具有滚轧成型表面的基座和其制造方法技术

本发明专利技术一般地提供用于在等离子体反应器中支撑大面积基板的装置。在一个实施例中，在等离子体反应器中使用的一基板支撑件包括一导电主体，该导电主体包括一顶面，其具有多个滚轧成型的压印。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术实施例一般地涉及一种用于处理大面积基板的装置和方法。更具体地，本 专利技术实施例涉及一种用于在半导体处理中支撑大面积基板的基板支撑件和制造此支撑件 的方法。
技术介绍
用于处理大面积基板的设备已经成为诸如液晶显示器(IXD)、等离子体显示面板 (PDP)、有机发光二极管显示器(OLED)和太阳能面板等平板显示器制造领域中的主要投 资。用于制造LCD、PDP、OLED或太阳能面板的大面积基板可以是玻璃或聚合物工件。大面积基板通常经历多个连续步骤以在其上创造出组件、导体和绝缘体。通常在 用来执行制造工艺的单一步骤的处理室内执行每个步骤。为了有效完成整个连续步骤，通 常使用多个处理室。处理大面积基板的其中一个常用制造步骤是等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)。PECVD 一般用于在诸如平面基板或半导体基板上沉积薄膜。通常在相距数英寸且 平行设置的电极间的真空室中执行PECVD，且平行电极之间的间隙通常可变以使工艺最佳 化。在真空室中的温度控制基板支撑件上放置将要进行处理的基板。在某些情况中，基板 支撑件可以是其中一个电极。将一前驱物气体引入真空室中，通常借助位于靠近真空室顶 部的分配板来引入前驱物气体。然后施加RF功率到电极上，以将真空室中的前驱物气体能 量化或激发成等离子体。激发后的气体发生反应而在位于基板支撑件上的基板表面上形成 材料层。通常，PECVD室中的基板支撑件或基板支撑件组件设置用来支撑且加热基板，以及 作为激发前驱物气体的电极。通常，大面积基板，例如用于制造平面面板的基板，尺寸经常超过550毫米X650 毫米，表面积预期达到并超过4平方米。相应地，用于处理大面积基板的基板支撑件也照比 例放大，以容纳基板的大表面积。通常利用模铸方法来制造用于高温使用的基板支撑件，并 在其铝主体中包裹一个或多个加热组件和热电偶。由于基板支撑件的尺寸，通常会在基板 支撑件中设置一个或多个加固件以增强基板支撑件在高温操作(即超过350°C，接近500°C 以使某些薄膜中的氢含量降至最低)下的硬度和性能。然后对铝基板支撑件进行电镀以提 供保护涂层。虽然以这种方式配置的基板支撑件已经显示出良好的处理性能，但观察到两个问 题。第一个问题是不均勻沉积。已经观察到薄膜厚度中出现小的局部差异，这些厚度差异 经常以较薄薄膜厚度的点状形式出现，其可能危害在大面积基板上形成组件的后续生产工 艺。可以认为，基板的厚度、平坦度以及光滑的基板支撑件表面中的差异(通常约50微英 寸)会在整个玻璃基板表面的某些位置造成局部电容变化，因而产生局部等离子体不均勻 性，从而导致沉积变化，例如薄沉积薄膜厚度的点。第二个问题是由摩擦生电过程或两种材料彼此接触然后再彼此分开的过程而产 生的静电荷所引发。其结果是，可能在基板和基板支撑件之间积累静电，使得在工艺完成时难以将基板从基板支撑件分开。工业中已知的额外问题是静电释放(ESD)金属线产生电弧的问题。当基板尺寸增 加时，ESD金属线变得更长且更大。可以认为，在等离子体沉积期间，ESD金属线中的感应电 流变得大到足以损害基板。该ESD金属线的电弧问题已经成为主要的频发问题。因此，需要一种改进的基板支撑件。
技术实现思路
本专利技术一般地提供等离子体反应器中支撑大面积基板的装置。在一个实施例中， 在等离子体反应器中使用的基板支撑件包括一导电主体，其具有一顶面，该顶面具有多个 滚轧成型压印(roll-formed indent)。本专利技术的另一实施例提供一等离子体反应器，其包含具有一工艺容积的一室体。 一喷头被配置在该工艺容积中，并经配置以将工艺气体流导入该工艺容积。一铝主体被配 置在喷头底下的工艺容积中。一加热器被配置在该铝主体中。该铝主体具有一顶面，其包 含滚轧成型压印。附图说明为了可详细理解本专利技术上述特征，参考实施例对以上概述的本专利技术做更明确详细 的描述，且部分实施例绘在附图中。然而，需要指出的是，附图仅描述本专利技术的典型实施例， 不应将附图视为本专利技术范围的限制，本专利技术允许其它等效实施例。图1示意性描述具有一基板支撑件的一个实施例的等离子体增强化学气相沉积 室的截面图；图2是图1的基板支撑件的部分截面图；图3是一基板支撑件的另一实施例的部分截面图；图4示意性绘示一种形成一基板支撑件的一表面的方法的实施例；图5A-D是图4的滚轧成型工具的各种部分视图；图6示意性描述图4的滚轧成型工具与一基板支撑件的一顶面接触；图7是一滚轧成型表面的一个实施例的部分俯视图。为了便于理解，尽可能地使用相同附图标记来表示附图中共有的相同组件。然而， 需要指出的是，附图仅描述本专利技术的典型实施例，因此不能用来限制本专利技术范围，本专利技术还 允许其它等效实施例。具体实施例方式本专利技术涉及为处理基板提供必要电容去耦的基板支撑件和制造该基板支撑件的 方法。特别是，本专利技术的基板支撑件减少基板和基板支撑件之间的静电，并使通常会让基 板受损的等离子体团(plasmoid)减至最小。虽然不希望受理论限制，可以认为，在大面积 基板的金属线上方的强等离子体会加热大面积基板，因而在大面积基板中引起不均勻热应 力。大面积基板中的热应力可能积累到够大以致使大面积基板破裂。一旦不导电的大面积 基板破裂，将使导电基板支撑件暴露于等离子体中，而发生电弧或等离子体团。本专利技术的基 板支撑件可减少静电、使等离子体团减至最小，并提供良好薄膜沉积性能。5图1示意性绘出根据本专利技术一实施例的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统 100的截面图。PECVD系统100用于在大面积基板上形成多种结构和组件，例如可在液晶显 示器(IXD)和等离子体显示器面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)和太阳能面板制造中使 用的大面积基板上形成多种结构和组件。欲处理的大面积基板可以是玻璃基板或聚合物基 板。PECVD系统100通常包括与气体源104连接的室102。室102包括用来定义出工 艺容积112的多个室壁106、室底部108和盖组件110。通常通过形成在室壁106中的舱门 (未示出)来进出工艺容积112，舱门利于大面积基板140 (以下称为基板140)进出室102。 基板140可以是玻璃或聚合物工件。在一个实施例中，基板140具有大于约0. 25平方米的 设计表面积。通常室壁106和室底部108由整块铝或其它可用于等离子体处理的材料制成。 室壁106和室底部108通常是电性接地。室底部108具有连接到不同泵部件(未示出)的 排气口 114，以利于控制工艺容积112内的压力并在处理期间排出气体和副产物。在图1示出的实施例中，室102具有连接到其上的RF电源122。将RF电源122连 接到气体分配板118以提供激发由气体源104提供的工艺气体的电偏压，并在处理期间维 持在气体分配板118下方的工艺容积112中由工艺气体形成的等离子体。盖组件110由室壁106支撑并可以移除以维修室102。盖组件110通常由铝组成。 将气体分配板118连接到盖组件110的内侧120。气体分配板118通常由铝制成。气体分 配板118的中心部包括一穿孔区域，通过该区域将气体源104所提供的工艺气体和其它气 体输送到工艺容积112。气体分配板118的穿孔区域设计成可通过气体分配板118提供流 入到室102本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：古田学，戴维阿奇利，崔寿永，约翰M怀特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US