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磁记录介质基板用玻璃、磁记录介质基板、磁记录介质和它们的制造方法技术

技术编号:5054966 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供能够实现化学耐久性优异、具有极平滑表面的磁记录介质基板的磁记录介质基板用玻璃、由上述玻璃构成的磁记录介质基板、具备上述基板的磁记录介质和它们的制造方法。磁记录介质基板用玻璃为如下玻璃I、玻璃II以及玻璃III。所述玻璃I以质量%表示,含有Si?20~40%、Al?0.1~10%、Li?0.1~5%、Na?0.1~10%、K?0~5%(其中,Li、Na和K的总含量为15%以下)、Sn?0.005~0.6%、Ce?0~1.2%,且Sb含量为0~0.1%、不含有As和F;所述玻璃II以氧化物为基准进行换算,以摩尔%表示,含有SiO2?60~75%、Al2O3?1~15%、Li2O?0.1~20%、Na2O?0.1~15%、K2O?0~5%(其中,Li2O、Na2O和K2O的总含量为25%以下),基于玻璃成分总量,进一步添加有0.01~0.7质量%的Sn氧化物、0~1.4质量%的Ce氧化物,并且Sb氧化物的含量为0~0.1质量%,且不含有As和F;所述玻璃III以氧化物为基准进行换算,以摩尔%表示,含有SiO2?60~75%、Al2O3?1~15%、Li2O?0.1~20%、Na2O?0.1~15%、K2O?0~5%(其中,Li2O、Na2O和K2O的总含量为25%以下),所述玻璃III还含有Sn氧化物和Ce氧化物,基于玻璃成分总量,Sn氧化物和Ce氧化物的总含量为0.1~3.5质量%,Sn氧化物的含量相对于Sn氧化物和Ce氧化物的总含量之比(Sn氧化物的含量/(Sn氧化物的含量+Ce氧化物的含量))为0.01~0.99,Sb氧化物的含量为0~0.1%,并且不含有As和F。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘等磁记录介质的基板的玻璃、由上述玻璃构成的磁记录介质 基板以及具备上述基板的磁记录介质。此外,本专利技术还涉及上述磁记录介质基板的制造方 法和上述磁记录介质的制造方法。
技术介绍
随着电子技术、特别是计算机所代表的信息相关技术的发展,对磁盘、光盘、光磁 盘等信息记录介质的需要急速增加。计算机等的磁存储装置的主要构成要件是磁记录介质 和磁记录再生用的磁头。作为磁记录介质,软盘和硬盘是众所周知的。其中,作为硬盘(磁 盘)用的基板材料,例如,有铝基板、玻璃基板、陶瓷基板、碳基板等。就实用而言,根据尺 寸、用途的不同,主要使用铝基板和玻璃基板。但是,随着笔记本电脑用硬盘驱动器的小型 化、磁记录的高密度化,对硬盘基板的表面平滑性和薄型化的要求更加严格,因此利用加工 性、强度、刚性较差的铝基板来应对这些要求时,存在限制。于是,近年来,出现了具有高强 度、高刚性、高耐冲击性、高表面平滑性的磁盘用玻璃基板。近年来,为了实现信息记录介质的进一步高记录密度化(例如IOOGbit/英寸2以 上的高记录密度化),采用了垂直磁记录方式。通过采用垂直磁记录方式,能够显著提高记 录密度。另一方面,为了实现高记录密度化,需要使用于数据的写入、读取的读写头(例如 磁头)与介质表面之间的距离(磁记录介质的情况下,称为飞行高度。)极小,为8nm以下。 但是,如果基板表面的平滑性较低,则基板表面的凹凸反映在介质表面上,无法使上述读写 头与介质表面的距离接近,妨碍线记录密度提高。因此,为了应对采用垂直磁记录方式实现 的高记录密度化,需要具有显著高于现有技术的平滑性的信息记录介质用玻璃基板。另一方面,在信息记录介质用玻璃基板上不允许附着异物,因此需实施充分的清 洗。清洗时使用酸、碱等作为洗剂。但是,若构成基板的玻璃的化学耐久性(耐酸性、耐碱 性、耐水性)不充分优异,则即使在制造工序中将基板表面精加工得较平滑,也会产生表面 粗糙。即使表面粗糙很微小,也难以实现作为垂直记录方式的介质用基板所需等级的平滑性。 因此,为了提高信息记录介质的线记录密度,需要一种具有优异的化学耐久性的基板材料。专利文献1 国际公开2007-142324号(W02007/142324)(其全部记载特别作为发 明内容援用于此。)
技术实现思路
顺便提及,随着磁记录介质的高记录密度化,基板用玻璃要求化学耐久性的同时,要求气泡极少。基板用玻璃要求的残留气泡的水平与光学玻璃相比更加严格。即使极微小的气泡残留于玻璃中,在研磨玻璃而形成基板表面之际,与气泡相当 的微小空洞也会出现在基板表面上,形成局部的洼坑,使基板表面的平滑性降低。专利文献1所公开的玻璃中,为了使化学耐久性提高的同时得到作为磁记录介质 基板用玻璃所需要的性质,在玻璃成分中提高Si02、Al203的含量,并在化学耐久性不降低的 范围内导入了具有维持熔解性、热膨胀系数等的效果的Li20、Na2O,但是这样的玻璃会发生 如下问题尽管玻璃的熔解温度低于无碱玻璃,但是作为含碱的磁记录介质基板用玻璃,其 熔解温度升高,因此,由于与澄清工序中的玻璃的温度、粘性的关系,以往一直用作澄清剂 的Sb2O3难以有效地脱泡。本专利技术是为了解决这样的问题而作出的,其目的在于能够实现化学耐久性优异、 具有极平滑表面的磁记录介质基板的磁记录介质基板用玻璃;由上述玻璃构成的磁记录介 质基板;具备上述基板的磁记录介质;和它们的制造方法。解决上述课题的本专利技术如下。 一种磁记录介质基板用玻璃,其为由氧化物玻璃形成的磁记录介质基板用玻璃, 其特征在于,以质量%表示,该玻璃含有Si 20 -40%,Al 0. 1 ‘ 10%,Li 0. 1 ‘ 5%,Na 0. 1 - 10%,K0 5%、(其中,Li、Na和K的总含量为15%以下)、Sn 0. 005 0. 6%、CeO 1.2%,Sb含量为0 0. 1%,且不含有As和F。如所述的磁记录介质基板用玻璃,其特征在于,Ce含量相对于Sn含量之 比Ce/Sn处于0 2. 1的范围。如所述的磁记录介质基板用玻璃,其特征在于,Ce含量相对于Sn含量之 比Ce/Sn处于0. 02 1. 3的范围。如 的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其特征在于,其为不含 有Sb的玻璃。如 的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其中,以质量%表示,该玻璃含有Mg 0 5 %、Ca0 5%、Sr0 2%、Ba0 2%。如 的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其特征在于,其含有总共 0. 1 10 质量 %的 Zr、Ti、La、Nb、Ta 和 Hf。如 的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其特征在于,Mg、Ca、Sr 和Ba的总含量为0 10%。如 的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其特征在于,Si和Al的总含量为30质量%以上,并且该玻璃具有1400°C时的粘度为103dPa 以下的粘性特性。如 的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其中,以质量%表示,该玻璃含有Si 28 34%、Al 6 10%、(其中,Si和Al的总含量为37%以上)、Li 0.1 3%、Na 5 10%、K 0. 1 1 %、(其中,Li、Na和K的总含量为7 13%)、Mg 0.1 2%、Ca 0.1 2%、Sr 禾口 Ba 总共 0 1 %、Zr 1 5 %、B 0 1 %、Ζη0 1%。如 的任一项所述的磁记录介质基板用玻璃,其中,以质量%表示,该玻璃含有Si 28 34%、Al 6 10%、(其中,Si和Al的总含量为37%以上)、Li 1 5%、Nal 10%、K 0.1 3%、(其中,Li、Na和K的总含量为5 11%)、Mg0 2%、Ca0 2%、Sr 0 1 %、Ba 0 1 %、Zr、Ti、La、Nb、Ta 禾口 Hf 总共 1 10%、B 0 1 %、Zn 0 1 %、P 0 1 %。 一种磁记录介质基板用玻璃的制造方法,其为由氧化物玻璃形成的磁记录介质基板用玻璃的制造方法,其特征在于, 添加Sn,且可选的添加Ce,调配玻璃原料,将上述玻璃原料熔融,并使所得到的熔 融玻璃澄清后,进行成型,以得到如下玻璃以质量%表示,该玻璃含有Si 20 -40%,Al 0. 1 ‘ 10%,Li 0. 1 ‘ 5%,Na 0. 1 - 10%,K0 5%、(其中,Li、Na和K的总含量为15%以下)、Sn 0. 005 0. 6%、CeO 1.2%,并且Sb含量为0 0. 1%,且不含有As和F。如所述的磁记录介质基板用玻璃的制造方法,其中,调配玻璃原料,使得Ce含量相对于Sn含量之比Ce/Sn处于0. 02 1. 3的范围, 将该玻璃原料熔融,将所得到的熔融玻璃保持于1400 1600°C后降温,并保持于1200 1400°C后,进行成型。如或所述的磁记录介质用玻璃的制造方法,其中,熔融玻璃于 1400°C时的粘度为103dPa · s以下。如 的任一项所述的磁记录介质用玻璃的制造方法,其中,以使玻 璃中的残留气泡的密度为60个/kg以下的方式来确定Sn和Ce的添加量。 一种磁记录介质基板用玻璃,其为由氧化物玻璃形成的磁记录介质基板用玻 璃,其特征在于,以氧化物为基准进行换算本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:蜂谷洋一越阪部基延
申请(专利权)人:HOYA株式会社
类型:发明
国别省市:JP

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