一种高强度宽带太赫兹波发生器制造技术

本发明专利技术公开了一种高强度宽带太赫兹波发生器，基本结构包括：(1)双面抛光基底、[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n或[非磁性金属薄膜/铁磁薄膜/能透射THz波的绝缘层]n(n≥1，n为重复核心层个数)。使用时，外加磁场，磁场方向平行于薄膜平面，磁铁固定在旋转台上，通过改变磁场方向，改变太赫兹光波的偏振方向，太赫兹光波的偏振方向与磁场方向垂直。本发明专利技术利用铁磁/非磁性金属薄膜层中的反自旋霍尔效应产生THz脉冲，不仅可以得到频谱较宽的太赫兹脉冲，而且其强度可以与非线性晶体产生的THz光波相比拟，成本大大降低，为THz波今后更广泛的应用提供了良好的条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁波发生装置，尤其是太赫兹波发生器。
技术介绍
太赫兹(Terahertz，1THz＝1012Hz)泛指频率在0.1～10THz波段内的电磁波，位于红外和微波之间，处于宏观电子学向微观光子学的过渡阶段。相比于其他波段的电磁波，THz波有其独特的优势：1、低能性，太赫兹波段的光子能量只有毫电子伏特，不会因为电离而破坏被探测物质，另外较低的能量对低温超导性能的探测具有重要作用；2、宽带性，单个THz脉冲可以达到几个THz频率的宽度，许多材料的振动能级或转动能级位于该THz波段，如爆炸物分子在该波段具有明显的吸收峰，因此可以为安检设备提供有效的补充；3、穿透性，太赫兹光波对于很多非极性绝缘物质，如硬纸板或塑料等具有很高的透过率，因此可以在安检中发挥重要作用；4、瞬态性，太赫兹脉冲的脉宽在皮秒量级，对各种材料的时间分辨研究具有重要意义。THz光波以其众多优势，在众多领域得到广泛研究和应用，在成像、物质结构分析和无损探测等领域展现了良好的应用前景。太赫兹源是太赫兹系统重要部分。产生THz光波的方法有很多,但是常用的产生宽带超快THz脉冲主要是通过光整流和光导天线方法。光整流方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高强度宽带太赫兹波发生器，由飞秒激光脉冲光源、THz脉冲发生器和作用于THz脉冲发生器的磁场构成，其特征在于，脉冲THz波发生器以[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n或[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n为核心层，n≥1；单或多核心层生长在双面抛光的基底上；所述基底为双面抛光的Al2O3或MgO；所述非磁性金属薄膜和铁磁薄膜为纳米薄膜；磁场平行于薄膜平面加在纳米薄膜两侧。

【技术特征摘要】
1.一种高强度宽带太赫兹波发生器，由飞秒激光脉冲光源、THz脉冲发生器和作用于THz脉冲发生器的磁场构成，其特征在于，脉冲THz波发生器以[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n或[铁磁薄膜/非磁性金属薄膜/能透射THz波的绝缘层]n为核心层，n≥1；单或多核心层生长在双面抛光的基底上；所述基底为双面抛光的Al2O3或MgO；所述非磁性金属薄膜和铁磁薄膜为纳米薄膜；磁场平行于薄膜平面加在纳米薄膜两侧。2.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，铁磁薄膜或非磁性金属薄膜材料厚度在1到10nm内变动。3.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，各单元膜层依次在双面抛光基底上生长1到10层。4.根据权利要求1所述的高强度宽带太赫兹波发生器，其特征在于，所述铁磁薄膜为Fe纳米薄膜；非磁性金属薄膜为Pt...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐静波，吴义政，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：四川;51