发光装置、光写入装置以及图像形成装置制造方法及图纸

提供防止TFT的Vsdd‑Id特性和OLED的正向电压Vel的分散引起的光量分散的发光装置、光写入装置以及图像形成装置。在向在TFT的漏极端子上连接了OLED的串联电路施加规定电压而使其发光的装置中，在每次使OLED发光时，估计用于使其以设定光量发光的OLED的正向电压Vel及驱动电流量Id、以及TFT的源极‑漏极电压Vsd，根据TFT的Vsd‑Id特性，决定与驱动电流量Id和源极‑漏极电压Vsd对应的TFT的栅极‑源极电压Vgs。将这样决定的栅极‑源极电压Vgs施加给TFT，能够防止非饱和区域中的Vsd‑Id特性引起的OLED的光量的分散。

Light emitting device, optical writing device, and image forming apparatus

For preventing dispersion of forward voltage Vel TFT Vsdd Id and OLED characteristics caused by light scattered light emitting device, light writing device and image forming apparatus. To apply a predetermined voltage to the drain terminal connected to the OLED in the TFT series circuit and the light emitting device, in each of the OLED light-emitting, estimates for forward voltage Vel in the setting of luminous flux of OLED and Id, and the TFT drive current source drain voltage Vsd. According to the characteristics of TFT Id Vsd, decided to drive current and the amount of Id and source drain voltage Vsd corresponding to the TFT gate source voltage Vgs. The gate source will do pole voltage Vgs is applied to the TFT, to prevent the dispersion of light caused by the unsaturated region in Vsd Id properties of OLED.

【技术实现步骤摘要】
发光装置、光写入装置以及图像形成装置
本专利技术涉及发光装置、光写入装置以及图像形成装置，涉及以较高的精度来控制使用薄膜晶体管被电流驱动的发光元件的光量的技术。
技术介绍
电子照相方式的图像形成装置为了在一致带电的感光体表面形成静电潜像而具备光写入装置。光写入装置响应于图像形成装置的小型化的需求，从以激光二极管为发光源的光扫描型，正在切换为将微小点(dot)的发光元件配置为线状的线光学型。进而，线光学型的光写入装置中，若使用半导体LED(发光二极管(LightEmittingDiode))作为发光元件，则LED阵列和用于控制各发光元件的驱动电路成为不同基板，所以现状下必须高成本。另一方面，若采用有机LED(OLED：OrganicLED)作为发光元件，则能够将LED阵列和驱动电路形成于同一基板，因此能够将光写入装置低成本化。但这样的光写入装置(OLED-PH：OLED打印头(OLEDPrintHead))通过点亮在主扫描方向上多个(例如，15000个)排列的发光元件来进行光写入，所以若在发光元件间光量存在不均，则在静电潜像、进而调色剂像中产生主扫描方向上的浓度不均，不能达成优良的画质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，对于在薄膜晶体管上连接了OLED的串联电路，向所述薄膜晶体管施加规定电压而使其发光，其特征在于，具备：正向电压估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计在使该OLED以设定光量发光的情况下的正向电压；驱动电流量估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计为了使该OLED以所述设定光量发光所需的驱动电流量；源极‑漏极电压计算部件，根据所述规定电压和所述正向电压，计算向所述薄膜晶体管施加的源极‑漏极电压Vsd；以及栅极‑源极电压决定部件，根据表示所述薄膜晶体管的源极‑漏极电压Vsd与漏极电流Id的关系的Vsd‑Id特性，在将所述驱动电流量设为漏极电流Id的情况下决定...

【技术特征摘要】
2015.10.27 JP 2015-2104351.一种发光装置，对于在薄膜晶体管上连接了OLED的串联电路，向所述薄膜晶体管施加规定电压而使其发光，其特征在于，具备：正向电压估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计在使该OLED以设定光量发光的情况下的正向电压；驱动电流量估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计为了使该OLED以所述设定光量发光所需的驱动电流量；源极-漏极电压计算部件，根据所述规定电压和所述正向电压，计算向所述薄膜晶体管施加的源极-漏极电压Vsd；以及栅极-源极电压决定部件，根据表示所述薄膜晶体管的源极-漏极电压Vsd与漏极电流Id的关系的Vsd-Id特性，在将所述驱动电流量设为漏极电流Id的情况下决定与所述源极-漏极电压Vsd对应的所述薄膜晶体管的栅极-源极电压Vgs，将所述决定的栅极-源极电压Vgs施加给所述薄膜晶体管，使所述OLED发光。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，具备：温度检测部件，取得对作为所述因子的所述OLED的温度进行指示的指标；以及计时部件，对作为所述因子的每个所述OLED的累积发光时间进行计时，所述正向电压估计部件根据该OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个，估计该OLED的正向电压。3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述正向电压估计部件将与所述OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个相应的校正系数乘以该OLED的正向电压的初始值，从而估计该OLED的正向电压。4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述正向电压估计部件存储有用于根据所述OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野壮，饭岛成幸，松尾隆宏，植村昂纪，谷山彰，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP