低介电常数微波介质陶瓷制造技术

本发明专利技术的低介电常数微波介质陶瓷的表达式为：ｘＣａＯ．ｙＡｌ２Ｏ３．ｚＴｉＯ２，其中，４０．０ｍｏｌ％≤ｘ≤５０．０ｍｏｌ％，４０．０ｍｏｌ％≤ｙ≤５０．０ｍｏｌ％，５．０ｍｏｌ％≤ｚ≤１５．０ｍｏｌ％，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ｍｏｌ％。该低介电常数微波介质陶瓷，其介电常数在８－１０、同时具有低损耗（Ｑｆ＞１００，０００ＧＨｚ）与近零谐振频率温度系数。利用本发明专利技术的低介电常数微波介质陶瓷，可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适合更高频率与更大功率的应用。同时，本发明专利技术提供的陶瓷亦可应用于高频与微波陶瓷电容器、温度补偿陶瓷电容器或微波基板等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波通讯系统中的介质谐振器、滤波器、振荡器及天线等元器件用 的微波介质陶瓷。
技术介绍
近年来，随着移动通讯与卫星通讯技术的迅速发展，对介质谐振器与滤波器等 微波元器件用的微波介质陶瓷的需求正在日益增长。微波通讯向高端频率的迅速发展对低介电常数、低损耗微波介质陶瓷提出了迫 切的要求。其基本性能要求为介电常数ε <10，品质因数Qf > 100,000GHz，谐振 频率温度系数τ f = 0 士 10ppm/°C。另一方面，虽然目前已有的A1203、MgAlO4等低介电常数介质陶瓷，但存在烧 结温度高、制备困难、以及谐振频率温度系数较大等缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种介电常数为8-10、同时具有低损耗(Qf> 100,000GHz)与良好的温度稳定性的微波介质陶瓷。专利技术的低介电常数微波介质陶瓷的表达式为XCa0.yAl203.zTi02，其中，40.0mol% <x<50.0mol %, 40.0mol % <y<50.0mol %, 5.Omol % <z<15.0mol%, x+y+z = IOOmol%。各成分的优选含量为χ= 45mol%, y = 45mol%, ζ = 10mol%。专利技术的低介电常数微波介质陶瓷可按下述方法制备而成。首先，将纯度为99.9%以上的CaO、Al2O3及TiO2按上述比例用湿式球磨法混合 24小时(溶剂为蒸馏水)，烘干后在1150-1300°C、大气气氛中予烧3小时。然后，在 予烧粉末中添加粘结剂并造粒后，通过单轴压力成形在1000kg/Cm2的压力下制备出直径 12mm、厚度3-6mm的陶瓷坯体，最后在1350_1450°C、大气气氛中烧结3小时以制备所 需的微波介质陶瓷。上述粘结剂可采用浓度为3% 8%的聚乙烯醇溶液。本专利技术的低介电常数微波介质陶瓷，其介电常数在8-10、同时具有低损耗(Qf > 100,000GHz)与近零谐振频率温度系数。利用本专利技术提供的低介电常数微波介质陶 瓷，可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适合更高频率与更大功率的应用。同时， 本专利技术提供的陶瓷亦可应用于高频与微波陶瓷电容器、温度补偿陶瓷电容器或微波基板 等。因此，本专利技术在工业上有着极大的价值。具体实施例方式表1示出了构成本专利技术的各成分含量的几个具体实例及其微波介电性能。其制 备方法如上所述。性能测试用粉末X线衍射法对烧结后的陶瓷试样进行物相分析，而用页圆柱介质谐振器法在IOGHz进行微波介电性能的评价。表本文档来自技高网...

【技术保护点】
低介电常数微波介质陶瓷，其特征是它的表达式为：ｘＣａＯ．ｙＡｌ↓［２］Ｏ↓［３］．ｚＴｉＯ↓［２］，其中，４０．０ｍｏｌ％≤ｘ≤５０．０ｍｏｌ％，４０．０ｍｏｌ％≤ｙ≤５０．０ｍｏｌ％，５．０ｍｏｌ％≤ｚ≤１５．０ｍｏｌ％，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ｍｏｌ％。

【技术特征摘要】
1.低介电常数微波介质陶瓷，其特征是它的表达式为XCa0.yAl203.zTi02，其中， 40.Omol % <x<50.0mol %，40.Omol % <y<50.0mol %，5...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈湘明，易磊，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]