发光装置、光写入装置以及图像形成装置制造方法及图纸

提供防止TFT的Vsdd‑Id特性和OLED的正向电压Vel的分散引起的光量分散的发光装置、光写入装置以及图像形成装置。在向在TFT的漏极端子上连接了OLED的串联电路施加规定电压而使其发光的装置中，在每次使OLED发光时，估计用于使其以设定光量发光的OLED的正向电压Vel及驱动电流量Id、以及TFT的源极‑漏极电压Vsd，根据TFT的Vsd‑Id特性，决定与驱动电流量Id和源极‑漏极电压Vsd对应的TFT的栅极‑源极电压Vgs。将这样决定的栅极‑源极电压Vgs施加给TFT，能够防止非饱和区域中的Vsd‑Id特性引起的OLED的光量的分散。

Light emitting device, optical writing device, and image forming apparatus

For preventing dispersion of forward voltage Vel TFT Vsdd Id and OLED characteristics caused by light scattered light emitting device, light writing device and image forming apparatus. To apply a predetermined voltage to the drain terminal connected to the OLED in the TFT series circuit and the light emitting device, in each of the OLED light-emitting, estimates for forward voltage Vel in the setting of luminous flux of OLED and Id, and the TFT drive current source drain voltage Vsd. According to the characteristics of TFT Id Vsd, decided to drive current and the amount of Id and source drain voltage Vsd corresponding to the TFT gate source voltage Vgs. The gate source will do pole voltage Vgs is applied to the TFT, to prevent the dispersion of light caused by the unsaturated region in Vsd Id properties of OLED.

【技术实现步骤摘要】
发光装置、光写入装置以及图像形成装置
本专利技术涉及发光装置、光写入装置以及图像形成装置，涉及以较高的精度来控制使用薄膜晶体管被电流驱动的发光元件的光量的技术。
技术介绍
电子照相方式的图像形成装置为了在一致带电的感光体表面形成静电潜像而具备光写入装置。光写入装置响应于图像形成装置的小型化的需求，从以激光二极管为发光源的光扫描型，正在切换为将微小点(dot)的发光元件配置为线状的线光学型。进而，线光学型的光写入装置中，若使用半导体LED(发光二极管(LightEmittingDiode))作为发光元件，则LED阵列和用于控制各发光元件的驱动电路成为不同基板，所以现状下必须高成本。另一方面，若采用有机LED(OLED：OrganicLED)作为发光元件，则能够将LED阵列和驱动电路形成于同一基板，因此能够将光写入装置低成本化。但这样的光写入装置(OLED-PH：OLED打印头(OLEDPrintHead))通过点亮在主扫描方向上多个(例如，15000个)排列的发光元件来进行光写入，所以若在发光元件间光量存在不均，则在静电潜像、进而调色剂像中产生主扫描方向上的浓度不均，不能达成优良的画质。在使用了OLED的显示器装置中，光量分散被允许至30％，相对于此，在OLED-PH中，对于光量分散的要求精度高，即使小于1％的光量分散也必须进行校正。进而，在消除光量分散时，为了产生能够将光写入装置低成本化这样的OLED的优点，优选不使用光传感器。在消除发光元件的光量不均的技术中，例如存在如下的现有技术。即，如图14所示，首先在写入期间中，将用于使发光元件1401以电流DAC(数字模拟转换器(DigitaltoAnalogueConverter))期望的光量发光的驱动电流Id强制性地流过对向发光元件1401供应的驱动电流量进行控制的薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)1402，将在TFT1402的漏极端子和栅极端子之间产生的电位差Vdg存储至电容器1403。在发光期间中，将在电容器1403中存储的电压Vdg施加在TFT1402的栅极端子和漏极端子之间，使发光元件1401以期望的光量发光(例如，参照专利文献1)。在TFT1402的阈值电压Vth中存在初始分散，进而，TFT1402的漏极电流Id与阈值电压Vth处于大致成比例的关系。因此，即使施加与TFT1402相同的电压Vdg，被供应的驱动电流Id发生分散，发光元件1401的光量变得不一定。相对于此，根据本现有技术，将用于供应用于使发光元件1401以期望的光量发光的驱动电流Id的电压Vdg存储至电容器1403，在发光期间将电压Vdg施加给TFT1402，因此能够抑制发光元件1401的光量的分散。此外，在其他的现有技术中，预先使全部发光元件以同一条件发光而存储每个发光元件的光量，根据所存储的光量对每个发光元件校正驱动条件(参照专利文献2)。据此，即使在发光元件的发光效率α中存在分散，减少在同一条件下发光的情况下光量多的发光元件的驱动电流，关于光量少的发光元件，增多驱动电流等，对驱动条件进行校正，因此能够抑制光量分散。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)特开2010-200514号公报专利文献2：(日本)特开2005-329634号公报
技术实现思路
但是，关于上述的两个现有技术之中最初的现有技术，存在OLED的正向电压Vel具有的初始分散、TFT的源极-漏极电压Vsd和漏极电流Id之间的Vsd-Id特性引起的以下那样的问题。在OLED的正向电压Vel中存在初始分散，因此如图14所示，即使向发光元件1401和TFT1402的串联电路施加的电压Vdd相同，但向TFT1402施加的源极-漏极电压Vsd成为Vsd＝Vdd-Vel，发生分散。TFT的Vsd-Id特性与双极晶体管等不同，若在饱和区域中源极-漏极电压Vsd增加，则漏极电流Id也增加。因此，若源极-漏极电压Vsd发生分散，则漏极电流Id也发生分散，因此在最初的现有技术中，不能消除发光元件1401的光量的分散。此外，在上述的两个现有技术之中第二个现有技术中，也存在OLED的正向电压Vel引起的问题。即，OLED的正向电压Vel不仅存在初始分散，而且经时变化大，因此如上述那样驱动电流Id发生分散。因此，仅对发光效率α的经时变化进行校正则也不能消除光量分散。本专利技术鉴于上述那样的问题而完成，其目的在于，提供防止TFT的Vsdd-Id特性和OLED的正向电压Vel的分散引起的光量分散的发光装置、光写入装置以及图像形成装置。为了达成上述目的，本专利技术所涉及的发光装置是对于对薄膜晶体管连接了OLED的串联电路，向所述薄膜晶体管施加规定电压而使其发光的发光装置，其特征在于，具备：正向电压估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计在使该OLED以设定光量发光的情况下的正向电压；驱动电流量估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计为了使该OLED以所述设定光量发光所需的驱动电流量；源极-漏极电压计算部件，根据所述规定电压和所述正向电压，计算向所述薄膜晶体管施加的源极-漏极电压Vsd；以及栅极-源极电压决定部件，根据表示所述薄膜晶体管的源极-漏极电压Vsd与漏极电流Id的关系的Vsd-Id特性，在将所述驱动电流量设为漏极电流Id的情况下决定与所述源极-漏极电压Vsd对应的所述薄膜晶体管的栅极-源极电压Vgs，将所述决定的栅极-源极电压Vgs施加给所述薄膜晶体管，使所述OLED发光。据此，根据薄膜晶体管的Vsd-Id特性，决定栅极-源极电压Vgs，能够与非饱和区域中的Vsd-Id特性无关地将OLED的光量对齐。此外，也可以具备：温度检测部件，取得对作为所述因子的所述OLED的温度进行指示的指标；以及计时部件，对作为所述因子的每个所述OLED的累积发光时间进行计时，所述正向电压估计部件根据该OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个，估计该OLED的正向电压。也可以是所述正向电压估计部件根据该OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个，估计该OLED的正向电压。在该情况下，也可以是所述正向电压估计部件对该OLED的正向电压的初始值乘以与所述OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个相应的校正系数，从而估计该OLED的正向电压。进而，也可以是所述正向电压估计部件存储有用于根据所述OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个来估计所述校正系数的LUT或函数，使用该LUT或函数来估计所述校正系数。此外，也可以具备：温度检测部件，取得对作为所述因子的所述OLED的温度进行指示的指标；以及计时部件，对作为所述因子的每个所述OLED的累积发光时间进行计时，所述驱动电流量估计部件根据该OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个来估计所述OLED的驱动电流量。此外，也可以是所述驱动电流量估计部件根据该OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个来估计所述OLED的驱动电流量。在该情况下，也可以是所述驱动电流量估计部件对该OLED的驱动电流量的初始值乘以与所述OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个相应的校正系数，从而估计该OLED的正向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，对于在薄膜晶体管上连接了OLED的串联电路，向所述薄膜晶体管施加规定电压而使其发光，其特征在于，具备：正向电压估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计在使该OLED以设定光量发光的情况下的正向电压；驱动电流量估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计为了使该OLED以所述设定光量发光所需的驱动电流量；源极‑漏极电压计算部件，根据所述规定电压和所述正向电压，计算向所述薄膜晶体管施加的源极‑漏极电压Vsd；以及栅极‑源极电压决定部件，根据表示所述薄膜晶体管的源极‑漏极电压Vsd与漏极电流Id的关系的Vsd‑Id特性，在将所述驱动电流量设为漏极电流Id的情况下决定与所述源极‑漏极电压Vsd对应的所述薄膜晶体管的栅极‑源极电压Vgs，将所述决定的栅极‑源极电压Vgs施加给所述薄膜晶体管，使所述OLED发光。

【技术特征摘要】
2015.10.27 JP 2015-2104351.一种发光装置，对于在薄膜晶体管上连接了OLED的串联电路，向所述薄膜晶体管施加规定电压而使其发光，其特征在于，具备：正向电压估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计在使该OLED以设定光量发光的情况下的正向电压；驱动电流量估计部件，根据使该OLED的元件特性改变的因子来估计为了使该OLED以所述设定光量发光所需的驱动电流量；源极-漏极电压计算部件，根据所述规定电压和所述正向电压，计算向所述薄膜晶体管施加的源极-漏极电压Vsd；以及栅极-源极电压决定部件，根据表示所述薄膜晶体管的源极-漏极电压Vsd与漏极电流Id的关系的Vsd-Id特性，在将所述驱动电流量设为漏极电流Id的情况下决定与所述源极-漏极电压Vsd对应的所述薄膜晶体管的栅极-源极电压Vgs，将所述决定的栅极-源极电压Vgs施加给所述薄膜晶体管，使所述OLED发光。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，具备：温度检测部件，取得对作为所述因子的所述OLED的温度进行指示的指标；以及计时部件，对作为所述因子的每个所述OLED的累积发光时间进行计时，所述正向电压估计部件根据该OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个，估计该OLED的正向电压。3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述正向电压估计部件将与所述OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个相应的校正系数乘以该OLED的正向电压的初始值，从而估计该OLED的正向电压。4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述正向电压估计部件存储有用于根据所述OLED的累积发光时间、温度以及所述设定光量的至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野壮，饭岛成幸，松尾隆宏，植村昂纪，谷山彰，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP