单晶硅高效聚光薄片太阳电池制造技术

技术编号:4779906 阅读:299 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种单晶硅高效聚光薄片太阳电池,包括基区,基区正面设置NP结,NP结的正面设置氮化硅减反射膜,正电极穿过氮化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触,基区的反面设置P↑[+]层,P↑[+]层反面设置铝背场,铝背场中设置背电极;正面栅线阴影面积占正面总面积的15~17%。本实用新型专利技术结构合理,工作性能好,制造成本低。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种单晶硅太阳电池。技术背景太阳电池推广应用的主要障碍是发电成本与火力发电成本相比较 成本过高。不过,最近也有了好兆头,保定英利绿色新能源有限公司承 包敦煌10MW大型电站,承诺每度电0.69元,这仅仅说明,在个案中接 近火力发电价格。降低成本,提高效率是技术人员永恒的追求。聚光电 池则是通过薄片,高效聚光等手段,可以大大降低发电成本。硅片成本占到组件成本的40 60%,如果把硅片200um厚度降低到160um,使 硅片成本下降20%。聚光电池在12-15个太阳条件下,其转换效率为 20 21%,,目前单晶硅常规电池平均转换效率为17%,,效率每提高一个 百分点,电池成本下降7%。聚光电池提高3 4%,电池的制造成本下降 20%。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种结构合理,工作性能好的单晶硅高效聚 光薄片太阳电池。本技术的技术解决方案是一种单晶硅高效聚光薄片太阳电池,其特征是包括基区,基区正 面设置NP结,NP结的正面设置氮化硅减反射膜,正电极穿过氮化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触,基区的反面设置P+层,P+层反面设置铝背场,铝背场中设置背电极;正面栅线阴影面积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅高效聚光薄片太阳电池,其特征是:包括基区,基区正面设置NP结,NP结的正面设置氮化硅减反射膜,正电极穿过氮化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触,基区的反面设置P↑[+]层,P↑[+]层反面设置铝背场,铝背场中设置背电极;正面栅线阴影面积占正面总面积的15~17%。

【技术特征摘要】
1、一种单晶硅高效聚光薄片太阳电池,其特征是包括基区,基区正面设置NP结,NP结的正面设置氮化硅减反射膜,正电极穿过氮化硅减反射膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆俊宇张高洁杨春秀王玉亭马跃
申请(专利权)人:江苏林洋新能源有限公司江苏林洋太阳能电池及应用工程技术研究中心有限公司
类型:实用新型
国别省市:32[]

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