一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术适用于半导体设计技术领域，提供了一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜的制作方法。其中装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于０．０１欧姆.厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。由于利用了具有结晶硅靶材的电弧电极组，可以以较简易的制程制作出高质量的纳米晶硅薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体设计
，尤其涉及一种等离子装置以及纳米晶硅薄膜 的制作方法。
技术介绍
在半导体制程中，等离子(plasma)受到广泛的应用，例如应用于清洁 (cleaning)、涂布(coating)、溅镀(sputtering)、等离子化学气相沉积(plasmaCVD)、 离子植入(ion implantation)、真空电弧(Vacuum Arc)、浸入式等离子离子植入(Plasma Immersion Ion Implantation, PHI)或是蚀亥Ij (etching)等。 其中，现有技术中通常利用等离子来形成半导体制程中的薄膜，所成膜出来 的产品可用于制造太阳电池用薄膜、液晶显示器等中所使用的薄膜晶体管(Thin-Film Transistor, TFT)数组等的各种半导体。图1为美国专利公告号US5952061所载的等离子装置的示意图。请参照图1，等 离子装置包括腔体1、承载基座10、电极板12、坩锅3、气体管路16。其中基板11放在 承载基座9上，坩锅3中填有硅合金8作为硅源。当直流电压源4施加一电压差于电极板 12以及坩锅3之间时，自气体管路16通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子装置，其特征在于，所述装置包括：腔体；位于所述腔体中的电弧电极组，所述电弧电极组包括一阳极以及一阴极，所述阴极与阳极之间具有一电弧放电空间，且所述阴极与阳极在彼此相对的一端分别具有一结晶硅靶材，所述结晶硅靶材的电阻率小于０．０１欧姆.厘米；以及位于所述腔体中的承载基座，所述承载基座具有一承载面，且所述承载面面向所述电弧放电空间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗惠，林宗颖，廖子杰，彭佳凌，刘家麟，莫启能，
申请(专利权)人：深圳华映显示科技有限公司，中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]