卡紧的整体喷头电极制造技术

一种用于半导体衬底处理中使用的等离子处理室的电极总成。该总成包括上部喷头电极，其通过一系列隔开的凸轮锁以机械方式连接于衬板。保护环围绕该衬板，并且可移动到使得该保护环中开口对齐该衬板中开口的位置，从而该凸轮锁可利用工具转动以释放从该电极的上面延伸的锁紧销。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离 子处理室的喷头电极总成，在该室中制造半导体部件。
技术实现思路
按照一个实施方式，喷头电极总成包括卡紧到衬板的整体台阶状电极，其中该喷 头电极总成包括电容耦合等离子处理室的上部电极。该台阶状电极是圆形板，在该圆形板 下面有等离子暴露表面以及在该圆形板上面有安装表面。该安装表面包括多个定位销凹 处，构造为容纳定位销，其布置成匹配衬板中定位销孔的图案，通过凸轮锁将该圆形板保持 抵靠该衬板，并且该圆形板包括工艺气体出口，其布置成匹配该衬板中气体供应孔的图案。 该上面包括围绕平的内表面的外部凹面，该等离子暴露表面包括内部和外部倾斜表面。该 外部凹面中的多个周向隔开的腔室构造为在其中容纳锁紧销，其适于结合凸轮锁以将该台 阶状电极卡紧于该衬板。按照另一实施方式，电容耦合等离子处理室的喷头电极总成包括热控制板、衬板、 保护环和台阶状电极。该热控制板由该等离子处理室的温度受控壁支撑，该热控制板的直 径大于待在该等离子处理室中处理的晶片直径，并且在其下侧包括环形突出部，该环形突 出部之间具有集气室。该衬板由该热控制板支撑并且直径小于该热控制板，具有气体通道 贯穿其中，以及水平延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在等离子反应室中使用的喷头电极，包括：　　由该喷头电极的上面和下面限定的中心部分和边缘部分，该上面包括延伸跨过该中心部分并跨过该边缘部分一段的平面，该上面包括该平面外面的环形凹处，该下面由延伸跨过该中心部分的平的内表面和延伸跨过该边缘部分的台阶状外表面限定，该台阶状外表面包括形成该喷头电极的厚度增加的区域的环形平面；　　该电极的中心部分中的多个气体出口，通过该出口可将工艺气体传送到该喷头电极和下部电极之间的间隙，晶片支撑在该下部电极上；　　多个在该环形凹处中周向隔开的腔室，该腔室构造为容纳适于将该喷头电极卡紧于衬板的凸轮锁。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗杰帕特里克，格雷戈里R贝当古，迈克尔C凯洛格，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]