距离较远，金属线的长度较长，如图45 46所示， 金属线成本较高(尤其是昂贵的纯金质的金属线)；同样由于金属线的长度较长，使得芯片 的信号输出速度较慢(尤其是存储类的产品以及需要大量数据的计算，更为突出)；也同样 由于金属线的长度较长，所以在金属线所存在的寄生电阻/寄生电容与寄生电杆对信号的 干扰也较高；再由于芯片与引脚之间的距离较远，使得封装的体积与面积较大，材料成本较 高，废弃物较多。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种不会再有产生掉脚的问题和能使 金属线的长度缩短的双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构。本技术的目的是这样实现的包括基岛、引脚、无填料的塑封料(环氧树脂)、 导电或不导电粘结物质、芯片、金属线和有填料塑封料(环氧树脂)，所述引脚正面延伸到 基岛旁边，在所述基岛和引脚的正面设置有第一金属层，在所述基岛和引脚的背面设置有 第二金属层，在所述基岛正面第一金属层上通过导电或不导电粘结物质设置有芯片，芯片 正面与引脚正面第一金属层之间用金属线连接，在所述基岛和引脚的上部以及芯片和金属 线外包封有填料塑封料(环氧树脂)，在所述基岛和引脚外围的区域、引脚与基岛之间的区 域以及引脚与引脚之间的区域嵌置有无填料的塑封料(环氧树脂)，所述无填料的塑封料 (环氧树脂)将基岛和引脚下部外围、引脚下部与基岛下部以及引脚下部与引脚下部连接 成一体，且使所述基岛和引脚背面尺寸小于基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的基岛和 引脚结构，其特征在于所述有填料塑封料(环氧树脂)将引脚正面局部单元进行包覆。本技术的有益效果是1、确保不会再有产生掉脚的问题由于引线框采用了双面蚀刻的工艺技术，所以可以轻松的规划设计与制造出上大 下小的引脚结构，可以使上下层塑封料紧密的将上大下小的引脚结构一起包裹住，所以塑 封体与引脚的束缚能力就变大了，不会再有产生掉脚的问题。2、确保金属线的长度缩短1)由于应用了引线框背面与正面分开蚀刻的技术，所以能够将引线框正面的引脚 尽可能的延伸到后续需装芯片的区域旁边，促使芯片与引脚距离大幅的缩短，如图2 图 3，如此金属线的长度也缩短了，金属线的成本也可以大幅的降低(尤其是昂贵的纯金质的 金属线)；2)也因为金属线的长度缩短使得芯片的信号输出速度也大幅的增速(尤其存储 类的产品以及需要大量数据的计算，更为突出)，由于金属线的长度变短了，所以金属线所 存在的寄生电阻/寄生电容与寄生电杆对信号的干扰也大幅度的降低。3、使封装的体积与面积可以大幅度的缩小因运用了引脚的延伸技术，所以可以容易的制作出高脚数与高密度的脚与脚之间 的距离，使得封装的体积与面积可以大幅度的缩小。4、材料成本和材料用量减少因为将封装后的体积大幅度的缩小，更直接的体现出材料成本大幅度的下降与因 为材料用量的减少也大幅度的减少废弃物环保的困扰。5、采用局部單元的单颗封装的优点有1)在不同的应用中可以将塑封体边缘的引脚伸出塑封体。2)塑封体边缘的引脚伸出塑封体外可以清楚的检查出焊接在PCB板上的情况。3)模块型的面积较大会容易因为多种不同的材料结构所产生收缩率不同的应立 变形，而局部单元的单颗封装就可以完全分散多种不同的材料结构所产生收缩率不同的应 立变形。4)单颗封装在进行塑封体切割分离时，因为要切割的厚度只有引脚的厚度，所以 切割的速度可以比模块型的封装结构要来得快很多，且切割用的刀片因为切割的厚度便薄 了所以切割刀片的寿命相对的也就变的更长了。附图说明图1 (A) 图1 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施例 1各工序示意图。图2为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例1结构示意图。图3为图2的俯视图。图4(A) 图4(R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施例 2各工序示意图。图5为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例2结构示意图。图6为图5的俯视图。图7(A) 图7 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施例 3各工序示意图。图8为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例3结构示意图。图9为图8的俯视图。图10(A) 图IO(R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列4各工序示意图。图11为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例4结构示意图。图12为图11的俯视图。图13(A) 图13 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列5各工序示意图。图14为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例5结构示意图。图15为图14的俯视图。图16(A) 图16 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列6各工序示意图。图17为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例6结构示意图。图18为图17的俯视图。图19(A) 图19 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列7各工序示意图。图20为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例7结构示意图。图21为图20的俯视图。图22(A) 图22 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列8各工序示意图。图23为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例8结构示意图。图M为图23的俯视图。图25(A) 图25 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列5各工序示意图。图沈为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例5结构示意图。图27为图沈的俯视图。图^(A) 图^(R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列6各工序示意图。图四为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例6结构示意图。图30为图四的俯视图。图31 (A) 图31 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列11各工序示意图。图32为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例11结构示意图。图33为图32的俯视图。图34(A) 图34(R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列12各工序示意图。图35为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例12结构示意图。图36为图35的俯视图。图37(A) 图37 (R)为本技术双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构实施 列13各工序示意图。图38为本技术双面图形芯片正装单颗封装结构实施例13结构示意图。图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，包括基岛（１）、引脚（２）、无填料的塑封料（３）、导电或不导电粘结物质（６）、芯片（７）、金属线（８）和有填料塑封料（９），所述引脚（２）正面延伸到基岛（１）旁边，在所述基岛（１）和引脚（２）的正面设置有第一金属层（４），在所述基岛（１）和引脚（２）的背面设置有第二金属层（５），在所述基岛（１）正面第一金属层（４）上通过导电或不导电粘结物质（６）设置有芯片（７），芯片（７）正面与引脚（２）正面第一金属层（４）之间用金属线（８）连接，在所述基岛（１）和引脚（２）的上部以及芯片（７）和金属线（８）外包封有填料塑封料（９），在所述基岛（１）和引脚（２）外围的区域、引脚（２）与基岛（１）之间的区域以及引脚（２）与引脚（２）之间的区域嵌置有无填料的塑封料（３），所述无填料的塑封料（３）将基岛（１）和引脚下部外围、引脚（２）下部与基岛（１）下部以及引脚（２）下部与引脚（２）下部连接成一体，且使所述基岛和引脚背面尺寸小于基岛和引脚正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构，其特征在于：所述有填料塑封料（９）将引脚（２）正面局部单元进行包覆。

【技术特征摘要】
1.一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，包括基岛(1)、引脚O)、无填料的 塑封料(3)、导电或不导电粘结物质(6)、芯片(7)、金属线⑶和有填料塑封料(9)，所述引 脚(2)正面延伸到基岛(1)旁边，在所述基岛(1)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4)， 在所述基岛(1)和引脚( 的背面设置有第二金属层(5)，在所述基岛(1)正面第一金属层 (4)上通过导电或不导电粘结物质(6)设置有芯片(7)，芯片(7)正面与引脚(2)正面第一 金属层⑷之间用金属线⑶连接，在所述基岛⑴和引脚⑵的上部以及芯片(7)和金 属线⑶外包封有填料塑封料(9)，在所述基岛⑴和引脚⑵外围的区域、引脚(2)与基 岛⑴之间的区域以及引脚⑵与引脚⑵之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3)，所述 无填料的塑封料⑶将基岛(1)和引脚下部外围、引脚(2)下部与基岛(1)下部以及引脚 (2)下部与引脚( 下部连接成一体，且使所述基岛和引脚背面尺寸小于基岛和引脚正面 尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构，其特征在于所述有填料塑封料(9)将引脚O)正 面局部单元进行包覆。2.根据权利要求1所述的一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，其特征在于 基岛(1)背面露出所述无填料的塑封料(3)。3.根据权利要求1所述的一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，其特征在于 基岛(1)正面中央区域下沉。4.根据权利要求1所述的一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，其特征在于 基岛(1)背面埋入所述无填料的塑封料(3)内。5.根据权利要求1所述的一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，其特征在于 所述基岛(1)正面设置成多凸点状结构。6.根据权利要求2 5其中之一所述的一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结 构，其特征在于所述基岛⑴有多个，引脚⑵有单圈。7.根据权利要求1所述的一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，其特征在 于所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第二基岛(1.2)，所述第二基岛 (1.2)正面中央区域下沉，在所述第一基岛(1.1)和引脚O)的正面设置有第一金属层 (4)，在所述第一基岛(1. 1)、第二基岛(1.2)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5)，在 第二基岛(1.2)正面中央下沉区域和第一基岛(1. 1)正面通过导电或不导电粘结物质(6) 设置有芯片(7)，芯片(7)正面与引脚O)正面第一金属层(4)之间以及芯片(7)与芯片 (7)之间均用金属线⑶连接，在所述引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1. 1)之 间的区域、第一基岛(1. 1)与第二基岛(1. 2)之间的区域、第二基岛(1. 2)与引脚⑵之间 的区域以及引脚( 与引脚( 之间的区域嵌置无填料塑封料(3)，所述无填料塑封料(3) 将引脚下部外围、引脚(2)与第一基岛(1. 1)下部、第一基岛(1. 1)与第二基岛(1. 2)下部、 第二基岛(1.2)与引脚⑵下部以及引脚(2)与引脚⑵下部连接成一体，所述引脚(2) 设置有单圈。8.根据权利要求1所述的一种双面图形芯片正装先镀后刻单颗封装结构，其特征在于 所述基岛(1)有二组，一组为第一基岛(1.1)，另一组为第三基岛(1.3)，在所述第一基岛 (1. 1)第三基岛(1.3)和引脚O)的正面设置有第一金属层G)，在所述第一基岛(1. 1)和 引脚O)的背面设置有第二金属层(5)，在基岛(1)正面通过导电或不导电粘结物质(6) 设置有芯片(7)，芯片(7)正面与引脚(2)正面第一金属层(4)之间以及芯片(7)与芯片(7)之间均用金属线⑶连接，在所述基岛⑴和引脚(2)的上部以及芯片(7)和金属线 ⑶外包封有填料塑封料(9)，在所述引脚⑵外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1. 1)之 间的区域、第三基岛(1.3)背面、第二基岛(1.2)与第一基岛(1. 1)之间的区域、第三基岛(1.3)与引脚⑵之间的区域以及引脚与引脚之间的区域嵌置无填料塑封料(3)，所述无填 料塑封料(3)将引脚下部外围、引脚(2)与第一基岛(1. 1)下部、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]