衬底加热装置及外延设备制造方法及图纸

本技术属于半导体处理设备技术领域，公开了衬底加热装置及外延设备，衬底加热装置包括第一加热体与第二加热体、电极柱和连接件，第二加热体周向环绕设置于第一加热体外侧，第一加热体与第二加热体之间具有间隙，第一加热体与第二加热体均设置有至少两个挂耳，挂耳上设置有第一安装孔，挂耳上设置有第一安装孔电极柱与挂耳一一对应设置，电极柱的侧壁设置有嵌槽，嵌槽内开设还有第二安装孔，挂耳嵌入嵌槽，且挂耳的下表面与嵌槽的槽壁贴合时，第一安装孔能够与第二安装孔相对；连接件穿过第一安装孔与第二安装孔固定电极柱与挂耳，外延设备包括反应腔体以及上述的衬底加热装置，衬底加热装置设置于反应腔体内，使电极与加热体接触良好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体处理设备，尤其涉及一种衬底加热装置及外延设备。

技术介绍

1、碳化硅外延膜生长方法有多种,其中化学气相外延cvd)法具有可以精确控制外延膜膜厚和载流子浓度、缺陷较少、生长速度适中、过程可自动控制等优点,是生长碳化硅外延膜的最常用方法。

2、现有化学气相外延(cvd)设备中，核心部分为腔体，腔体内设置有用于加热衬底的下加热器，使得衬底能够满足在其上生长薄膜的温度条件。腔体内还设置设有一侧加热器，其位于靠近腔体的内侧壁，用于加热位于腔体内的反应气体。

3、此外，腔体内还设置有位于腔体上方的上加热器，用于对衬底辐射加热，由于上加热器都是在腔体上方通过螺栓将电极与加热体直接固定组成，这种螺栓直接连接方式容易造成电极与加热体触面积小、接触不良等问题，导致控温较困难，且均匀性较差，影响生长薄膜的均匀性。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种衬底加热装置及外延设备，能够解决电极与加热体接触不良的问题。

2、为达此目的，本技术采用以下技术方案：p>

3、衬底加本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.衬底加热装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底加热装置，其特征在于，所述第一加热体(1)以及所述第二加热体(2)均设置两个所述挂耳(3)，两个所述挂耳(3)相对设置。

3.根据权利要求1所述的衬底加热装置，其特征在于，所述电极柱(4)上设置有隔热环(6)，所述隔热环(6)设置于所述嵌槽(41)上方。

4.根据权利要求3所述的衬底加热装置，其特征在于，所述隔热环(6)与所述电极柱(4)可拆卸连接。

5.根据权利要求4所述的衬底加热装置，其特征在于，所述电极柱(4)上设置有承托台阶(43)，所述承托台阶(43)设置于所述嵌槽...

【技术特征摘要】

1.衬底加热装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底加热装置，其特征在于，所述第一加热体(1)以及所述第二加热体(2)均设置两个所述挂耳(3)，两个所述挂耳(3)相对设置。

3.根据权利要求1所述的衬底加热装置，其特征在于，所述电极柱(4)上设置有隔热环(6)，所述隔热环(6)设置于所述嵌槽(41)上方。

4.根据权利要求3所述的衬底加热装置，其特征在于，所述隔热环(6)与所述电极柱(4)可拆卸连接。

5.根据权利要求4所述的衬底加热装置，其特征在于，所述电极柱(4)上设置有承托台阶(43)，所述承托台阶(43)设置于所述嵌槽(41)上方，所述隔热环(6)搭接于所述承托台阶(43)...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙占勇，韩雪岭，李洪，梁展程，刘定财，黄耿斌，
申请(专利权)人：拉普拉斯广州半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：