一种基于ＡＲＭ微处理器控制的ＩＧＢＴ串联电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于ＡＲＭ微处理器控制的ＩＧＢＴ串联电路。该串联电路包括ＡＲＭ微处理器Ｓ３Ｃ２４１０ＰＷＭ输出电路、多个ＩＧＢＴ驱动电路、与ＩＧＢＴ驱动电路相等个数的ＩＧＢＴ保护电路和与ＩＧＢＴ驱动电路相等个数的电压监控电路，并对十个ＩＧＢＴ串联电路进行了仿真；安装设计图为实际应用接线方式。Ｓ３Ｃ２４１０定时器发出ＰＷＭ信号为驱动器Ｍ５７９６２Ｌ的输入信号。驱动电路准确控制ＩＧＢＴ开断。保护电路由ＩＧＢＴ过压保护电路、栅极电阻、静态均压电阻组成，可保护ＩＧＢＴ的正常工作。电压监控电路监控Ｍ５７９６２Ｌ供电电源模块的电压，使电路正常工作。本实用新型专利技术能实现多个ＩＧＢＴ的串联，可用于高压设备。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种基于ARM微处理器控制的IGBT串联电路。
技术介绍
绝缘栅极双晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor—IGBT)是 2O 世纪 8O 年代诞生的一种新型电力电子器件，是一种将功率MOSFET和GTR集成在一个芯片上的复合 器件。其输入极为M0SFET，输出极为GTR。因此，IGBT兼有MOSFET的快速响应、易于驱动 以及GTR的高阻断电压、强载流能力的优点。其工作频率在几十千赫兹以内，目前已广泛应 用于各种功率变换器。IGBT最大的优点是无论在导通状态还是短路状态下都可以承受电流 冲击，而由于本身的关断延迟时间很短，易于实现器件的串联。尽管一些厂家研制了耐高压IGBT模块，如日本三菱公司研制的3. 3Kv/l. 2kA巨大 容量IGBT模块。但由于其高昂的价格以及电压电流的系列化和标准化，限制了应用范围。 实际中应用最多、技术最成熟的IGBT系列仍然是600V、1200V以及1700V三个电压等级的 系列，但较低的耐压值限制了其在高压设备中的应用。利用IGBT串联来实现其在高压条件 下的应用是一种不错的解决方法。但由于IGBT特殊本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于ＡＲＭ微处理器控制的ＩＧＢＴ串联电路，其特征在于包括ＡＲＭ微处理器Ｓ３Ｃ２４１０ＰＷＭ输出电路、多个ＩＧＢＴ驱动电路、与ＩＧＢＴ驱动电路相等个数的ＩＧＢＴ保护电路和与ＩＧＢＴ驱动电路相等个数的电压监控电路；ＡＲＭ微处理器Ｓ３Ｃ２４１０ＰＷＭ输出电路分别与各自的ＩＧＢＴ驱动电路输入端相连；其中每个ＩＧＢＴ驱动电路的有四个输出端，第一个输出端与ＩＧＢＴ的集电极相连，第二个输出端与ＩＧＢＴ的栅极相连，第三个输出端与监控电路的一端相连，第四个输出端与ＩＧＢＴ的发射极和监控电路的另一端相连；第一个ＩＧＢＴ保护电路的一端与ＩＧＢＴ的集电极相连，并通过集电极与负载的一端相连，负载的另一端与高压电源的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑平，余琳，黄康，盖玲，刘孔绚，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]