电子式电度表及其串联式开关电源制造技术

一种电子式电度表及其串联式开关电源，该开关电源包括开关变压器、第一开关电路和ＰＷＭ控制器，该开关变压器与第一开关电路串接在市电整流、滤波后的输入电压端和接地端之间，该第一开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励端相连、第二端与该接地端短接而控制端与该ＰＷＭ控制器相连，还包括第二开关电路、电阻、第一稳压电路和第二稳压电路；该第二开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励端短接、第二端与该第一开关电路的第一端短接而控制端经由该电阻与输入电压端相连、经由该第一稳压电路与接地端相连并且经由该第二稳压电路与该第二开关电路的第二端相连。安全可靠，成本不高。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电力设备，尤其涉及电子式电度表。
技术介绍
现有的电子式电度表，一般要求输入电压范围非常宽，最高输入电压也比一般额 定电压在220Vac 230Vac的市电高出1. 5 2. 5倍。有的要求对电度表有"接地故障"的 要求，那么，最高输入电压可达230Vac市电的1.9倍，也就是约440Vac。现有的电子式电度 表中采用的串联式开关电源，如图l所示，市电整流、滤波后的输入电压端和接地端之间串 接有开关变压器TT的原边线圈与高压M0SFET管M2，与M2的栅极相连的P丽控制器通过控 制M2的闭合/断开，并通过TT原边线圈-副边线圈的耦合以及相关的变换电路，而将输入 电压转换为电子式电度表中有关电路的工作电源，比如5V或3. 3V。并且，现有的开关电源 集成电路内部所带的高压MOSFET管，以及通用的、分立的高压MOSFET管，由于工艺的限制， 其Vds电压(MOSFET的漏-源的截止电压) 一般只能作到600V 800V。 可见，对于电子式电度表，交流输入电压范围非常宽，最高可达到440Vac，此电压 经整流、滤波后的最高直流电压将在600V以上，如此高的输入电压加在开关电源的高压 MOSFET管上，如果M2采用Vds为600V 800V的MOSFET管作功率驱动的话，M2容易应漏 极_源极承担过高的反激电压而击穿，使得电源失效，导致电子式电度表不能正常工作。 并且，由于受MOSFET技术条件的限制， 一般Vds也很难作到1000V以上，而且其价 格也远远高出一般Vds在800V以下的高压MOSFET管，也就是说，M2直接选用高Vds的高 压MOSFET管在成本受限的前提下，不是可行的解决方案。
技术实现思路
本技术的目的在于，通过电路上的设计，提出一种采用现有的、通用的开关两 端可承受电压值较低的开关电路串联的方式作功率驱动来提升整个驱动电路的开关两端 的可承受电压值，能够安全可靠地、成本不高地满足电子式电度表的工作要求的串联式开 关电源。 为了实现上述的目的，本技术提供一种串联式开关电源，包括开关变压器、第 一开关电路和P丽控制器，该开关变压器与第一开关电路串接在市电整流、滤波后的输入 电压端和接地端之间，该第一开关电路具有第一端、第二端以及用以控制该第一端和地二 端之间通断的控制端，该第一开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励端相 连、第二端与该接地端短接而控制端与该P丽控制器相连，还包括第二开关电路、电阻、第 一稳压电路和第二稳压电路；该第二开关电路具有第一端、第二端以及用以控制该第一端 和第二端之间通断的控制端，该第二开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励 端短接、第二端与该第一开关电路的第一端短接而控制端经由该电阻与输入电压端相连、 经由该第一稳压电路与接地端相连并且经由该第二稳压电路与该第二开关电路的第二端 相连。 在本技术的一个实施例中，该第一开关电路为高压MOSFET管，其第一端、第 二端和控制端分别为该高压MOSFET管的漏极、源极和栅极；该第二开关电路为高压MOSFET 管，其第一端、第二端和控制端分别为该高压MOSFET管的漏极、源极和栅极。该第一开关电 路的高压MOSFET管的Vds电压值为600V 800V。该第二开关电路的高压M0SFET管的Vds 电压值为600V 800V。该第一稳压电路为TVS管，其最大箝位电压值为400V 600V。 与现有技术相比，本技术电子式电度表及其串联式开关电源，采用两个Vds 为600-800V的MOSFET管串联工作，通过电路上的设计使得使其工作电压可相当于这两个 串联的M0SFET管的Vds耐压之和，高压工作能力大大提高，并且从成本上考虑，两只Vds为 600-800V的M0SFET管价格也远低于一只Vds为1000V 1600V的M0SFET管，从而实现安 全可靠、成本不高的设计目的。附图说明图1是现有的串联式开关电源的电原理图。 图2是本技术的串联式开关电源实施例的电原理图。具体实施方式为了进一步说明本技术的原理和结构，现结合附图对本技术的优选实施例进行详细说明。 如图2所示，本技术的串联式开关电源实施例，其包括串接在市电整流、滤波 后的输入电压端+V和接地端之间的开关变压器TT的原边线圈与第一高压M0SFET管M2以 及与该第一高压M0SFET管M2的栅极相连的P丽控制器，串接在该开关变压器TT的原边线 圈的激励端与第一高压M0SFET管M2之间的第二高压M0SFET管Ml。第二高压M0SFET管 Ml的栅极经电阻Rl与输入电压端+V相连并经第一稳压电路Zl与接地端相连。第二高压 M0SFET管Ml的源极与第一高压MOSFET管M2的漏极短接并经第二稳压电路Z2与第二高压 M0SFET管M1的栅极相连。 其中，第一高压M0SFET管M2的Vds电压值为600V 800V。第二高压M0SFET管 Ml的Vds电压值为600V 800V。第一稳压电路Zl选用最大箝位电压值为400V 600V 的TVS管。 上述电路的工作原理是相互串联的Rl和Zl给M1的栅极提供稳定的直流电压 Zl的稳压值Vzl ;Z2用来保护M1的Vgs，当M2截止后，M1的源极电压超过栅极电压Vzl，令 Ml也处于截止状态，这样在开关变压器TT的原边线圈的激励端，也就是M1的漏极可以承 受的电压为Vzl+Vds(Ml)。如果M1的Vds = 600V，Z1选用最大箝位电压值为600V的TVS 管，则在TT的原边线圈电路的激励端的耐压最大可以达到600V+600V = 1200V,上述电源 电路可以在440Vac交流输入下安全工作。 需要说明的是，虽然上述实施例中Ml和M2均为N沟道的MOSFET管，M1还可以为 三极管、IGBT(绝缘栅双极晶体管)，而M2可以为三极管、IGBT或者是功率驱动的开关电压 集成电路内的MOSFET管。 以上所述仅为本技术的较佳可行实施例，并非限制本技术的保护范围， 故凡运用本技术说明书及附图内容所作出的等效结构变化，均包含在本技术的保4护范围内。权利要求一种串联式开关电源，包括开关变压器、第一开关电路和PWM控制器，该开关变压器与第一开关电路串接在市电整流、滤波后的输入电压端和接地端之间，该第一开关电路具有第一端、第二端以及用以控制该第一端和第二端之间通断的控制端，该第一开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励端相连、第二端与该接地端短接而控制端与该PWM控制器相连，其特征在于，还包括第二开关电路、电阻、第一稳压电路和第二稳压电路；该第二开关电路具有第一端、第二端以及用以控制该第一端和地二端之间通断的控制端，该第二开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励端短接、第二端与该第一开关电路的第一端短接而控制端经由该电阻与输入电压端相连、经由该第一稳压电路与接地端相连并且经由该第二稳压电路与该第二开关电路的第二端相连。2. 如权利要求1所述的串联式开关电源，其特征在于，该第一开关电路为高压MOSFET 管，其第一端、第二端和控制端分别为该高压M0SFET管的漏极、源极和栅极；该第二开关电 路为高压M0SFET管，其第一端、第二端和控制端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种串联式开关电源，包括开关变压器、第一开关电路和ＰＷＭ控制器，该开关变压器与第一开关电路串接在市电整流、滤波后的输入电压端和接地端之间，该第一开关电路具有第一端、第二端以及用以控制该第一端和第二端之间通断的控制端，该第一开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励端相连、第二端与该接地端短接而控制端与该ＰＷＭ控制器相连，其特征在于，还包括第二开关电路、电阻、第一稳压电路和第二稳压电路；该第二开关电路具有第一端、第二端以及用以控制该第一端和地二端之间通断的控制端，该第二开关电路的第一端与该开关变压器的原边线圈的激励端短接、第二端与该第一开关电路的第一端短接而控制端经由该电阻与输入电压端相连、经由该第一稳压电路与接地端相连并且经由该第二稳压电路与该第二开关电路的第二端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李常波，
申请(专利权)人：深圳长城开发科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]