一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体技术

本发明专利技术公开一种AlN晶体的生长方法和AlN晶体，该生长方法包括：提供一坩埚组件；其中，坩埚组件包括坩埚以及设置于坩埚内的AlN原料、掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件，AlN原料放置于坩埚底部，掩膜片、AlN籽晶和耐高温固定件依次位于AlN原料的上方，AlN籽晶固定在耐高温固定件上且与掩膜片紧密设置，掩膜片设置有多个通孔；将坩埚组件放入生长炉，生长形成AlN晶体。本发明专利技术在AlN晶体的生长过程中，AlN原料气化生成的气态分子优先在靠近通孔的AlN籽晶上结晶，当通孔内长满AlN晶体后，AlN晶体沿掩膜片未设置通孔处的下表面横向扩展生长，横向扩展生长的AlN晶体截断了AlN籽晶内的晶畴、孪晶、气孔、螺位错、刃位错等缺陷的延续，可有效提升AlN晶体的结晶质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长领域，尤其涉及一种aln晶体的生长方法和aln晶体。

技术介绍

1、氮化铝(aln)被广泛应用于光电子领域和微电子领域。目前生长aln体晶的主要方法为物理气相传输(physical vapor transport，pvt)法，其基本原理是：aln粉源放置在坩埚下方，aln粉源升华成气态分子(al和n2)，然后传输至坩埚上部，由于坩埚上部温度相对较低，气态分子在衬底或aln籽晶上再次结晶。

2、然而，采用pvt法制备aln晶体中也存在诸多技术难点，比如生长晶体严重依赖aln籽晶的结晶质量，aln籽晶中的晶畴、孪晶、气孔、螺位错、刃位错等缺陷会延续至晶体中，导致生长得到的晶体劣于aln籽晶质量。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种aln晶体的生长方法和aln晶体，以解决现有技术中aln晶体的结晶质量差的问题。

2、本专利技术的目的采用以下技术方案实现：

3、本专利技术提供一种aln晶体的生长方法，包括：

4、提供一坩埚组件；其中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种AlN晶体的生长方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的AlN晶体的生长方法，其特征在于，所述生长形成AlN晶体，具体包括：

3.根据权利要求2所述的AlN晶体的生长方法，其特征在于，所述对所述生长炉进行真空去杂处理，具体包括：

4.根据权利要求3所述的AlN晶体的生长方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的AlN晶体的生长方法，其特征在于，所述生长方法还包括：

6.根据权利要求5所述的AlN晶体的生长方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求5所述的AlN晶体的生长方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种aln晶体的生长方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的aln晶体的生长方法，其特征在于，所述生长形成aln晶体，具体包括：

3.根据权利要求2所述的aln晶体的生长方法，其特征在于，所述对所述生长炉进行真空去杂处理，具体包括：

4.根据权利要求3所述的aln晶体的生长方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的aln晶体的生长方法，其特征在于，所述生长方法还包括：

6.根据权利要求5所述的aln...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐海涛，杨纤纤，牛文杰，刘宗亮，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：