光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置。它包括太赫兹波源、Ｕ形聚乙烯圆波导输入端、Ｕ形聚乙烯圆波导输出端、Ｕ形聚乙烯圆波导、可调制的半导体激光器、第一硅片、第二硅片，由太赫兹波源发出的太赫兹波由Ｕ形聚乙烯圆波导输入端输入，通过Ｕ形聚乙烯圆波导，经Ｕ形聚乙烯圆波导输出端输出，在Ｕ形聚乙烯圆波导的底端同一平面内平行设有第一硅片、第二硅片，第一硅片上方设有可调制的半导体激光器。本实用新型专利技术利用可调制的半导体激光器控制照射到第一硅片上的激光，从而控制耦合谐振腔的谐振，把信号加载到太赫兹波上，具有损耗小，调制带宽大，调制速度快，结构紧凑，便于集成，满足太赫兹波通信需求。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及太赫兹波应用
，具体涉及一种光控耦合谐振腔结 构太赫兹波调制装置。
技术介绍
无线通信正面临有限频谱资源和迅速增长的带宽、高速业务需求的矛盾。 太赫兹通信是指用太赫兹波作为信息载体进行的空间通信。因为太赫兹波介于 微波和远红外光之间，处于电子学向光子学的过渡领域，所以它集成了微波通 信与光通信的有点。相对于微波通信而言l)太赫兹通信传输的容量更大。太赫兹波的频段在10U l(^Hz之间，比微波通信高出1 4个数量级，可提供高达 10Gb/s的无线传输速率，比当前的超宽带技术快几百甚至上千倍；2)太赫兹波 束更窄、方向性更好、可以探测更小的目标以及更精确地定为；3)太赫兹波具有 更好的保密性及抗干扰能力，不受远方电子干扰的影响，甚至第三方在当地也 很难接收太赫兹通信信号，可实现在2 5Km范围内的保密通信；4)由于太赫兹 波波长相对更短，在完成同样功能的情况下，天线的尺寸可以做得更小，其他 的系统结构也可以做得更加简单、经济。相对于光通信而言l)用光子能量约为 可见光的1/40的THz波作为信息载体，能量效率更高；2)太赫兹波具有更好的 穿透沙尘烟雾的能力，它可以实现全天候的工作。太赫兹波在通过大气时，由 于水蒸气而导致的强吸收、低效率以及在目前可选的太赫兹源中相对低发射功 率会给太赫兹通信带来明显的不利影响，但是，随着高功率的太赫兹光源、高 灵敏度的探测技术以及高稳定性系统的日益突破，占有很多优势的太赫兹通信 必将指日可待。旨在推进近距离无线通信技术标准化的美国IEEE802.15委员会，于2007 年底设立了太赫兹波(Terahertz Wave,简称THz波)研究小组Terahertz Interest Group(IGthz)。 THz波研究小组是因美国英特尔公司、美国AT&T Research和 韩国高丽大学等提议设立的。该小组将探讨300GHz 10THz等高频带开展无线 通信的可行性。太赫兹在350GHz、 450GHz、 620GHz、 735GHz和870GHz频 率附近存在着相对透明的大气窗口 。以太赫兹波为通信载体的新一代通信系统 正以其低窃听率，高抗干扰性、全天候工作、准定向等优点而备受重视，并正 逐步成为国外相关单位研究的重点。但是作为THz通信系统的关键技术之一的 太赫兹波高速调制技术相关研究报道很少。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种光控耦合谐振腔结构 太赫兹波调制装置。光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置包括太赫兹波源、u形聚乙烯圆波 导输入端、u形聚乙烯圆波导输出端、u形聚乙烯圆波导、可调制的半导体激 光器、第一硅片、第二硅片，由太赫兹波源发出的太赫兹波由u形聚乙烯圆波 导输入端输入，通过u形聚乙烯圆波导，经u形聚乙烯圆波导输出端输出，在u形聚乙烯圆波导的底端同一平面内平行设有第一硅片、第二硅片，第一硅片上方设有可调制的半导体激光器。所述的可调制的半导体激光器的工作波长为680 900nm，功率5 500 mW，调制速度为50KHz/s lGHz/s。第一硅片和第二硅片的半径为4 12mm， 厚度为0.1 1.5mm。第一硅片和第二硅片之间的距离为10 100pm。 U形聚乙 烯圆波导的底端与第一硅片之间的距离为10 100pm。 U形聚乙烯圆波导折射 率为1.45 1.52，聚乙烯波导半径为0.4 2.5mm。太赫兹波源1为返波振荡器 BWO。本技术中光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置具有损耗小，调制带 宽大，调制速度快，结构紧凑，便于集成，满足太赫兹波通信需求。附图说明图1是光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置示意图2 (a)是可调制的半导体激光器不发出激光时，0.35THz频率的太赫兹 波通过耦合谐振腔中的U形聚乙烯圆波导输出端输出情况示意图2 (b)是可调制的半导体激光器发出激光照射到第一硅片时，0.35THz 频率的太赫兹波无法通过耦合谐振腔中的U形聚乙烯圆波导输出端输出情况示 意图中太赫兹波源l、太赫兹波输入端2、太赫兹波输出端3、 U形聚乙烯 圆波导4、可调制的半导体激光器5、第一硅片6、第二硅片7。具体实施方式如图1所示，光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置包括太赫兹波源1、 U 形聚乙烯圆波导输入端2、 U形聚乙烯圆波导输出端3、 U形聚乙烯圆波导4、 可调制的半导体激光器5、第一硅片6、第二硅片7，由太赫兹波源1发出的太 赫兹波由U形聚乙烯圆波导输入端2输入，通过U形聚乙烯圆波导4，经U形 聚乙烯圆波导输出端3输出，在U形聚乙烯圆波导4的底端同一平面内平行设有第一硅片6、第二硅片7，第一硅片6上方设有可调制的半导体激光器5。所述的可调制的半导体激光器5的工作波长为680 900nm，功率5 500 mW，调制速度为50KHz/s lGHz/s。第一硅片6和第二硅片7的半径为4 12mm，厚度为0.1 1.5mm。第一硅片6和第二硅片7之间的距离为10 100^m。 U形聚乙烯圆波导4的底端与第一硅片6之间的距离为10 100pm。 U形聚乙 烯圆波导4折射率为1.45 1.52，聚乙烯波导半径为0.4 2.5mm。太赫兹波源 1为返波振荡器BWO。光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制方法是在于当可调制的半导体激光器5 不发出激光时，由U形聚乙烯圆波导4、第一硅片6和第二硅片7组成的耦合 谐振腔产生谐振，由太赫兹波源1发出的太赫兹波从U形聚乙烯圆波导输入端 2输入，通过U形聚乙烯圆波导4，经U形聚乙烯圆波导输出端3输出；当可 调制的半导体激光器5发出激光照射到第一硅片6时，第一硅片6的折射率发 生改变，由U形聚乙烯圆波导4、第一硅片6和第二硅片7组成的耦合谐振腔 不再产生谐振，太赫兹波源1发出的太赫兹波无法通过U形聚乙烯圆波导4， 利用可调制的半导体激光器5控制照射到第一硅片6上的激光，从而控制由U 形聚乙烯圆波导4、第一硅片6和第二硅片7组成的耦合谐振腔的谐振，实现把 信号加载到太赫兹波上。本技术的工作过程选择Microtech公司出售的返波振荡器BWO作为 太赫兹源，计算机控制BWO输出太赫兹波在0.23-0.375THz频段内改变，选取 U形聚乙烯圆波导、第一硅片和第二硅片组成的耦合谐振腔的谐振太赫兹频率， 太赫兹源发出连续的太赫兹波。该频率的太赫兹波在可调制的半导体激光器不 发出激光时，由U形聚乙烯圆波导、第一硅片和第二硅片组成的耦合谐振腔产 生谐振，由太赫兹波源发出的太赫兹波由U形聚乙烯圆波导输入端输入，通过 U形聚乙烯圆波导，经U形聚乙烯圆波导输出端输出，此时，利用BWO自带 的肖特基二极管太赫兹波探测器在U形聚乙烯圆波导输出端可以探测到太赫兹 波；当可调制的半导体激光器发出激光照射到第一硅片时，第一硅片的折射率 发生改变，由U形聚乙烯圆波导、第一硅片和第二硅片组成的耦合谐振腔不再 产生谐振，太赫兹波源发出的太赫兹波无法通过U形聚乙烯圆波导，在U形聚 乙烯圆波导输出端没有输出，此时，利用BWO自带的肖特基二极管太赫兹波 探测器在U形聚乙烯圆波导输出端探测不到太赫兹波。因此，利用可调制的半 导体激光器控制照射到第一硅片上的激光，从而控制由U形聚乙烯圆波导、第 一硅片和第二硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置，其特征在于包括太赫兹波源（１）、Ｕ形聚乙烯圆波导输入端（２）、Ｕ形聚乙烯圆波导输出端（３）、Ｕ形聚乙烯圆波导（４）、可调制的半导体激光器（５）、第一硅片（６）、第二硅片（７），由太赫兹波源（１）发出的太赫兹波由Ｕ形聚乙烯圆波导输入端（２）输入，通过Ｕ形聚乙烯圆波导（４），经Ｕ形聚乙烯圆波导输出端（３）输出，在Ｕ形聚乙烯圆波导（４）的底端同一平面内平行设有第一硅片（６）、第二硅片（７），第一硅片（６）上方设有可调制的半导体激光器（５）。

【技术特征摘要】
1.一种光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置，其特征在于包括太赫兹波源(1)、U形聚乙烯圆波导输入端(2)、U形聚乙烯圆波导输出端(3)、U形聚乙烯圆波导(4)、可调制的半导体激光器(5)、第一硅片(6)、第二硅片(7)，由太赫兹波源(1)发出的太赫兹波由U形聚乙烯圆波导输入端(2)输入，通过U形聚乙烯圆波导(4)，经U形聚乙烯圆波导输出端(3)输出，在U形聚乙烯圆波导(4)的底端同一平面内平行设有第一硅片(6)、第二硅片(7)，第一硅片(6)上方设有可调制的半导体激光器(5)。2. 根据权利要求1所述的一种光控耦合谐振腔结构太赫兹波调制装置，其特征在于所述的可调制的半导体激光器(5)的工作波长为680 900nm，功率5 500mW，调制速度为50KHz/s lGHz/s。3. 根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：李九生，
申请(专利权)人：中国计量学院，
类型：实用新型
国别省市：86[]