具有驱动器的数据单元及其制造方法和操作方法技术

本发明专利技术揭示方法及装置，其中装置包括：第一半导体鳍状物，其具有第一栅极；第二半导体鳍状物，其邻近于所述第一半导体鳍状物且具有第二栅极；以及第三栅极，其在所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物之间延伸。在一些实施例中，所述第三栅极可不电连接到所述第一栅极或所述第二栅极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大体来说涉及电子装置，且更具体来说，在某些实施例中，涉及具 有具驱动器的数据单元的电子装置。
技术介绍
许多类型的电子装置具有多个数据单元。通常，所述数据单元各自包括一数据元 件(例如，存储器元件、成像元件，或经配置以输出数据的其它装置(例如，各类传感器)) 及(在一些例子中)一存取装置(例如，晶体管或二极管)。大体上，存取装置控制对数据 元件的存取，且数据元件输出指示所存储或所感测的数据的信号。在一些电子装置中，来自所述数据元件的信号过弱而不能被可靠地感测到。通常， 将所述数据元件制造成相对小以增加电子装置的功能性且降低其成本。但是，此实践的一 个结果是一些数据元件输出相对弱(例如，低强度)的信号。结果，可难以使用所述信号来 实现有用的目的，例如指示由数据元件存储或感测的数字值(例如，0、1、00、01等)或模拟值。附图说明图1到图29说明用于根据本技术的一实施例形成存取装置及驱动器的过程中的 步骤；图30说明可以图1到图29所说明的存取装置及驱动器形成的单一数据单元的电 路示意图；图31到图38说明用于形成连接到图1到图30的存取装置及驱动器的数据元件 的过程；图39及图40说明根据本技术的实施例的数据单元阵列的两个实施例；图41到图57说明用于根据本技术的一实施例形成存取装置及驱动器的过程的第 二实施例中的步骤；以及图58到图63说明以通过图41到图57的过程产生的存取装置及驱动器形成的数据单元。具体实施例方式图1说明用于形成存取装置及驱动器的过程中的第一步骤。所述过程可开始于提 供衬底110。衬底110可包括半导体材料(例如，单晶或多晶硅、砷化镓、磷化铟)或具有 半导体性质的其它材料。另外或其它，衬底110可包括上面可构造有电子装置的非半导体 主体，例如，例如塑料或陶瓷加工面等主体。术语“衬底”包含各个制造阶段中的这些结构， 包括未经处理的完整晶片、部分处理的完整晶片、完全处理的完整晶片、经切割晶片的一部 分，或在经封装的电子装置中经切割晶片的一部分。衬底110可包括上部掺杂区112及下部掺杂区114。上部掺杂区112的深度在衬底110的实质区域上可为大体上均勻的，且上部掺杂区112可与下部掺杂区114不同地掺 杂。举例来说，上部掺杂区112可包括η+材料，且下部掺杂区114可包括ρ-材料，或反之 亦然。接下来，如由图2所说明，可在衬底110上形成若干个膜。可在上部掺杂区112上 直接形成衬垫氧化物116。衬垫氧化物116可具有小于300 Α (例如，通常接近于80 Α)的 厚度。可在衬垫氧化物116上形成终止体(例如，层)118。终止体118可包括氮化物，且其 可具有小于300 A (例如，通常接近于95 Α)的厚度，但如同本文所描述的其它结构，终止 体118不限于这些尺寸或材料。可在终止体118上形成牺牲体120。牺牲体120可由多晶 硅制成，且其可具有在500 A与2,000 A之间(例如，通常接近于1000 A )的厚度。可在牺 牲体120上形成下部遮蔽体122。下部遮蔽体122可由氧化物制成，且其可具有在500 A与 2,000 A之间(例如，通常接近于1000 A )的厚度。最后，可在下部遮蔽体122上形成上部 遮蔽体124。上部遮蔽体124可由碳制成，且其可具有在1000 A与3000 A之间(例如，通常 接近于2000 A )的厚度。可通过化学气相沉积、自旋涂布或此项技术中已知的其它工艺来 形成这些材料116、118、120、122及其它材料。接下来，如由图3所说明，可形成列掩模126。(术语“列”不指代衬底110上的除 了一方向(所述方向不同于随后介绍的行延伸的方向)之外的任何特定水平方向。)列掩模 126可包括一线图案，其界定具有宽度128的遮蔽区及具有宽度130的暴露区。宽度128与 130可大体上彼此相等且各自大体上等于平版印刷分辨率极限(例如，光刻分辨率极限)， 被称为“F”。列掩模126可具有大体上等于2F的间距132。由列掩模126形成的线可大体 上为直的、大体上彼此平行，且可大体上在X方向上延伸。这些线在X方向上可大体上为连 续的且大体上均勻。但是，在其它实施例中，由列掩模126形成的线可具有其它形状，例如， 其可成波浪形(例如，上下、左右或两者皆有)，其在X方向上宽度可改变，或其可由多个较 短片段来形成。在形成列掩模126后，如由图4所说明，可形成列硬掩模134。可通过大体上各向 异性地蚀刻(例如，用方向性等离子蚀刻)安置于未由列掩模126覆盖的区下方的上部遮 蔽体124的部分及下部遮蔽体122的部分来形成列硬掩模134。在一些实施例中，所述蚀刻 可终止于牺牲体120上或牺牲体120中。接下来，如由图5所说明，可移除列掩模126，且可在列硬掩模134的侧壁上形成列 间隔片136。可通过沉积大体上共形的膜(例如，在垂直及水平结构两者上具有大体上均勻 的厚度的膜)且接着各向异性地蚀刻所述膜以将其从水平表面移除从而在衬底110上留下 抵靠大体上垂直的表面而安置的材料来形成列间隔片136。列间隔片136可由氧化物制成， 且其可具有小于IOOnm(例如，小于或大体上等于36nm)的宽度138。列间隔片136可使由 列硬掩模134暴露的区域变窄到宽度140，宽度140小于或等于F，例如，大体上等于或小于 3/4F、l/2F 或 1/4F。接下来，如由图6所说明，可形成列隔离沟槽142。可通过大体上各向异性地蚀刻 列间隔片136之间的暴露区来形成列隔离沟槽142。列隔离沟槽142可具有对应于宽度140 的宽度141 (例如，大体上等于宽度140或与宽度140成比例)。列隔离沟槽142可大体上 在X方向上延伸，且可大体上彼此平行且大体上为直的。列隔离沟槽142的横截面形状在X 方向上可大体上均勻。在一些实施例中，列隔离沟槽142可具有在500 A与5000 A之间(例如，大体上等于2500 A)的深度144。如由图7所说明，在形成列隔离沟槽142后，可用电介质146来部分地或完全地填 充列隔离沟槽142。电介质146可由各种材料(例如，氧化物)制成，且其可衬有各种衬层 膜(未图示)，例如氧化物衬层及氮化物衬层。在一些实施例中，在形成电介质146之前，列 隔离沟槽142的底部可植入或扩散有经选择以使在列隔离沟槽142的相对侧上的结构进一 步电隔离的掺杂剂。接下来，如由图8所说明，可平坦化衬底110。平坦化衬底110可包括蚀刻衬底110 或通过化学机械平坦化来抛光所述衬底。平坦化可包括移除上部遮蔽体124及下部遮蔽体 122两者，且平坦化可终止于牺牲体120上或牺牲体120中。另外，可移除电介质146的上 部部分。接下来，如由图9所说明，可部分地或完全地移除牺牲体120。移除此体120可包 括通过选择性地蚀刻牺牲体120而不移除所暴露电介质146的实质部分的蚀刻(即，通过 对牺牲体120具选择性的蚀刻)来湿式蚀刻或干式蚀刻衬底110。如果一蚀刻移除一材料 而未移除实质量的其它类型的材料，则将所述蚀刻称为对所述材料具“选择性”。在移除牺 牲体120后，由电介质146形成的大体上垂直的突出物148可从衬底110延伸。接下来，如由图10所说明，可在电介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，其包含：第一半导体鳍状物，其具有第一栅极；第二半导体鳍状物，其邻近于所述第一半导体鳍状物且具有第二栅极；以及第三栅极，其在所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物之间延伸，其中所述第三栅极不电连接到所述第一栅极或所述第二栅极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：沃纳云林，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：US[]