本实用新型专利技术公开了一种薄型集成电路引线框架技术，克服了现有产品相邻引脚间易渗水短路和镀银工序费时的缺陷。它包括中心区域的矩形芯片岛（６）和环布于所述芯片岛（６）四周的多个引脚（４），相邻的所述引脚（４）之间设有连接筋（３）连接加固；其特征在于：所述引脚（４）的根部焊接区（５）围绕于所述芯片岛（６）四周，所述根部焊接区（５）和所述芯片岛（６）的正面镀银；所述引脚（４）靠近所述封装区（１）边缘的内侧（１０）正反表面分别设有多道凹槽（７）和沟槽（８）；所述芯片岛（６）的背面均布有凹坑（９）。本产品的镀银焊区形状一致、加工效率高；封装后引线框架纯铜基材与塑料封料的结合力高，有助于密封性和防水性能的提高。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体电子元器件的制造
，尤其指一种薄型集成电路引 线框架的结构技术。
技术介绍
微电子及通讯技术的快速发展，半导体集成电路元器件应用范围的快速扩大，使 得在诸多领域应用的集成电路产品正日趋小型化、薄型化态势，因此与之相配套的引 线框架部件也日趋小型化、薄型化。本行业人士均知晓， 一个集成电路引线框架的引 脚少则七、八个，多则二、三十个，其加工制造难度远远大于普通的三极管引线框架产品；因此如何保证每一个引脚与集成电路芯片的良好导通是提高集成电路产品可靠 性能的重要保障。另外，由于集成电路引线框架引脚数量众多，切实提高其防水和密 封性能，有效杜绝引脚之间渗水短路现象的发生，也是提高产品性能的必要前提。目 前，行业内常见的薄型引线框架基本上都由纯铜带冲轧制成，为保证封装时金丝线焊 接牢固，往往还需要在引脚焊接区域作镀银处理；而现行多数厂家一般釆用点镀方式， 它较早期全镀方式节约了大量白银，但点镀方式比较费时，生产效率难以提高。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有薄型集成电路引线框架相邻引脚之间 易渗水短路和引脚焊区镀银工序费时、生产效率低的缺陷和不足，向社会提供一种引 脚焊区镀银工序简便、成品封装后防水和密封性能好的薄型集成电路引线框架产品， 以满足日益增长的小型化、薄型化集成电路元器件产品制造应用所需。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是薄型集成电路引线框架包括中 心区域的矩形芯片岛和环布于所述芯片岛四周的多个引脚，相邻的所述引脚之间设有 连接筋连接加固；所述引脚的根部焊接区围绕于所述芯片岛四周，所述根部焊接区和 所述芯片岛的正面镀银；所述引脚靠近所述封装区边缘的内侧正反表面分别设有多道 凹槽和沟槽；所述芯片岛的背面均布有规则排列的凹坑。本技术薄型集成电路引线框架，所述引脚镀银的根部焊接区围绕于所述芯片 岛四周，可以采用模具印板热浸镀工艺进行镀银工序，镀银焊区形状一致、加工效率3高。封装时，塑料封料填充于所述引脚的正反表面凹槽和沟槽、以及所述芯片岛背面 均布的凹坑内，大大增强了引线框架纯铜基材与塑料封料的结合力，有助于密封性和 防水防潮性能的提高，从而使最终的集成电路成品抗机械冲击和耐热疲劳强度明显提 升，产品使用寿命延长。附图说明图1是本技术产品正面结构示意图。 图2是图1的后视图。 图3是图1的A部放大图。 图4是图3的B-B向截面结构示意图。具体实施方式如图1所示，本技术薄型集成电路引线框架以行业内的SOP-28B系列产品 为例，基材釆用厚度为0.15mm的纯铜带，双点划线所示的矩形区域为封装区1;每 个引线框架包括中心区域的矩形芯片岛6和环布于所述芯片岛6四周的多个引脚4， 所述芯片岛6用于承载集成电路芯片，相邻的所述引脚4之间设有连接筋3连接加固； 所述引脚4的根部焊接区5围绕于所述芯片岛6四周，所述根部焊接区5和所述芯片 岛6的正面镀银。如图2所示，本技术薄型集成电路引线框架的背面全部保持纯铜表面不镀 银，所述芯片岛6的背面均布有规则排列的凹坑9。如图3和图4所示，所述引脚4靠近所述封装区1边缘的内侧正反表面分别设有 多道凹槽7和沟槽8。下面继续结合附图，简述本技术产品的工作原理。根据封装厂的要求，在配 备有对应模具的轧机中加工出设有上下边带2相连接的引线框架产品。镀银时，由于 所述引脚4镀银的根部焊接区5围绕于所述芯片岛6四周，因此可以釆用模具印板热 浸镀工艺进行镀银工序，镀银焊区形状一致、加工效率高。应用本产品封料时，塑料 封料填充于所述引脚4靠近所述封装区1位置的正反表面凹槽7和沟槽8，以及所述 芯片岛6背面均布的凹坑9内，大大增强了引线框架纯铜基材与塑料封料的结合力， 有助于密封性和防水防潮性能的提高，从而使最终的集成电路成品抗机械冲击和耐热 疲劳强度明显提升，产品使用寿命延长。权利要求1、一种薄型集成电路引线框架，包括中心区域的矩形芯片岛(6)和环布于所述芯片岛(6)四周的多个引脚(4)，相邻的所述引脚(4)之间设有连接筋(3)连接加固；其特征在于所述引脚(4)的根部焊接区(5)围绕于所述芯片岛(6)四周，所述根部焊接区(5)和所述芯片岛(6)的正面镀银；所述引脚(4)靠近所述封装区(1)边缘的内侧(10)正反表面分别设有多道凹槽(7)和沟槽(8)；所述芯片岛(6)的背面均布有规则排列的凹坑(9)。专利摘要本技术公开了一种薄型集成电路引线框架技术，克服了现有产品相邻引脚间易渗水短路和镀银工序费时的缺陷。它包括中心区域的矩形芯片岛(6)和环布于所述芯片岛(6)四周的多个引脚(4)，相邻的所述引脚(4)之间设有连接筋(3)连接加固；其特征在于所述引脚(4)的根部焊接区(5)围绕于所述芯片岛(6)四周，所述根部焊接区(5)和所述芯片岛(6)的正面镀银；所述引脚(4)靠近所述封装区(1)边缘的内侧(10)正反表面分别设有多道凹槽(7)和沟槽(8)；所述芯片岛(6)的背面均布有凹坑(9)。本产品的镀银焊区形状一致、加工效率高；封装后引线框架纯铜基材与塑料封料的结合力高，有助于密封性和防水性能的提高。文档编号H01L23/495GK201378593SQ200920142440公开日2010年1月6日 申请日期2009年4月16日 优先权日2009年4月16日专利技术者商岩冰, 靖 李, 陈孝龙, 陈明明 申请人:宁波华龙电子股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄型集成电路引线框架，包括中心区域的矩形芯片岛（６）和环布于所述芯片岛（６）四周的多个引脚（４），相邻的所述引脚（４）之间设有连接筋（３）连接加固；其特征在于：所述引脚（４）的根部焊接区（５）围绕于所述芯片岛（６）四周，所述根部焊接区（５）和所述芯片岛（６）的正面镀银；所述引脚（４）靠近所述封装区（１）边缘的内侧（１０）正反表面分别设有多道凹槽（７）和沟槽（８）；所述芯片岛（６）的背面均布有规则排列的凹坑（９）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈孝龙，李靖，陈明明，商岩冰，
申请(专利权)人：宁波华龙电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]
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