【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅制造，具体涉及一种单晶炉用炉底保温结构。
技术介绍
1、单晶炉是用于生产单晶硅等半导体材料的关键设备，其工作原理是通过加热使硅料熔化，然后在恒定的温度下缓慢拉晶，形成单晶硅。在这个过程中，炉内的热场分布对单晶硅的质量有着至关重要的影响。因此，单晶炉的保温性能是影响生产效率和晶体质量的关键因素之一。
2、在传统的炉底结构中，炉底与炉体之间可能存在漏热间隙，这些漏热间隙会使大量的热量造成损失，从而增加能耗；并且存在保温效果不佳的问题，增加了生产成本。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种单晶炉用炉底保温结构，通过封堵护盘压片下方的保温材料与下保温筒之间的间隙，并封堵护盘压片与装配电极护套通孔二之间的间隙，减少炉底内的间隙隔热，提升单晶炉底部保温性能，解决了现有技术存在的问题。
2、为解决上述技术问题，本技术采用了以下方案：
3、一种单晶炉用炉底保温结构，包括位于炉底盘上方的炉底固毡和下保温筒，位于下保温筒内部的炉底固毡上方设有护盘软毡和...
【技术保护点】
1.一种单晶炉用炉底保温结构，其特征在于，包括位于炉底盘（2）上方的炉底固毡（6）和下保温筒（1），位于下保温筒（1）内部的炉底固毡（6）上方设有护盘软毡（7）和护盘压片（3），所述护盘压片（3）的外周面与下保温筒（1）的内周面设有的环形压板（10）连接，电极护套（4）的顶部向水平延伸形成凸起（40），所述凸起（40）位于通孔二（32）的下部孔内。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉用炉底保温结构，其特征在于，所述护盘压片（3）外周面的底部向水平延伸形成装配平台（30），所述环形压板（10）的底面与装配平台（30）的表面接触，所述环形压板（10）的表面与护...
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉用炉底保温结构，其特征在于，包括位于炉底盘（2）上方的炉底固毡（6）和下保温筒（1），位于下保温筒（1）内部的炉底固毡（6）上方设有护盘软毡（7）和护盘压片（3），所述护盘压片（3）的外周面与下保温筒（1）的内周面设有的环形压板（10）连接，电极护套（4）的顶部向水平延伸形成凸起（40），所述凸起（40）位于通孔二（32）的下部孔内。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉用炉底保温结构，其特征在于，所述护盘压片（3）外周面的底部向水平延伸形成装配平台（30），所述环形压板（10）的底面与装配平台（30）的表面接触，所述环形压板（10）的表面与护盘压片（3）的表面处于同一水平线。
3.根据权利要求2所述的一种单晶炉用炉底保温结构，其特征在于，所述环形压板（10）的厚度为8mm，宽度为25mm。
4.根据权利要求2所述的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：甘以知，关树军，洪华，路建华，邹静，
申请(专利权)人：乐山市京运通半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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