单晶炉埚转升降轴制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶炉埚转升降轴，包括托杆轴和托盘；托盘包括盘边和盘体，盘体中心有一通孔，托杆轴的上端为一短柱体，且带有台阶；托杆轴的短柱体与通孔相配合，托盘下表面与台阶的上表面相接触；托杆轴与托盘配合的周面上，由周向排列的２个或２个以上销子将托杆轴与托盘连接成一体。这种单晶炉埚转升降轴由于托杆轴的短柱体与盘体上的通孔配合面积增加，托杆轴与托盘配合的周面上，有销子将托杆轴与托盘连接成一体，连接牢靠，托盘中心孔周围不再产生裂纹。该结构简单、稳固可靠，延长了硅单晶炉的使用寿命，从而节约提炼硅单晶的成本和提高劳动生产率。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于直拉硅单晶炉制造
，涉及直拉法硅单晶炉坩埚转 动和升降用的单晶炉埚转升降轴。
技术介绍
20世纪以来,世界各国半导体材料需求量的增长，直接影响着我国半导体 材料业的M,特别是150咖至200mm单晶需求量在不断上升。硅单晶炉，是在 惰性气体环境中以石墨电阻加热将硅熔化，用软轴直拉法生长无位错单晶的专 用设备，用于生产大恥漠集成电路的太阳能电池元器件等高质量单晶材料。直 拉法硅单晶炉坩埚转动和升降用的单晶炉埚转升降轴，是单晶炉的心脏部分之 一，它需凌^ 义受60kg以上的压力，并在高于"00° C的温度下装载着熔融状 态的多晶硅原料，不停地转动，目前我国生产的硅单晶炉埚转升降轴的结构存 在的问题为4^干轴和托盘连接部位小，托盘连接处结构单薄，在高温低温差 距大的工作环境下经常会出现裂紋。硅材料的昂贵和工作环境的苛刻，要求硅 单晶炉具有极高的安全可靠性，为了节约生产成本和保证人身设备安全，避免 不必要的事故发生，需要寻求一种结构简单、稳固可靠的单晶炉埚转升降轴， 避免单晶炉埚转升降轴的托盘上产生裂紋，延长了硅单晶炉的使用寿命，从而 节约提炼硅单晶的生产成本和提高劳动生产率。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种结构简单、稳固可靠的单晶炉埚转升降轴。为了达到上述目的，本技术的技术方案是单晶炉埚转升降轴，包括 ^a干轴和托盘。托盘包括盘边和盘体，盘体中心有一通孔，4W干轴的上端为一 短柱体，且带有台阶；托杆轴的短柱体与通孑L相配合，托盘下表面与台阶的上 表面相接触。^W干轴与托盘配合的周面上，由周向排列的2个或2个以上销子 将托杆轴与托盘连接成一体。本技术与现有技斜目比，具有以下优点；由于托杆轴的短柱体与盘体 上的通3l4目配合，配合面积增加。4W干轴与托盘配合的周面上，由周向排列的 2个或2个以上销子将托杆轴与托盘连接成一体，连接牢靠，托盘上不会产生 裂纟丈。该结构简单、稳固可靠，延长了硅单晶炉的使用寿命，从而节约提炼硅单晶的生产成本和提高劳动生产率。以下结合附图对本技术作进一步详细地说明。图l是本技术实施例的主视示意图； 图2是附图说明图1的A-A放大示意图； 图3是图2的俯3见示意图4是本技术实施例在使用状态下的主视示意图； 图5是原有技术在使用状态下的主视示意图。具体实施方式如图1、图2和图3所示为本技术实施例的主视示意图、A-A放大示 意图和A-A放大示意图的俯视示意图，单晶炉埚转升降轴，包括石墨4W干轴(1) 和石墨托盘2。石墨托盘2包括盘边2-1和盘体2-2，盘体2-2中心有一通孔 2-3,石墨托杆轴l的上端为一短柱体l-l，且带有台阶1-2;石墨4d干轴l的 短柱体1-1与通孔2-3相配合,石墨托盘2下表面与台阶1-2的上表面相接触； ;^i干轴1与石墨托盘2配合的周面上，由周向排列的4个销子3将4W干轴1与 石墨托盘2连接成一体。如图4所示为本技术实施例在使用状态下的主浮见示意图，单晶炉埚转 升降轴上方的石墨托盘2上连接一石墨坩埚6，单晶炉埚转升降轴带动石墨坩 埚6转动，且上下升降。以上结构使石墨^i干轴1与石墨盘体2配合面积增加，石墨4W干轴1与石 墨托盘2配合面上，周向排列4个石墨销子3将石墨4U干轴1与石墨托盘2连接 成一体，连接牢靠，石墨托盘2中心孔周围上不会再产生裂紋。如图5所示为原有技术在使用状态下的主视示意图，单晶炉埚转升降轴， 包括石墨^i干轴5和石墨托盘4。石墨托盘4包括盘边4-1和盘体4-2,盘体 4-2中心有一盲孔4_3,石墨4^干轴5的上端的短柱体5-1与盘体4-2中心的盲 孔4-3相配合。以上结构的缺点是石墨^i干轴5与石墨盘体4配合面积小，石墨托杆轴 5与石墨托盘4靠摩擦力传递承载重力和转动力，在高温低温差距大的工作环 境下，热应力^^吏盘体4-2中心的盲孔4-3周围出现裂紋。权利要求1、单晶炉埚转升降轴，包括托杆轴(1)和托盘(2)；其特征在于托盘(2)包括盘边(2-1)和盘体(2-2)，盘体(2-2)中心有一通孔(2-3)，托杆轴(1)的上端为一短柱体(1-1)，且带有台阶(1-2)；托杆轴(1)的短柱体(1-1)与通孔(2-3)相配合，托盘(2)下表面与台阶(1-2)的上表面相接触；托杆轴(1)与托盘(2)配合的周面上，由周向排列的2个或2个以上销子(3)将托杆轴(1)与托盘(2)连接成一体。专利摘要本技术公开了一种单晶炉埚转升降轴，包括托杆轴和托盘；托盘包括盘边和盘体，盘体中心有一通孔，托杆轴的上端为一短柱体，且带有台阶；托杆轴的短柱体与通孔相配合，托盘下表面与台阶的上表面相接触；托杆轴与托盘配合的周面上，由周向排列的2个或2个以上销子将托杆轴与托盘连接成一体。这种单晶炉埚转升降轴由于托杆轴的短柱体与盘体上的通孔配合面积增加，托杆轴与托盘配合的周面上，有销子将托杆轴与托盘连接成一体，连接牢靠，托盘中心孔周围不再产生裂纹。该结构简单、稳固可靠，延长了硅单晶炉的使用寿命，从而节约提炼硅单晶的成本和提高劳动生产率。文档编号C30B15/10GK201358321SQ20092003622公开日2009年12月9日 申请日期2009年3月9日 优先权日2009年3月9日专利技术者李云霞, 程宜红, 力 范 申请人:常州有则科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶炉埚转升降轴，包括托杆轴（１）和托盘（２）；其特征在于：托盘（２）包括盘边（２－１）和盘体（２－２），盘体（２－２）中心有一通孔（２－３），托杆轴（１）的上端为一短柱体（１－１），且带有台阶（１－２）；托杆轴（１）的短柱体（１－１）与通孔（２－３）相配合，托盘（２）下表面与台阶（１－２）的上表面相接触；托杆轴（１）与托盘（２）配合的周面上，由周向排列的２个或２个以上销子（３）将托杆轴（１）与托盘（２）连接成一体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李云霞，程宜红，范力，
申请(专利权)人：常州有则科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]