相变存储器自适应性编程制造技术

一些实施例包括方法及设备，所述方法及设备具有模块，所述模块经配置以：使用信号对存储器单元进行编程以致使所述存储器单元具有经编程电阻值；在所述经编程电阻值在目标电阻值范围之外的情况下调整所述信号的编程参数值；及在所述经编程电阻值在所述目标电阻值范围之外的情况下重复所述编程及所述调整中的至少一者，每次重复所述编程时所述信号包括不同编程参数值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相变存储器自适应性编程相关申请案交叉参考本专利申请案请求对2008年3月14日提出申请的美国申请案第12/049，072号 的优先权权益，此美国申请案以引用方式并入本文中。
技术介绍
计算机及例如数字电视、数码相机及蜂窝式电话等其它电子产品通常具有存储器 装置以存储数据及其它信息。一些常规存储器装置可基于存储器单元的存储节点上的电荷 量来存储信息。存储节点通常由例如硅等半导体材料制成。存储节点上的电荷的不同值可 表示存储于存储器单元中的信息位的不同值(例如，二进制值“0”及“ 1”)。其它常规存储器装置(例如，相变存储器装置)可基于存储器单元的存储器元件 的电阻状态来存储信息。存储器元件可具有在被编程时可在不同相(例如，结晶相与非晶 相)之间改变的材料。所述材料的不同相可致使存储器单元具有有不同电阻值的不同电阻 状态。存储器元件的不同电阻状态可表示存储于存储器中的信息的不同值。在一些相变存储器装置中，配置存储器单元以增加数据存储密度或对存储器单元 进行编程以满足一些装置性能规范可引起挑战。附图说明图1显示根据本专利技术的实施例具有有相变存储器单元的存储器阵列的存储器装 置的框图。图2显示根据本专利技术的实施例具有包括具有存取组件及存储器元件的相变存储 器单元的存储器阵列的存储器装置的局部框图。图3到图5显示根据本专利技术的各种实施例具有耦合到存储器元件的不同存取组件 的不同存储器单元的实例的示意图。图6到图9显示根据本专利技术的各种实施例具有存储器元件的存储器单元，所述存 储器元件具有经配置以具有对应于各个电阻值的各个电阻状态的结构。图10是显示图6到图9的存储器元件的实例性电阻值及基于所述实例性电阻值 的实例性对应所存储信息值的图表。图11到图14显示根据本专利技术的各种实施例具有存储器元件的另一存储器单元， 所述存储器元件具有经配置以具有对应于各个电阻值的各个电阻状态的另一结构。图15是在根据本专利技术的实施例的用以重设存储器单元(例如，图1到图14的存 储器单元中的一者)的编程操作期间的温度对时间图。图16是在参照图15所描述的编程操作期间所使用的信号的电流对时间图。图17是在参照图15所描述的编程操作期间所使用的另一信号的电流对时间图。图18是在根据本专利技术的实施例的用以设定存储器单元(例如，图1到图14的存 储器单元)的存储器元件的编程操作期间的温度对时间图。图19是参照图18所描述的编程操作可使用的信号的电流对时间图。图20是显示在根据本专利技术的实施例的编程操作期间用作目标值的电阻值与电流 值之间的关系的曲线图。图21是在根据本专利技术的实施例的编程操作期间所使用的不同信号的电流对时间 图，所述不同信号有具有可调整振幅值的脉冲。图22是显示在根据本专利技术的实施例的实例性编程操作期间的电阻对电流的图。图23是显示在与图22相关联的实例性编程操作期间所使用的基于初始目标电流 值的各个经调整电流值的图。图24是显示在根据本专利技术的实施例的实例性编程操作期间的电阻对电流的图， 所述编程操作使用基于斜率计算的经调整电流值。图25是显示在与图24相关联的实例性编程操作期间所使用的各个经调整电流值 的图。图26是显示在根据本专利技术的实施例的编程操作期间用作目标值的电阻值与转变 时间值之间的关系的曲线图。图27是显示在根据本专利技术的实施例的编程操作期间所使用具有脉冲的不同信号 的图，所述脉冲具有可调整转变时间值。图28是显示在根据本专利技术的实施例的实例性编程操作期间的电阻对转变时间的 图。图29是显示在与图28相关联的实例性编程操作期间所使用的基于初始目标转变 时间值使用的各个经调整转变时间值的图。图30是显示根据本专利技术的实施例操作装置的方法的流程图。图31是显示与图30相关联的方法的目标电阻值与对应目标电流值之间的关系的表。图32是显示与图30相关联的方法的目标电阻值与对应目标转变时间值之间的关 系的表。图33是显示根据本专利技术的实施例操作装置(包括振幅值调整)的方法的流程图。图34是显示根据本专利技术的实施例操作装置(包括转变时间值调整)的方法的流 程图。具体实施例方式图1显示根据本专利技术实施例具有有相变存储器单元100的存储器阵列102的存储 器装置101的框图。存储器单元100可与线104 (例如，具有信号WLO到WLm的字线)及 线106(例如，具有信号BLO到BLn的位线)一起布置成行及列。存储器装置101可使用线 104及线106来与存储器单元100传送信息。行解码器107及列解码器108可对线109 (例 如，地址线)上的地址信号AO到AX解码以确定将存取哪些存储器单元100。感测放大器电 路110可操作以确定从存储器单元100读取的信息的值且将所述信息以信号形式提供到线 106。感测放大器电路110还可使用线106上的信号来确定将写入到存储器单元100的信 息的值。存储器装置101可包括用以在存储器阵列102与线(例如，数据线)105之间传送 信息的电路112。线105上的信号DQO到DQN可表示从存储器单元100读取或写入到存储 器单元100中的信息。线105可包括存储器装置101内的节点或存储器装置101可驻存于其中的封装上的接针(或焊料球)。存储器装置101外部的其它装置(例如，存储器控制器 或处理器)可经由线105、109及120与存储器装置101通信。存储器装置101可执行存储器操作，例如从存储器单元100读取信息的读取操作 及将信息编程(例如，写入)到存储器单元100中的编程操作(有时称作写入操作)。存储 器控制单元118可基于线120上的控制信号来控制存储器操作。线120上的控制信号的实 例可包括一个或一个以上时钟信号及指示存储器装置101可执行哪一操作(例如，编程或 读取操作)的其它信号。存储器装置101外部的其它装置(例如，处理器或存储器控制器) 可控制线120上的控制信号的值。线120上的信号的组合的特定值可产生可致使存储器装 置101执行对应存储器操作(例如，编程或读取操作)的命令(例如，编程或读取命令)。存储器单元100中的每一者可经编程以存储表示单个位的值或多个位(例如，两 个、三个、四个或另一数目个位)的值的信息。举例来说，存储器单元100中的每一者可经 编程以存储表示单个位的二进制值“0”或“1”的信息。在另一实例中，存储器单元100中 的每一者可经编程以存储表示多个位的值(例如，两个位的四个可能值“00”、“01”、“10”及 “ 11” 中的一者、八个可能值 “000 ”、“001 ”、“010 ”、“011 ”、“ 100 ”、“ 101”、“ 110 ” 及 “ 111” 中 的一者，或另一数目个多个位的其它值中的一者)的信息。存储器装置101可接收供电电压，包括分别位于线130及132上的供电电压信号 Vcc及Vss。供电电压信号Vss可以接地电位(例如，具有约零伏的值)操作。供电电压信 号Vcc可包括从外部电源(例如，电池或交流到直流(AC-DC)转换器电路)供应到存储器 装置101的外部电压。存储器装置101的电路112可包括选择电路115及输入/输出(I/O)电路116。 选择电路115可响应于信号SELl到SELn来选择可表示从存储器单元100读取或编程到存 储器单元100中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包含：　　使用信号对存储器单元进行编程以致使所述存储器单元具有经编程电阻值；　　在所述经编程电阻值在目标电阻值范围之外的情况下调整编程参数值；及　　在所述经编程电阻值在所述目标电阻值范围之外的情况下重复所述编程及所述调整中的至少一者，其中每次重复所述编程时所述信号包括不同编程参数值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]