【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供了一种在矩形N型硅薄膜上制作矩形的P型半导体硅薄层作为传感层 的微机电压力传感器结构，利用电阻抗断层成像(EIT)测量原理进行传感计算，属于微机 电
技术介绍
压力传感器是重要的传感器之一，有着非常广泛的用途。目前的大多数压力传感 器采用集总参数的测量方法，例如，检测压敏电阻变化或平板电容变化的方法。压敏电阻的 对称性要求高，而平板电容器结构存在电容变化量小以及非线性的问题。P型硅具有比较明显的压阻效应，常用于传感材料受到的张应力或压应力。传统的 微机电压力传感器采用由P型硅制作的压阻来传感，将压阻制作在压力传感薄膜应力最大 的位置，例如在压力传感薄膜的边界处。当外界的压力使传感薄膜发生形变时，也使这些压 阻受到应力的作用并导致其电阻的大小发生变化。对于这些压阻式传感器的检测常常采用 惠斯顿电桥，但是，因为用于传感的压阻通常位于压力传感薄膜边界，工艺的离散性使这些 电阻间产生失配，并因此使惠斯顿电桥检测出现初始误差。当采用P型半导体硅薄层作为传感材料时，形变所产生的薄层上应力分布将发生 变化，这种应力分布变化将导致薄层电阻率分布发生变化。...
【技术保护点】
一种矩形硅薄膜微机电压力传感器，其特征在于该传感器的最下层是玻璃基片（１０７），在玻璃基片（１０７）上设有Ｎ型硅衬底（１０１），在Ｎ型硅衬底（１０１）中间与玻璃基片（１０７）之间设有矩形空腔（１０６），矩形Ｐ型掺杂薄层（１０２）覆盖整个位于矩形空腔（１０６）上方的Ｎ型硅衬底（１０１）的硅薄膜，作为传感层的微机电压力传感器结构，并且Ｐ型掺杂薄层（１０２）的厚度等于该硅薄膜厚度的一半，采用矩形的Ｐ型掺杂薄层（１０２）作为传感层；在Ｎ型硅衬底（１０１）和矩形Ｐ型掺杂薄层（１０２）的上表面覆盖了二氧化硅层（１０３），二氧化硅层上是即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极（１０５）...
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。